in-situ光堆積法によるInPMIS電界効果トランジスタ用ゲート絶縁膜の研究

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in-situ光堆積法によるInPMIS電界効果トランジスタ用ゲート絶縁膜の研究

研究代表者菅野卓雄

菅野卓雄, 1992

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in-situ ヒカリ タイセキホウ ニ ヨル InPMIS デンカイ コウカ トランジスタヨウ ゲート ゼツエンマク ノ ケンキュウ

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Note

平成3年度科学研究費補助金(一般研究B)研究成果報告書(研究課題番号01460135)

Details

  • NCID
    BN08443725
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    41p
  • Size
    26cm
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