レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究

著者

• 陳, 訳 チン, ヤク Chen, Yi

書誌事項

レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーSi MOS FETsに関する研究

陳訳著

（琉球大学大学院理工学研究科博士論文, 平成28年度）

琉球大学大学院理工学研究科, 2016.9

タイトル別名

Research on Junction formation using laser annealing for high performance Si power MOS FETs

タイトル読み

レーザーアニール ニ ヨル セツゴウ ケイセイ ト コウセイノウ パワー Si MOS FETs ニ カンルス ケンキュウ

注記

生産エネルギー工学専攻

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB24638720
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [西原町(沖縄県)]
• ページ数/冊数: ii, 78p
• 大きさ: 30cm
• 分類:
  • NDC9 : 377.5
• 親書誌ID:
  • BA87133765