半導体デバイスのモデリング : 物理モデルと素子特性の解析
著者
書誌事項
半導体デバイスのモデリング : 物理モデルと素子特性の解析
現代工学社, 1988.4
- タイトル別名
-
Introduction to semiconductor device modelling
- タイトル読み
-
ハンドウタイ デバイス ノ モデリング : ブツリ モデル ト ソシ トクセイ ノ カイセキ
大学図書館所蔵 全79件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
この図書・雑誌をさがす
内容説明・目次
内容説明
本書はデバイスの物理モデルを理解し、それを数式化し、いかに解くかということに重点をおいた入門書である。
目次
- 第1章 序論
- 第2章 半導体中のキャリア輸送方程式
- 第3章 半導体基本方程式の解法—解析モデル
- 第4章 半導体方程式の数値的解法—有限差分法
- 第5章 半導体方程式の数値解法—有限要素法
- 第6章 半古典法な輸送方程式—ホットエレクトロン効果
- 第7章 ヘテロ接合素子のシミュレーション
- 第8章 モンテカルロ法
- 第9章 量子力学的効果—量子輸送理論入門
- 付録 電流連続の式の数値解法
「BOOKデータベース」 より