田中 國昭 TANAKA Kuniaki

ID:1000010015042

千葉大学工学部 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Chiba University (2002年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 86

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  • Fabrication and Characterization of Alternately Multilayered Films Consisting of Organic Ultrathin Layer Using Self-Assembly and Spin-Coating Method  [in Japanese]

    NISHIMURA Haruka , IIZUKA Masaaki , KUNIYOSHI Shigekazu , NAKAMURA Masakazu , KUDO Kazuhiro , TANAKA Kuniaki

    Copper phtalocyanine tetra sulfonic acid, tetra sodium salt(CuPcSAS)とpolyaniline(PA)を用いた有機超薄膜交互構造を,自己組織化法及び自己組織化スピンコート法を用いて作製した.等温吸着特性・時間吸着特性の測定及び原子間力顕微鏡(AFM)を用いた観察により,各層は,十分に薄く平たんであり,密に単分子吸着していることがわか …

    The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C 85(12), 1057-1063, 2002-12-01

    References (9)

  • A Novel Hybrid Opto-Electronic Integrated Systems by Textile Structures II : The example of circuit composition  [in Japanese]

    Kuniyoshi Shigekazu , Tanaka Kuniaki

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2002年_エレクトロニクス(2), 74, 2002-08-20

  • A Novel Hybrid Opto-Electronic Integrated Systems by Textile Structures I : The Basic Concept  [in Japanese]

    Tanaka Kuniaki

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2002年_エレクトロニクス(2), 73, 2002-08-20

  • Thermally stimulated current of pentacene evaporated films  [in Japanese]

    KUNIYOSHI Shigekazu , WATANABE Masatoshi , IIZUKA Msaaki , NAKAMURA Masakazu , KUDO Kazuhiro , TANAKA Kuniaki

    本稿では、高い移動度が報告され、種々有機デバイスへの応用が期待されているペンタセン蒸着膜の局在準位評価を電流の温度特性、電流-電圧特性および熱刺激電流(TSC)測定により行った結果について報告する。

    Technical report of IEICE. OME 102(47), 19-23, 2002-05-08

    References (2)

  • Fabrication of Organic Nano-SIT Using Conductive AFM Cantilevers  [in Japanese]

    MURAISHI N. , NAKAMURA M. , IIZUKA M. , KUDO K. , TANAKA K.

    有機静電誘導トランジスタ(SIT)において、ゲート電極作製の際にLATEX球を蒸着マスクとして用い、ソース電極に導電性AFM探針を用いる事により、ナノスケールで動作する素子の作製を行った。LATEX球の付着条件を最適化し、ナノスケールの空隙を多数有するゲート電極の作製方法を確立した。作製した試料のSIT特性を測定したところ、I_<D-S> がV_G により変調されるなどナノスケールでの …

    Technical report of IEICE. OME 102(47), 13-17, 2002-05-08

    References (4)

  • Electrical characterization of organic EL materials by in-situ field effect measurements  [in Japanese]

    OCHIAI T. , IIZUKA M. , KUNIYOSHI S. , NAKAMURA M. , KUDO K. , TANAKA K.

    有機EL素子に用いられる数種類の正孔輸送材料(TPD, α-NPD, -MTDATA)蒸着膜の電気物性量を、その場(in-situ)電界効果測定法により評価した。測定した正孔輸送層はp型半導体的性質を示し、導電率、キャリア移動度、キャリア濃度の電気物性値が求められた。また酸素ガスや大気がm-MTDATA蒸着膜に与える影響や、成長時基板温度による電気物性値の変化についても調べた結果、各材料においてガ …

    Technical report of IEICE. OME 101(408), 19-23, 2001-11-08

    References (4)

  • Fabrication of Conductive Molecular Wire Using Ionization-Assisted Evaporation Method  [in Japanese]

    IIZUKA Masaaki , KUDO Kazuhiro , KUNIYOSHI Shigekazu , TANAKA Kuniaki

    IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials 121(7), 628-633, 2001-07-01

    J-STAGE  References (7)

  • Fabrication of ultrathin film FET using charge-transfer-complex LB films  [in Japanese]

    Sakuma H. , Iizuka M. , Nakamura M. , Kudo K. , Tanaka K.

    電荷移動錯体TMPD-C_<15>TCNQ吸着LB膜を用いた超薄膜FETを作製した。錯体膜の作製に後吸着LB法を用いることで吸着状態の制御が可能となることが期待され、それに伴う素子特性の向上が見込める。また、作製条件によってY膜、Z膜が作製でき、それぞれの素子においてソースードレイン電流のゲート電圧依存性は異なっていた。この結果から、素子特性変化がY膜とZ膜の異なる積層構造に起因するも …

    Technical report of IEICE. OME 101(39), 41-45, 2001-05-11

  • Hybrid organic light emitting transistor  [in Japanese]

    IKEGAMI K. , IIZUKA M. , NAKAMURA M. , KUDO K. , TANAKA K.

    有機EL素子の正孔輸送層中にゲートAl電極を埋め込むことでSIT(静電誘導トランジスタ)とした複合型有機発光トランジスタの動作確認を行った。また、積層順が通常構造と逆構造の2種類の素子を作製し、電流-電圧測定、輝度-電圧測定を行った結果、逆構造複合型素子において、ゲート電極による発光の遮りの問題が回避されることが明らかとなった。今後、ゲード電極と有機膜層の最適化によって発光効率及び輝度制御性を改善 …

    Technical report of IEICE. OME 100(651), 1-5, 2001-03-02

    References (4)

  • Hybrid organic light emitting transistor  [in Japanese]

    IKEGAMI K. , IIZUKA M. , NAKAMURA M. , KUDO K. , TANAKA K.

    有機EL素子の正孔輸送層中にゲートAl電極を埋め込むことでSIT(静電誘導トランジスタ)とした複合型有機発光トランジスタの動作確認を行った。また、積層順が通常構造と逆構造の2種類の素子を作製し、電流-電圧測定、輝度-電圧測定を行った結果、逆構造複合型素子において、ゲート電極による発光の遮りの問題が回避されることが明らかとなった。今後、ゲード電極と有機膜層の最適化によって発光効率及び輝度制御性を改善 …

    IEICE technical report. Electronic information displays 100(650), 1-5, 2001-03-02

    References (4)

  • Hybrid organic light emitting transistor  [in Japanese]

    Ikegami K. , Iizuka M. , Nakamura M. , Kudo K. , Tanaka K.

    有機EL素子の正孔輸送層中にゲートAl電極を埋め込むことでSIT(静電誘導トランジスタ)とした複合型有機発光トランジスタの動作確認を行った。また、積層順が通常構造と逆構造の2種類の素子を作製し、電流-電圧測定、輝度-電圧測定を行った結果、逆構造複合型素子において、ゲート電極による発光の遮りの問題が回避されることが明らかとなった。今後、ゲート電極と有機膜層の最適化によって発光効率及び輝度制御性を改善 …

    ITE Technical Report 25.23(0), 1-5, 2001

    J-STAGE  References (4)

  • Local area characterization of evaporated charge-transfer-complex films with STS  [in Japanese]

    OIKE H. , IIZUKA M. , KUNIYOSHI S. , NAKAMURA M. , KUDO K. , TANAKA K.

    代表的な電荷移動錯体であるTTF-TCNQ蒸着膜について、STM及びSTS測定を行い、表面グレイン形状の違いとトンネルスペクトルとの関連を調べた。その結果、異なる形状のグレインではトンネルスペクトルも異なっていることが確認された。一方、TTF-TCNQのバルクの性質として報告されている金属的な性質とは異なるスペクトルが得られやすいことも確認された。試料を窒素中60℃で1.5時間アニールすることによ …

    Technical report of IEICE. OME 100(400), 7-12, 2000-10-20

    References (5)

  • Optical Fiber Biosensor Using Adsorption LB Films  [in Japanese]

    KUDO Kazuhiro , IIZUKA Masaaki , KUNIYOSHI Shigekazu , TANAKA Kuniaki

    本研究では、光ファイバ上吸着LB膜を用いて血液中でのグルコースの定量検査が可能なバイオセンサの開発を目指し、その基礎的特性を調べた。人体内でグルコースの分解を行う酵素であるグルコースオキシダーゼ(GOD)を用いた吸着LB膜を光ファイバのコア部分に累積させ、血液中のヘモグロビンとGOD活性により発生するH_2O_2による光吸収スペクトル変化を調べた。その結果、このセンサのグルコースに対する応答速度と …

    Technical report of IEICE. OME 100(319), 11-16, 2000-09-15

    References (5)

  • Optical Fiber Biosensor Using Adsorption LB Films  [in Japanese]

    KUDO Kazuhiro , IIZUKA Masaaki , KUNIYOSHI Shigekazu , TANAKA Kuniaki

    本研究では、光ファイバ上吸着LB膜を用いて血液中でのグルコースの定量検査が可能なバイオセンサの開発を目指し、その基礎的特性を調べた。人体内でグルコースの分解を行う酵素であるグルコースオキシダーゼ(GOD)を用いた吸着LB膜を光ファイバのコア部分に累積させ、血液中のヘモグロビンとGOD活性により発生するH_2O_2による光吸収スペクトル変化を調べた。その結果、このセンサのグルコースに対する応答速度と …

    IEICE technical report. Electron devices 100(318), 11-16, 2000-09-15

    References (5)

  • Doping effect and conduction mechanism of organic semiconductor evaporated films  [in Japanese]

    NAKANISHI T. , IIZUKA M. , KUNIYOSHI S. , KUDO K. , TANAKA K.

    有機半導体材料として代表的な銅フタロシアニン(CuPc)にTCNQをドーピングした蒸着膜を作製し、in-situ電界効果測定を行った。FET特性からTCNQをドーピングしたCuPc蒸着膜がp型半導体的性質を示し、導電率、キャリア移動度、キャリア濃度を求めた。その結果、無機半導体とは異なる点として、ドープ量が約10%で導電率、キャリア濃度がピークをもつ傾向が見られたとともに、キャリア移動度も増加する …

    Technical report of IEICE. OME 100(286), 55-59, 2000-09-07

    References (4)

  • Electric Filed Oriented TTF-TCNQ Molecular Wire Using Ionization-Assisted Evaporation Method  [in Japanese]

    IIZUKA Masaaki , KUDO Kazuhiro , KUNIYOSHI Shigekazu , TANAKA Kuniaki

    TTF-TCNQ電荷移動錯体結晶は分子間の電荷移動により金属的伝導性を示し、また、双極子モーメントを持つと考えられる。TTF-TCNQ蒸着膜作製中に基板面内で電界を印加し錯体分子の配向制御を試みた結果、基板温度が約40℃の時に細長い結晶グレインが形成できることがわかった。結晶グレイン成長モデルとして帯電した分子を仮定し、そのモデルの確証を得るためにイオン化蒸着法を用いて結晶グレイン成長を観察した。 …

    Technical report of IEICE. OME 100(245), 11-14, 2000-07-21

    References (4)

  • Fabrication of TTF-TCNQ grain network on GaAs substrate  [in Japanese]

    KOIKE S. , IIZUKA M. , KUNIYOSHI S. , KUDO K. , TANAKA K.

    一次元電気伝導性、高導電率という特徴を持つTTF-TCNQ電荷移動錯体を用いてグレインネットワークの作製を試みた。基板はイオン性と原子ステップを持つGaAs-off基板を用いた。成長核となるGaドットはGaAs基板を超高真空中で過剰熱エッチングすることにより形成させた。Gaドロップレットのサイズは基板の熱エッチング条件により制御でき、TTF-TCNQ錯体の自己構築的な成長とドットへの選択成長が確認 …

    Technical report of IEICE. OME 100(48), 53-58, 2000-05-05

    References (5)

  • Fabrication of hybrid organic electroluminescence transistor  [in Japanese]

    IKEGAMI K. , IIZUKA M. , KUNIYOSHI S. , KUDO K. , TANAKA K.

    次世代ディスプレイへの応用が期待されている有機EL素子の駆動方式には検討の必要性があると考え、有機ELと有機SIT(静電誘導トランジスタ)を組み合わせた有機ELトランジスタの作製を試みた。一般的EL構造としての電極/発光層/正孔輸送層/電極の構造をとり、正孔輸送材料のα-NPD層内部にゲートAl電極を埋め込むことでSITとした複合型有機EL素子の電流-電圧測定、輝度-電圧測定を行った結果、ゲート電 …

    Technical report of IEICE. OME 100(48), 47-51, 2000-05-05

    References (4) Cited by (1)

  • Space charge limited current in a copper phthalocyanine static induction transistor  [in Japanese]

    Kuniyoshi S. , Iizuka M. , Kudo K. , Tanaka K.

    Proceedings of the IEICE General Conference 2000年.エレクトロニクス(2), 173, 2000-03-07

  • Donor and Acceptor layered structure FET using TCNQ LB films  [in Japanese]

    FUKAGAWA T. , IIZUKA M. , KUNIYOSHI S. , KUDO K. , TANAKA K.

    ドナー性分子(TTF)とアクセプタ性分子(TCNQ,C_<18>TCNQ)を用いて、蒸着膜のみで作製した素子と1層目にLB膜を用いた素子の2種類の層状構造FETを作製した。蒸着膜のみの素子では、流れる電流は大きく増加するものの、ゲート電圧に対するソース・ドレイン電流の依存性はほとんど見られなかった。それに対し、LB膜を用いた素子では、ゲート電圧に対するソース・ドレイン電流の依存性が確認 …

    Technical report of IEICE. OME 99(472), 43-47, 1999-11-26

    References (4)

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