超高速MOSデバイス
Author(s)
Bibliographic Information
超高速MOSデバイス
(超高速ディジタルデバイス・シリーズ / 菅野卓雄監修, 2)
培風館, 1986.2
- Title Transcription
-
チョウコウソク MOS デバイス
Access to Electronic Resource 1 items
-
-
超高速ディジタルデバイス・シリーズ
2 1986
Limited -
超高速ディジタルデバイス・シリーズ
Available at 101 libraries
  Aomori
  Iwate
  Miyagi
  Akita
  Yamagata
  Fukushima
  Ibaraki
  Tochigi
  Gunma
  Saitama
  Chiba
  Tokyo
  Kanagawa
  Niigata
  Toyama
  Ishikawa
  Fukui
  Yamanashi
  Nagano
  Gifu
  Shizuoka
  Aichi
  Mie
  Shiga
  Kyoto
  Osaka
  Hyogo
  Nara
  Wakayama
  Tottori
  Shimane
  Okayama
  Hiroshima
  Yamaguchi
  Tokushima
  Kagawa
  Ehime
  Kochi
  Fukuoka
  Saga
  Nagasaki
  Kumamoto
  Oita
  Miyazaki
  Kagoshima
  Okinawa
  Korea
  China
  Thailand
  United Kingdom
  Germany
  Switzerland
  France
  Belgium
  Netherlands
  Sweden
  Norway
  United States of America
Search this Book/Journal
Note
監修: 菅野卓雄
Description and Table of Contents
Description
本書は,超ISI,超々LSIの中心技術であるMOSデバイスについて,超高速化,高性能化の観点に立って,基本事項から応用に致る広範な内容を体系的に,かつ詳細に記述した総合的解説書である。東芝の研究技術陣が,最先端の技術と知識を含め,徹底的に解説している。MOSデバイスの基本思想,歴史的発展の概観からはじめ,基礎となる動作理論,物理的性質を述べる。サブミクロン領域への挑戦も含んだプロセス技術,CAD技術,論理およびメモリ回路の基本から高速化をめざした具体的回路設計の例まで数多くのデータと図を用いて説明する。特にMOSデバイスの高速化を,単に単体デバイスあるいは回路要素のみでなく,システムレベルでの高速化,高性能化という視点に立って解説する。最後に3次元LSIなど,将来動向と課題について考察する。
Table of Contents
- MOSデバイスの基礎と物理
- 基本プロセス技術
- MOSデバイスのプロセス構成法
- シュミレーション技術
- MOS論理デバイス
- MOSメモリデバイス
- MOSデバイスの将来動向と課題
by "BOOK database"