パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術
Author(s)
Bibliographic Information
パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術
(設計技術シリーズ)
科学情報出版, 2024.2
- Other Title
-
SiC power semiconductor devices for power electronics engineers : state-of-the-art device and assembly technologies that achieve high reliability
SiCパワー半導体デバイス : パワエレ技術者のための
- Title Transcription
-
パワエレ ギジュツシャ ノ タメ ノ SiC パワー ハンドウタイ デバイス : コウシンライセイ オ ジツゲンスル ソシ ト ジッソウ ギジュツ
Available at 14 libraries
  Aomori
  Iwate
  Miyagi
  Akita
  Yamagata
  Fukushima
  Ibaraki
  Tochigi
  Gunma
  Saitama
  Chiba
  Tokyo
  Kanagawa
  Niigata
  Toyama
  Ishikawa
  Fukui
  Yamanashi
  Nagano
  Gifu
  Shizuoka
  Aichi
  Mie
  Shiga
  Kyoto
  Osaka
  Hyogo
  Nara
  Wakayama
  Tottori
  Shimane
  Okayama
  Hiroshima
  Yamaguchi
  Tokushima
  Kagawa
  Ehime
  Kochi
  Fukuoka
  Saga
  Nagasaki
  Kumamoto
  Oita
  Miyazaki
  Kagoshima
  Okinawa
  Korea
  China
  Thailand
  United Kingdom
  Germany
  Switzerland
  France
  Belgium
  Netherlands
  Sweden
  Norway
  United States of America
Search this Book/Journal
Note
参考文献: 各章末
Description and Table of Contents
Description
豊富な図でわかりやすく解説。
Table of Contents
- 第1章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス(インバータ回路の種類;パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか)
- 第2章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展(開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス;シリコンMOSFET・IGBTを支える最新技術 ほか)
- 第3章 SiCパワー半導体デバイスの進展(SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい;SiC MOSFETかSiC IGBTか ほか)
- 第4章 SiC MOSFET破壊耐量(安全動作領域;負荷短絡耐量 ほか)
- 第5章 SiC MOSFET実装技術(必要となる要素技術;SiC MOSFETパッケージ内に取り込まれた要素技術)
by "BOOK database"