半導体界面でサイト制御された不純物挿入層の電子状態と、バンド不連続量制御への応用

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半導体界面でサイト制御された不純物挿入層の電子状態と、バンド不連続量制御への応用

研究代表者斎藤敏夫

斎藤敏夫, 1995.3

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ハンドウタイ カイメン デ サイト セイギョ サレタ フジュンブツ ソウニュウソウ ノ デンシ ジョウタイ ト バンド フレンゾクリョウ セイギョ エ ノ オウヨウ

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Note

平成6年度科学研究費補助金(一般研究C)研究成果報告書,研究課題番号05650023

Contents of Works

  • Band discontinuity and effects of Si-insertion layer at ( 311 ) A GaAs/AlAs interface
  • Band discontinuity at the ( 311 ) a GaAs/AlAs interface and possibility of its control by Si insertion layers
  • Band discontinuity in GaAs/AlAs superlattices with InAs strained insertion-layers
  • Artificial control of heterojunction band discontinuities by two delta dopings
  • (311)A GaAs/AlAsヘテロ界面のバンド不連続量の人工的制御

Details

  • NCID
    BN14668672
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    iii,52p
  • Size
    26cm
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