パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術
著者
書誌事項
パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術
(設計技術シリーズ)
科学情報出版, 2024.2
- タイトル別名
-
SiC power semiconductor devices for power electronics engineers : state-of-the-art device and assembly technologies that achieve high reliability
SiCパワー半導体デバイス : パワエレ技術者のための
- タイトル読み
-
パワエレ ギジュツシャ ノ タメ ノ SiC パワー ハンドウタイ デバイス : コウシンライセイ オ ジツゲンスル ソシ ト ジッソウ ギジュツ
大学図書館所蔵 件 / 全21件
-
該当する所蔵館はありません
- すべての絞り込み条件を解除する
この図書・雑誌をさがす
注記
参考文献: 各章末
内容説明・目次
内容説明
豊富な図でわかりやすく解説。
目次
- 第1章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス(インバータ回路の種類;パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか)
- 第2章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展(開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス;シリコンMOSFET・IGBTを支える最新技術 ほか)
- 第3章 SiCパワー半導体デバイスの進展(SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい;SiC MOSFETかSiC IGBTか ほか)
- 第4章 SiC MOSFET破壊耐量(安全動作領域;負荷短絡耐量 ほか)
- 第5章 SiC MOSFET実装技術(必要となる要素技術;SiC MOSFETパッケージ内に取り込まれた要素技術)
「BOOKデータベース」 より