in-situ光堆積法によるInPMIS電界効果トランジスタ用ゲート絶縁膜の研究

書誌事項

in-situ光堆積法によるInPMIS電界効果トランジスタ用ゲート絶縁膜の研究

研究代表者菅野卓雄

菅野卓雄, 1992

タイトル読み

in-situ ヒカリ タイセキホウ ニ ヨル InPMIS デンカイ コウカ トランジスタヨウ ゲート ゼツエンマク ノ ケンキュウ

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注記

平成3年度科学研究費補助金(一般研究B)研究成果報告書(研究課題番号01460135)

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BN08443725
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [東京]
  • ページ数/冊数
    41p
  • 大きさ
    26cm
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