超高速MOSデバイス
著者
書誌事項
超高速MOSデバイス
(超高速ディジタルデバイス・シリーズ / 菅野卓雄監修, 2)
培風館, 1986.2
- タイトル読み
-
チョウコウソク MOS デバイス
電子リソースにアクセスする 全1件
-
限定公開
大学図書館所蔵 全101件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
この図書・雑誌をさがす
注記
監修: 菅野卓雄
参考文献: 各章末
内容説明・目次
内容説明
本書は,超ISI,超々LSIの中心技術であるMOSデバイスについて,超高速化,高性能化の観点に立って,基本事項から応用に致る広範な内容を体系的に,かつ詳細に記述した総合的解説書である。東芝の研究技術陣が,最先端の技術と知識を含め,徹底的に解説している。MOSデバイスの基本思想,歴史的発展の概観からはじめ,基礎となる動作理論,物理的性質を述べる。サブミクロン領域への挑戦も含んだプロセス技術,CAD技術,論理およびメモリ回路の基本から高速化をめざした具体的回路設計の例まで数多くのデータと図を用いて説明する。特にMOSデバイスの高速化を,単に単体デバイスあるいは回路要素のみでなく,システムレベルでの高速化,高性能化という視点に立って解説する。最後に3次元LSIなど,将来動向と課題について考察する。
目次
- MOSデバイスの基礎と物理
- 基本プロセス技術
- MOSデバイスのプロセス構成法
- シュミレーション技術
- MOS論理デバイス
- MOSメモリデバイス
- MOSデバイスの将来動向と課題
「BOOKデータベース」 より