Si中にイオン注入されたAs及びSbの酸化膜界面パイルアップ現象の解明

著者

書誌事項

Si中にイオン注入されたAs及びSbの酸化膜界面パイルアップ現象の解明

研究代表者 芝原健太郎

(科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書, 平成9年度~平成10年度)

[芝原健太郎], 2000.2

タイトル読み

Siチュウ ニ イオン チュウニュウ サレタ As および Sb ノ サンカマク カイメン パイル アップ ゲンショウ ノ カイメイ

大学図書館所蔵 件 / 1

この図書・雑誌をさがす

注記

課題番号: 09650358

研究代表者: 芝原健太郎(広島大学ナノデバイス・システム研究センター助教授)

研究分担者: 横山新

参考文献あり

関連文献: 1件中  1-1を表示

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BB29090538
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    [東広島]
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
ページトップへ