超LSIレジストの分子設計

著者

• 津田, 穣 ツダ, ミノル

書誌事項

超LSIレジストの分子設計

津田穣著

（表面・薄膜分子設計シリーズ / 日本表面科学会編, 11）

共立出版, 1990.4

タイトル読み

チョウ LSI レジスト ノ ブンシ セッケイ

注記

文献: p [110]-113

内容説明・目次

目次

• 序章　なぜ、レジストの研究をするのか？
• 第１章　超ＬＳＩレジストの要件
• 第２章　オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
• 第３章　ネガ型レジストの分子設計
• 第４章　高感度化の分子設計
• 第５章　ドライ現象のためのレジストの分子設計
• 第６章　解像力向上技術

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BN04656779
• ISBN:
  • 4320085116
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: v, 117p
• 大きさ: 19cm
• 分類:
  • NDC7 : 549.8
  • NDC8 : 549.7
  • NDC8 : 578.4
  • NDLC : PA441
• 件名:
  • BSH : 集積回路
  • BSH : 工業材料
  • BSH : 薄膜
  • NDLSH : 感光性樹脂
  • NDLSH : 集積回路
• 親書誌ID:
  • BN02433784