パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術

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パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術

岩室憲幸著

(設計技術シリーズ)

科学情報出版, 2024.2

Other Title

SiC power semiconductor devices for power electronics engineers : state-of-the-art device and assembly technologies that achieve high reliability

SiCパワー半導体デバイス : パワエレ技術者のための

Title Transcription

パワエレ ギジュツシャ ノ タメ ノ SiC パワー ハンドウタイ デバイス : コウシンライセイ オ ジツゲンスル ソシ ト ジッソウ ギジュツ

Note

参考文献: 各章末

Description and Table of Contents

Description

豊富な図でわかりやすく解説。

Table of Contents

  • 第1章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス(インバータ回路の種類;パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか)
  • 第2章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展(開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス;シリコンMOSFET・IGBTを支える最新技術 ほか)
  • 第3章 SiCパワー半導体デバイスの進展(SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい;SiC MOSFETかSiC IGBTか ほか)
  • 第4章 SiC MOSFET破壊耐量(安全動作領域;負荷短絡耐量 ほか)
  • 第5章 SiC MOSFET実装技術(必要となる要素技術;SiC MOSFETパッケージ内に取り込まれた要素技術)

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