有機金属気相成長法によるワイドギャップ化合物半導体の原子層エピタキシーの研究

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有機金属気相成長法によるワイドギャップ化合物半導体の原子層エピタキシーの研究

研究代表者尾鍋研太郎

尾鍋研太郎, 1992

Title Transcription

ユウキ キンゾク キソウ セイチョウホウ ニ ヨル ワイドギャップ カゴウブツ ハンドウタイ ノ ゲンシソウ エピタキシー ノ ケンキュウ

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Note

研究分担者: 伊藤良一, 白木靖寛,深津晋[等]

平成3年度科学研究費補助金(一般研究B)研究成果報告書(研究課題番号01460071)

Details

  • NCID
    BN08443430
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    engjpn
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    54p
  • Size
    26cm
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