伊東 謙太郎 ITO Kentaro

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  • 薄膜太陽電池用Cu₂(Sn₁-xGe[x])S₃光吸収層の作製 (電子部品・材料)  [in Japanese]

    小林 純 , ミョー タンテイ , 百瀬 成空 , 伊東 謙太郎 , 橋本 佳男

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(268), 35-39, 2017-10-27

  • Cu₂ZnSnS₄化合物薄膜太陽電池の開発 : プリカーサおよび基板の最適化 (電子部品・材料)  [in Japanese]

    長田 孝幸 , ミョー タンテイ , 百瀬 成空 , 伊東 謙太郎 , 橋本 佳男

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(268), 29-33, 2017-10-27

  • Cu₂ZnSnS₄光吸収層およびⅡ-Ⅵ系バッファ層の界面制御 (電子部品・材料)  [in Japanese]

    蓮池 玲美 , ミョー タンテイ , 百瀬 成空 , 伊東 謙太郎 , 橋本 佳男

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(268), 23-27, 2017-10-27

  • Ga Doping To CuInS_2 Thin Film  [in Japanese]

    GOTO Hiroyuki , KISHIDA Tomotake , OHASHI Tuyoshi , HASHIMOTO Yoshio , ITO Kentaro

    Cu/In/Ga金属積層膜に硫化処理を施しCuInS_2薄膜にGaを添加する効果について調べた。Gaの添加量0.01〜0.1とし、硫化処理の昇温行程を変えた。Ga源には金属GaとGaSを用いた。X線回折により、金属Gaを添加してもCuInS_2の格子定数のままであることがわかった。Ga/(In+Ga)=0.01で金属Gaを加えるとやや結晶性が向上していた。XPSによる深さ分析の結果、膜中Ga分布は …

    IEICE technical report. Component parts and materials 101(395), 31-36, 2001-10-19

    References (8)

  • Properties of CuInS2 thin films sulfurized with sulfur vapor  [in Japanese]

    MAKIBUCHI Daisuke , HASHIMOTO Yoshio , ITO Kentaro

    Cu/In金属積層膜を単体の硫黄を用いて硫化処理を行なうことにより、CuInS_2薄膜を作製した。その物性をX線回折装置、EPMA、SEM等を用いて解析し、従来の硫化水素で硫化した試料との比較を行なった。硫黄を用いて硫化してもCuInS_2薄膜を作製することができた。不純物層はCuSであることが分かり、KCN処理によって取り除く事ができた。硫化後のCu/In比はプリカーサのCu/In比に依存せず、 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 101(395), 27-30, 2001-10-19

    References (2)

  • Performance of Solar Cell  [in Japanese]

    ITO Kentaro

    Journal of Japan Institute of Electronics Packaging 3(2), 158-165, 2000-03-01

    References (12)

  • 化合物薄膜太陽電池(固体物理の応用)  [in Japanese]

    伊東 謙太郎 , 橋本 佳男

    Solid state physics 34(4), 285-292, 1999-04

  • Fabrication of CuInS_2 thin-film solar cells using indium sulfide as a precursor  [in Japanese]

    SHIMOYAMA K. , HASHIMOTO Y. , ITO K.

    従来はCu/In積層膜に硫化処理を施すことによりCuInS_2薄膜の製作を行ってきた。しかし、この膜は基板である Mo との密着性に問題があった。本研究では、In の代わりにIn_2S_3を用いてCuInS_2薄膜の製作を行い基板との密着性の改善をはかった。またこの膜を太陽電池に応用したところ、従来の膜と比較して、変換効率は大差なく(約10%)、F.F.において0.63から最高0.70程度に向上し …

    Technical report of IEICE. SDM 98(63), 93-96, 1998-05-21

    References (2)

  • Fabrication of CuInS_2 thin-film solar cells using indium sulfide as a precursor  [in Japanese]

    SHIMOYAMA K. , HASHIMOTO Y. , ITO K.

    従来はCu/In積層膜に硫化処理を施すことによりCuInS_2薄膜の製作を行ってきた。しかし、この膜は基板であるMoとの密着性に問題があった。本研究では、Inの代わりにIn_2S_3を用いてCuInS_2薄膜の製作を行い基板との密着性の改善をはかった。またこの膜を太陽電池に応用したところ、従来の膜と比較して、変換効率は大差なく(約10%)、F.F.において0.63から最高0.70程度に向上した。さ …

    IEICE technical report. Electron devices 98(59), 93-96, 1998-05-21

    References (2)

  • Fabrication of CuInS_2 thin-film solar cells using indium sulfide as a precursor  [in Japanese]

    SHIMOYAMA K. , HASHIMOTO Y. , ITO K.

    従来はCu/In積層膜に硫化処理を施すことによりCuInS_2薄膜の製作を行ってきた。しかし、この膜は基板であるMoとの密着性に問題があった。本研究では、Inの代わりにIn_2S_3を用いてCuInS_2薄膜の製作を行い基板との密着性の改善をはかった。またこの膜を太陽電池に応用したところ、従来の膜と比較して、変換効率は大差なく(約10%)、F.F.において0.63から最高0.70程度に向上した。さ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 98(61), 93-96, 1998-05-21

    References (2)

  • Chalcopyrite Alloy Thin Films and Their Application to Solar Cells  [in Japanese]

    OHASHI T. , WAKAMORI M. , INAKOSHI K. , HASHIMOTO Y. , ITO K.

    CuInS_2薄膜をセレン化することにより、CuIn (S_xSe_<1-x>)_2混晶薄膜を作製した。セレン化は、CuInS_2上にSeを蒸着して得られる積層膜を真空中で熱処理することにより行った。このCuIn (S_xSe_<1-x>)_2薄膜のS/(S+Se) 比は、セレン化を行う回数により制御できる。この薄膜を用いた太陽電池で8.1%の変換効率が得られた。またCu/ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 97(355), 73-78, 1997-10-31

    References (2)

  • Solar Cells Consisting of CuIn (S, Se)_2 Thin Films Synthesized by Sulfurization  [in Japanese]

    OHASHI T. , JAGER-WALDAU A. , MIYAZAWA T. , HASHIMOTO Y. , ITO K.

    銅とセレン化インジウムの積層膜をH_2Sガスを含む雰囲気中で熱処理することにより形成したCuIn(S,Se)_2薄膜を用いて太陽電池を製作した。ここで、CuIn(S,Se)_2膜のS/(S+Se)比は硫化時間により制御できる。この膜の格子定数および禁制帯幅はS/(S+Se)比に対応して変化するため、これらの値も硫化時間により制御できる。KCNによりこの膜に含まれるCu_xSやCu_xSeが取り除か …

    IEICE technical report. Component parts and materials 95(284), 31-36, 1995-09-30

    References (6)

  • Roles of iodine treatment on GaAs surfaces  [in Japanese]

    HASHIMOTO Yoshio , SAKURAI Jun-ichi , ITO Kentaro

    CdI_2およびNH_4Iによる表面処理をおこなったGaAsを光電子分光法により分析した。NH_4I処理はGaAs表面の酸化膜を除去するとともによう素に関連する膜を表面に形成する。Ga3d準位のケミカルシフトからGaAs表面にはGaのよう化物があることがわかった。さらに、よう素処理をおこなったGaAsについて、真空中で約300℃の熱処理を行うことにより、よう化物膜が除去できることから、よう素処理は …

    IEICE technical report. Component parts and materials 95(204), 7-10, 1995-08-04

    References (8)

  • Fabrication of CuInS_2 thin-film solar cells  [in Japanese]

    OGAWA Y. , HASHIMOTO Y. , JAGER-WALDAU A. , TAKEUCHI K. , ITO K.

    In_2O_3/CdS/CuInS_2ヘテロ構造を用いた太陽電池を作製し、変換効率9.67%を達成した。CuInS_2薄膜は銅とインジウムの金属積層膜をH_2Sガスで硫化し、形成された。その際、銅過剰の状態で硫化することにより、結晶性を向上し、さらに、導電性の高い銅の硫化物をKCNにより除去することにより、最適なキャリア密度と結晶性をもつ膜が得られる。また、CdSバッファー層はよう化物をもちいた溶 …

    IEICE technical report. Electron devices 95(38), 31-36, 1995-05-19

    References (9)

  • Fabrication of CuInS_2 thin-film solar cells  [in Japanese]

    OGAWA Y. , HASHIMOTO Y. , JAGER-WALDAU A. , TAKEUCHI K. , ITO K.

    In_2O_3/CdS/CuInS_2ヘテロ構造を用いた太陽電池を作製し、変換効率9.67%を達成した。CuInS_2薄膜は銅とインジウムの金属積層膜をH_2Sガスで硫化し、形成された。その際、銅過剰の状態で硫化することにより、結晶性を向上し、さらに、導電性の高い銅の硫化物をKCNにより除去することにより、最適なキャリア密度と結晶性をもつ膜が得られる。また、CdSバッファー層はよう化物をもちいた溶 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 95(40), 31-36, 1995-05-19

    References (9)

  • High Efficiency TCO/CdS/InP Solar Cell  [in Japanese]

    Saito Shotaro , Nakabayashi Takayuki , Hashimoto Yoshio , Ito Kentaro

    さらなる高効率化を目的として,光吸収半導体にp型InP単結晶を用い,窓層にCdS薄膜を溶液成長法により堆積し,透明導電膜にZnOおよびIn_2O_3薄膜を原子線スパッタ法により堆積した構造のヘテロ接合太陽電池を製作した.このようにして,CdS薄膜の上記の太陽電池のバッファー層として挿入することによって,透明導電膜スパッタ時のInP基板への衝撃を軽減し,その変換効率を高めるのに有効であることが分かっ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 94(227), 25-30, 1994-09-13

  • Hydrogen Sensors consisting of heterojunctions  [in Japanese]

    Ito Kentaro

    水素ガスを簡便に検出するセンサがPd金属薄膜と半導体とのヘテロ接合を用いて開発された。まず、n型酸化亜鉛またはシリコンの単結晶からなるショットキー障壁ダイオード型水素センサが常温動作可能であることから明らかにした。とくに、Pd, SiO_x/Siダイオードにおいては素子動作の安定化をはかる方法を考案した。半透明性極薄Pd膜と酸化タングステン膜の2層構造からなる水素クロミック素子が光学的信号を出力す …

    IEICE technical report. Component parts and materials 93(170), 19-24, 1993-07-26

  • Characterization of CuInS_2 thin films fabricated by sulfulization  [in Japanese]

    Ogawa Yoshitaka , Uenishi Shouichi , Ito Kentaro

    カルコパライト構造のCuInS_2は太陽電池のための光吸収体材料として最も適切な禁制帯幅1.5eVを持つ。我々は、Cu,In金属積層膜に硫化処理を施して製作したCuInS_2薄膜の電気的特性を測定した。ガラス基板に堆積した膜を空気中に放置しておくと、抵抗率は時間の経過とともに減少した。そのとき正孔濃度はほとんど変化しなかったが、ホール移動度は増加した。また、200日程度放置したある膜は、移動度0. …

    IEICE technical report. Electron devices 93(45), 51-57, 1993-05-20

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