ヘテロエピタキシャル結晶SiO2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁

著者

• 名取, 晃子 ナトリ, アキコ

書誌事項

ヘテロエピタキシャル結晶SiO2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁

研究代表者 名取晃子

（科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成13-14年度）

[電気通信大学], 2003.3

タイトル読み

ヘテロ エピタキシャル ケッショウ SiO2 Si 001 ノ ゲンシ レベル ノ トンネル ショウヘキ

注記

課題番号: 13640322

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB26583801
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: engjpn
• 出版地: [調布]
• ページ数/冊数: 1冊
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30195401