格子定数差の大きいヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術の開発

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格子定数差の大きいヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術の開発

研究代表者西永頌

西永頌, 1993

Title Transcription

コウシ テイスウサ ノ オオキイ ヘテロエピタキシー ニ オケル ムテンイ ケッショウ セイチョウ ギジュツ ノ カイハツ

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Note

研究分担者 : 田中雅明,寺崎隆一,坂輪盛一

平成4年度科学研究費補助金(試験研究(B)(1))研究成果報告書(研究課題番号02555057)

Contents of Works

  • MBE成長法とその初期過程
  • 二段階MBE成長法と欠陥低減化
  • 原子間力顕微鏡(AFM)による表面平坦性の評価
  • LPE-ELO/MBE法によるSi基板上GaAs層の無転位化

Details

  • NCID
    BN09664978
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    30p
  • Size
    26cm
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