Si中にイオン注入されたAs及びSbの酸化膜界面パイルアップ現象の解明
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Si中にイオン注入されたAs及びSbの酸化膜界面パイルアップ現象の解明
(科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成9年度~平成10年度)
[芝原健太郎], 2000.2
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Siチュウ ニ イオン チュウニュウ サレタ As および Sb ノ サンカマク カイメン パイル アップ ゲンショウ ノ カイメイ
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注記
課題番号: 09650358
研究代表者: 芝原健太郎(広島大学ナノデバイス・システム研究センター助教授)
研究分担者: 横山新
参考文献あり