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シリコン系ヘテロデバイス

古川静二郎, 雨宮好仁編著

丸善, 1991.7

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シリコンケイ ヘテロ デバイス

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Note

各章末:文献

Description and Table of Contents

Description

本書は、ヘテロ構造によるSi系デバイスの高性能化を目標に、そのための基礎理論からヘテロ材料・製造プロセス・最新のデバイス特性にいたるまでを詳述したものである。近年の半導体デバイス・集積回路のめざましい進歩は、シリコンに負うところが非常に大きく、その状況は今後も変わらないと考えられ、シリコンの枠内で新しい分野を開拓することが強く望まれている。本書はそのような観点でまとめられた初めてのものであり、Si系デバイスの研究者・技術者にとって格好の書である。

Table of Contents

  • 第1章 シリコン系ヘテロ接合デバイスの意義と研究動向
  • 第2章 半導体ヘテロ接合の性質
  • 第3章 シリコンバイポーラトランジスタの高速化
  • 第4章 シリコンヘテロ材料に要求される性質
  • 第5章 SiCヘテロエミッタ
  • 第6章 非晶質半導体系ヘテロエミッタ
  • 第7章 シリコン酸化物ヘテロエミッタ
  • 第8章 Si‐Ge系ヘテロ構造
  • 第9章 バンドギャップ縮小効果と擬似ヘテロ接合デバイス
  • 第10章 新しいヘテロ材料の可能性とその展望
  • 第11章 GaAs系HBTの最近の進歩

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Details

  • NCID
    BN06561287
  • ISBN
    • 4621036114
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    xi,311p
  • Size
    22cm
  • Classification
  • Subject Headings
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