格子定数差の大きいヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術の開発

著者

• 西永, 頌 ニシナガ, タタウ

書誌事項

格子定数差の大きいヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術の開発

研究代表者西永頌

西永頌, 1993

タイトル読み

コウシ テイスウサ ノ オオキイ ヘテロエピタキシー ニ オケル ムテンイ ケッショウ セイチョウ ギジュツ ノ カイハツ

注記

研究分担者 : 田中雅明,寺崎隆一,坂輪盛一

平成4年度科学研究費補助金(試験研究(B)(1))研究成果報告書(研究課題番号02555057)

収録内容

• MBE成長法とその初期過程
• 二段階MBE成長法と欠陥低減化
• 原子間力顕微鏡(AFM)による表面平坦性の評価
• LPE-ELO/MBE法によるSi基板上GaAs層の無転位化

• NII書誌ID(NCID): BN09664978
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [東京]
• ページ数/冊数: 30p
• 大きさ: 26cm