超LSI共同研究所とその波及 : 日本半導体製造装置・材料を世界一にしたプロジェクト

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超LSI共同研究所とその波及 : 日本半導体製造装置・材料を世界一にしたプロジェクト

超LSI共同研究所元所員著

丸善プラネット, 2025.3 , 丸善出版(発売)

タイトル別名

超LSI共同研究所とその波及 : 日本半導体製造装置材料を世界一にしたプロジェクト

タイトル読み

チョウLSI キョウドウ ケンキュウジョ ト ソノ ハキュウ : ニホン ハンドウタイ セイゾウ ソウチ ザイリョウ オ セカイイチ ニ シタ プロジェクト

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注記

表現種別: テキスト (ncrcontent), 機器種別: 機器不用 (ncrmedia), キャリア種別: 冊子 (ncrcarrier)

監修: 垂井康夫

内容説明・目次

内容説明

超LSI共同研究所は1975年からの4年間、将来の超LSIを作る基礎的共通的な製造装置の開発を行い、1980年3月に任務を終えて解散した。開発された製造装置は、研究組合の構成会社である、富士通、日立、三菱、日電、東芝の各社に納入された。その後5社が競ってこれらを使用し、半導体素子の生産を行い、その結果、半導体デバイスの日本のシェアが急増して50%を超える事になる。その間、対米対策の不備から、米国の安全保障という壁によって反発され、「日本で使うICの20%を輸入品(当時米国製)とする」、「日本の輸出価額は米国が決める」という日米半導体協定を結ばされ、日本のシェアは下がって行くのである。しかし、半導体製造装置は健在で、世界市場シェアの多くを占めている。

目次

  • 序論―日本の半導体は世界シェア50%を得た後、なぜ下降を辿ったのか
  • 1章 超LSI共同研究所の設立前夜とその成果
  • 2章 電子線源と電子光学系
  • 3章 微細電子線描画・検査技術とその変遷
  • 4章 可変成形ビームベクタースキャン型電子ビーム描画装置
  • 5章 汎用型電子線描画技術とその周辺技術の開発
  • 6章 結晶技術
  • 7章 クリーン技術と露光技術
  • 8章 デバイス基礎技術および試験評価基礎技術

「BOOKデータベース」 より

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