超高真空走査電顕による半導体上の金属エピタクシー過程の原子像観察と局所解析
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超高真空走査電顕による半導体上の金属エピタクシー過程の原子像観察と局所解析
井野正三, 1994
- タイトル読み
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チョウコウシンクウ ソウサ デンケン ニヨル ハンドウタイジョウ ノ キンゾク エピタクシー カテイ ノ ゲンシゾウ カンサツ ト キョクショ カイセキ
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注記
平成4-5年度科学研究費補助金(一般研究B)研究成果報告書
研究課題番号: 04452035
研究分担者: 長谷川修司, 霜越文夫
収録内容
- Glancing angle dependence of the X-ray emission measured under total reflection angle X-ray spectroscopy (TRAXS) condition during Reflection High Energy Electron Diffraction Observation / Toshio Yamanaka[ほか]
- Grazing exit X-ray fluorescence spectroscopy for thin-film analysis / Takashi Noma[ほか]
- Reflection high-energy electron diffraction study of the growth of Ge on the Ge(111) surface / Katsuyuki Fukutani[ほか]
- In situ observation of the growth process of the InAs-GaAs heteroepitaxial system using scanning microprobe reflection high energy electron diffraction-total reflection angle X-ray spectroscopy / S. Shimizu[ほか]
- Epitaxial growth of metals on Si and Ge investigated by Rheed-Traxs and UHV-SEM / Shozo Ino[ほか]
- Competitive kinetic processes during homoepitaxial growth on Ge(111) / T. Yokotsuka[ほか]
- Hysteresis in phase transitions at clean and Au-covered Si(111) surfaces / Shuuji Hasegawa[ほか]
- Incorporation and diffusion kinetics during epitaxial growth on Ge(111) / T. Yokotsuka
- Observation of the Ag/Si(111) system using a high-resolution ultra-high vacuum scanning electron microscope / Akira Endo and Shozo Ino
- Observations of the Au/Si(111) system with a high-resolution ultrahigh-vacuum scanning electron microscope / Akira Endo and Shozo Ino
