パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術
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パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術
（設計技術シリーズ）
科学情報出版, 2024.2
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SiC power semiconductor devices for power electronics engineers : state-of-the-art device and assembly technologies that achieve high reliability
SiCパワー半導体デバイス : パワエレ技術者のための
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パワエレ ギジュツシャ ノ タメ ノ SiC パワー ハンドウタイ デバイス : コウシンライセイ オ ジツゲンスル ソシ ト ジッソウ ギジュツ
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参考文献: 各章末
Description and Table of Contents
Description
豊富な図でわかりやすく解説。
Table of Contents
- 第１章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス（インバータ回路の種類；パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか）
- 第２章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展（開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス；シリコンＭＯＳＦＥＴ・ＩＧＢＴを支える最新技術 ほか）
- 第３章 ＳｉＣパワー半導体デバイスの進展（ＳｉＣパワー半導体デバイス優位点のおさらい；ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴかＳｉＣ ＩＧＢＴか ほか）
- 第４章 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ破壊耐量（安全動作領域；負荷短絡耐量 ほか）
- 第５章 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ実装技術（必要となる要素技術；ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴパッケージ内に取り込まれた要素技術）
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