西澤 潤一 Nishizawa Junichi

ID:1000020006208

上智大学 Sophia University (2010年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 124

  • CW Terahertz Wave Generation with Laser Diode Pumping and Its Applications for High-Resolution Terahertz Spectroscopy  [in Japanese]

    TANABE Tadao , DEZAKI Hikari , RAGAM Srinivasa , OYAMA Yutaka , NISHIZAWA Jun-ichi

    Journal of the Japan Institute of Metals 74(3), 153-157, 2010-03-01

    References (8) Cited by (1)

  • 世界の先端を行くテラヘルツ波光源と分光応用  [in Japanese]

    TANABE Tadao , NISHIZAWA Jun-ichi

    Isotope news (658), 2-6, 2009-02-01

    References (22)

  • Efficient and polarization controlled terahertz-wave generation from GaP waveguide structures  [in Japanese]

    SAITO Kyosuke , NOZAWA Kei , TANABE Tadao , OYAMA Yutaka , SASAKI Tetsuo , NISHIZAWA Jun-ichi

    我々は,GaP結晶中のフォノン・ポラリトンを近赤外光の差周波混合を利用して励起することによりテラヘルツ(THz)波の発生を行っている。その発生効率向上のひとつの方法として、テラヘルツ波の波長サイズのGaP結晶導波路構造におけるTHz波の閉じ込め効果に注目している。THz波導波路構造ではバルク結晶と異なり導波路形状に依存してTHz波の実効的屈折率が変化する。導波路構造の設計によりTHz波特性(発生周 …

    IEICE technical report 108(369), 39-42, 2008-12-12

    References (5)

  • A Trial of Analysis for Commercially Available Medicine by Terahertz Spectroscopy  [in Japanese]

    NISHIZAWA JUN-ICHI , SASAKI TETSUO

    <p>A Terahertz (THz) wave has distinctive characteristics of high transmittance for many objects such as radio waves, and straight advancement such as ordinary light. Vibration spectra of weak i …

    Journal of Pharmaceutical Science and Technology, Japan 68(4), 297-305, 2008-07-01

    J-STAGE  Ichushi Web  References (12)

  • CW THz wave generation implemented with semiconductor laser excitation  [in Japanese]

    TANABE Tadao , RAGAM Srinivasa , OYAMA Yutaka , SASAKI Tetsuo , NISHIZAWA Jun-ichi , SUTO Ken

    我々は光学フォノンを生かしたテラヘルツデバイスを開発している.そのひとつとして半導体レーザを用いるGaPフォノン励起・差周波混合によるテラヘルツ波発生を行っている.本研究では,半導体レーザを励起光源に用いるGaPからのテラヘルツ波発生について,その特性を示し,それらの特性を活かしたアプリケーションを模索する.

    IEICE technical report 107(355), 73-76, 2007-11-20

    References (28)

  • Efficient terahertz-wave generation from GaP waveguide structures  [in Japanese]

    SAITO Kyosuke , NOZAWA Kei , TANABE Tadao , OYAMA Yutaka , KIMURA Tomoyuki , SUTO Ken , SASAKI Tetsuo , NISHIZAWA Jun-ichi

    GaP結晶を用いる近赤外レーザの差周波混合に基づくテラヘルツ(THz)波発生を行っている。その発生効率向上のひどつの方法として、テラヘルツ波の波長サイズのGaP結晶導波路構造におけるTHz波の閉じ込め効果に注目している。THz波導波路構造ではバルク結晶と異なり導波路形状に依存して実効的屈折率が変化する。これは導波路形状の制御によりTHz波特性(発生周波数、発生効率、偏光状態など)を制御できることを …

    IEICE technical report 107(355), 67-72, 2007-11-20

    References (4)

  • Structural Defect Imaging in Timber and Concrete Building Blocks Implemented with Sub-terahertz TUNNETT Oscillator  [in Japanese]

    OYAMA Yutaka , LI Zhen , KAGAYA Munehito , TANABE Tadao , NISHIZAWA Jun-ichi , MAKABE Hiroki , KURABAYASHI Toru

    コンパクトで室温で動作するサブテラヘルツ光源であるタンネット発振器を用いて、木材やコンクリート等の構造物欠陥イメージングを行なった.木材やコンクリート中の亀裂や水の浸潤を安全にイメージングすることが出来、住宅・建築構造物そして道路等の社会基盤の安全・安心に貢献する新たな有力手法の一つであることが示された.

    IEICE technical report 107(355), 57-62, 2007-11-20

    References (12) Cited by (1)

  • Spectrometry and Imaging of Biological Materials in the Region of Terahertz Waves  [in Japanese]

    WATANABE Minro , KURABAYASHI Toru , HIRATSUKA Akira , KIKUCHI Norie , NISHIZAWA Jun-ichi , SAWAI Takashi , DOKI Norihito

    テラヘルツ波の発生,測定装置が簡易型になり、研究室レベルでの利用が可能となった.即ち半導体研究所の西澤・須藤らが半導体GaP結晶を用いた直接方式による周波数アクセスを持つ,単一可変な周波数をもつ装置を開発した.われわれはこのシステムを使用し,生体物質への適用として1)水溶液,または牛血清に溶解したアミノ酸,または糖溶液をメンブレンフィルター上にて乾燥し,透過光による分光,そして画像解析を行った.2 …

    IEICE technical report 107(355), 51-56, 2007-11-20

    References (19)

  • C-14-19 CW Terahertz-wave signal generation with laser diode pumping

    Ragam Srinivasa , Tanabe Tadao , Sasaki Tetsuo , Oyama Yutaka , Suto Ken , Nishizawa Jun-ichi

    Proceedings of the IEICE General Conference 2007年_エレクトロニクス(1), 310, 2007-03-07

  • C-14-18 Fabrication and characterization of GaP photonic crystal for THz-wave application  [in Japanese]

    Saito Kyosuke , Tanabe Tadao , Oyama Yutaka , Suto Ken , Nishizawa Jun-ichi , Sasaki Tetsuo , Kimura Tomoyuki

    Proceedings of the IEICE General Conference 2007年_エレクトロニクス(1), 309, 2007-03-07

  • 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--電子デバイス(TUNNETT)を用いたイメージング技術  [in Japanese]

    西澤 潤一 , 須藤 建 , 倉林 徹

    Technical review, JR East (19), 60-66, 2007

  • 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--GaPテラヘルツ信号発生装置による分光吸収測定技術  [in Japanese]

    西澤 潤一 , 須藤 建 , 佐々木 哲朗

    Technical review, JR East (19), 50-59, 2007

  • Egg-Plant Shape Launching Lens for Hollow THz Waveguide  [in Japanese]

    HIDAKA Takehiko , ISHIKAWA Akihiro , KOJOH Jun-Ichiro , IKARI Tomofumi , ISHIKAWA Yoichi , NISHIZAWA Jun-Ichi , MINAMIDE Hiroaki , ITO Hiromasa

    テラヘルツ用中空導波路にラウンチさせるための「なす型」レンズを開発した.

    The IEICE transactions on electronics C 89(12), 1120-1123, 2006-12-01

    References (9)

  • Development of TUNNETT Diode and Its Applications for Sub-THz Imaging  [in Japanese]

    NISHIZAWA Jun-ichi , KURABAYASHI Toru

    GaAs分子層成長法による低温化した極薄膜多層成長の技法を用いタンネットダイオードを開発し,50-700GHzまでの基本波室温連続発振を実現した.さらに所望の周波数のタンネット発振器を用いた小型サブテラヘルツイメージングシステムを構成し,各物質媒体を透過する周波数を選択し,生体を含む媒質中の特定物質のイメージングと微量物質検出の可能性を検討した.ヒト肝臓癌の組織の透過および反射イメージングでは正常 …

    IEICE technical report 105(629), 17-22, 2006-02-23

    References (17) Cited by (1)

  • 01pB04 GaAs/GaAsSb/GaAs structures grown by the molecular layer epitaxy(NCCG-36)  [in Japanese]

    Sato Shota , Ohno Takeo , Tanabe Tadao , Oyama Yutaka , Nishizawa Jun-ichi

    GaAs/GaAsSb/GaAs structures were epitaxially grown on (100), (111)A, (111)B and (110) S-I GaAs substrate at the same growth run by using the molecular layer epitaxiy (MLE). These structures were evalu …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 33(4), 211, 2006

    J-STAGE 

  • 01pB03 Photocapacitometry analysis of dislocation-induced deep levels in InP ELO layers(NCCG-36)  [in Japanese]

    Sugai Maki , Kimura Toshihiro , Oyama Yutaka , Tanno Takenori , Nishizawa Jun-ichi

    InP ELO layers were formed at the constant growth temperature by LPE. There were dislocation free ELO layer from L-shaped pattern and dislocated ELO layer from facing L-shaped pattern on the same subs …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 33(4), 210, 2006

    J-STAGE 

  • 01aA01 Liquid phase growth of GaSe bulk crystal by temperature difference method and its optical properties in near IR and THz frequency region(NCCG-36)  [in Japanese]

    Sato Fumikazu , Tanabe Tadao , Oyama Yutaka , Kimura Tomoyuki , Suto Ken , Nishizawa Jun-ichi

    GaSe bulk crystal was grown by liquid phase temperature difference method. The crystalline structure and its optical properties were investigated by XRD and near-infrared spectroscopy, respectively. I …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 33(4), 177, 2006

    J-STAGE 

  • 半導体光通信からテラヘルツ応用研究まで (第18回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)  [in Japanese]

    西澤 潤一 , 須藤 建

    SIデバイスシンポジウム講演論文集 (18), 11-18, 2005

  • 17aB03 Area selective epitaxy of InP/Si(100) by liquid phase epitaxy(NCCG-35)  [in Japanese]

    Oyama Yutaka , Sugai Maki , Kochiya Toshio , Nishizawa Jun-ichi

    LPE of InP on Si was attempt by area selective epitaxy and epitaxial lateral overgrowth technique for the reduction of the dislocation density and the lattice strain. The area selective epitaxy was ac …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 32(3), 130, 2005

    J-STAGE 

  • 17aB04 Liquid phase epitaxy of InGaPN(NCCG-35)  [in Japanese]

    Kimura Toshihiro , Hasegawa Yu , Oyama Yutaka , Nishizawa Jun-ichi

    InGaPN layers were formed on InP substrates by using LPE method at the constant growth temperature of 400-600℃. Cross-hatched patterns from the misfit dislocation were observed on InGaPN surface. In t …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 32(3), 131, 2005

    J-STAGE 

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