半導体イオン注入技術

著者

• 蒲生, 健次 ガモウ, ケンジ

書誌事項

半導体イオン注入技術

蒲生健次編著

（集積回路プロセス技術シリーズ）

産業図書, 1986.7

タイトル読み

ハンドウタイ イオン チュウニュウ ギジュツ

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• 半導体イオン注入技術

  1986

  NDLデジタルコレクション

  限定公開

注記

各章末:参考文献

内容説明・目次

目次

• １　序論
• ２　イオン注入の基礎過程
• ３　照射損傷とアニール効果（Ｓｉ）
• ４　照射損傷とアニール効果（化合物半導体）５　デバイス応用
• ６　デバイスへの応用（化合物半導体）
• ７　イオン注入装置

「BOOKデータベース」 より

• NII書誌ID(NCID): BN00623257
• ISBN:
  • 4782856245
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 212p
• 大きさ: 22cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
  • NDLC : ND371
• 件名:
  • NDLSH : 半導体
• 親書誌ID:
  • BN00597860