Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for si-based CMOS 6 : new materials, processes, and equipment

著者

    • Gusev, E. P.

書誌事項

Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for si-based CMOS 6 : new materials, processes, and equipment

editors, E.P. Gusev ... [et al.]

(ECS transactions, v. 28, no.1)

Electrochemical Society, c2010

  • : hardcover

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BC12706988
  • ISBN
    • 9781566777919
  • 出版国コード
    us
  • タイトル言語コード
    eng
  • 本文言語コード
    eng
  • 出版地
    Pennington, N.J.
  • ページ数/冊数
    x, 412 p.
  • 大きさ
    23 cm
  • 親書誌ID
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