次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 : Siから新材料への新展開

Author(s)

• 田中, 保宣 タナカ, ヤスノリ

Bibliographic Information

次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 : Siから新材料への新展開

田中保宣監修

（設計技術シリーズ）

科学情報出版, 2021.1

Other Title

Basic understanding of next generation power semiconductor device and packaging technology : recent progress in silicon and new materials for power electronics

パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 : 次世代

次世代パワー半導体デバイス実装技術の基礎

Title Transcription

ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス ジッソウ ギジュツ ノ キソ : Si カラ シンザイリョウ エノ シンテンカイ

Description and Table of Contents

Table of Contents

• 第１章　パワーデバイスの基礎
• 第２章　ＳｉＣパワーデバイス
• 第３章　ＧａＮパワーデバイス
• 第４章　Ｇａ２Ｏ３パワーデバイス
• 第５章　ダイヤモンドパワーデバイス
• 第６章　ワイドバンドギャップ半導体のための実装技術

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Details

• NCID: BC05342087
• ISBN:
  • 9784904774953
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: つくば
• Pages/Volumes: x, 279p
• Size: 21cm
• Classification:
  • NDC9 : 549.8
  • NDC10 : 549.8
  • NDLC : ND371
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体
  • BSH : パワーエレクトロニクス
  • NDLSH : パワーデバイス
• Parent Bibliography ID:
  • BB11373521