省エネデバイスの本命!SiC/GaNデバイスの市場がR&Dレベルから本格市場形成のステージへ

著者

• 富士経済 フジ ケイザイ

書誌事項

省エネデバイスの本命!SiC/GaNデバイスの市場がR&Dレベルから本格市場形成のステージへ

大阪マーケティング本部第二事業部調査・編集

（次世代パワーデバイス&パワエレ関連機器市場の現状と将来展望 / 大阪マーケティング本部第二事業部調査・編集）

富士経済, 2013.9

• 2013年版

タイトル読み

ショウエネ デバイス ノ ホンメイ!SiC/GaN デバイス ノ シジョウ ガ R&D レベル カラ ホンカク シジョウ ケイセイ ノ ステージ エ

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BB29216170
• ISBN:
  • 9784834916393
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 314p
• 大きさ: 30cm
• 分類:
  • NDLC : DL475
  • NDC9 : 549.8
• 件名:
  • NDLSH : パワーデバイス
  • NDLSH : パワーエレクトロニクス
• 親書誌ID:
  • BB1473989X