ヘテロエピタキシャル結晶SiO2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁

著者

    • 名取, 晃子 ナトリ, アキコ

書誌事項

ヘテロエピタキシャル結晶SiO2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁

研究代表者 名取晃子

(科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成13-14年度)

[電気通信大学], 2003.3

タイトル読み

ヘテロ エピタキシャル ケッショウ SiO2 Si 001 ノ ゲンシ レベル ノ トンネル ショウヘキ

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注記

課題番号: 13640322

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB26583801
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    engjpn
  • 出版地
    [調布]
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
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