桑野 範之 Kuwano Noriyuki

ID:1000050038022

九州大学産学連携センター Art, Science and Technology Center for Cooperative Research, Kyushu University (2012年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 94

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  • Nano-Dimensional Analysis of High-Performance Nd-Fe-B-Based Magnetic Materials for Micro-Structural Control  [in Japanese]

    ITAKURA Masaru , KUWANO Noriyuki

    日本金屬學會誌 76(1), 17-26, 2012-01-01

    References (36)

  • Study on Solution Growth Technique of Bulk AlN Using Solid Sources(<Special Issue>Breakthrough in Nitride Crystal Growth for Next Generation Devices)  [in Japanese]

    Kangawa Yoshihiro , Epelbaum Boris M. , Kuwano Noriyuki , Kakimoto Koichi

    AlGaNを用いた深紫外LED開発に向けて,高品質AlN基板の作製が期待されている.本解説では,AlN溶液成長技術の開発に焦点を当て,同分野の最近の研究成果を紹介する.具体的には,AlN溶液成長は従来,窒素ガスを窒素原料として行われてきたが,最近,室温で固体の窒素化合物(Li_3N,融点813℃)を原料とする溶液成長技術が提案され,厚膜が得られるようになってきているので,その手法と得られる結晶の品 …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 38(4), 274-279, 2012

    J-STAGE  References (26)

  • Etch-pit method of threading dislocations in epitaxial AlN films  [in Japanese]

    NOMURA Takuya , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , RYU Yuuki , KUWAHARA Takaaki , KUWANO Noriyuki

    高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である.本研究ではエッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った.KOHとNaOHの混合溶液によりウェットエッチングを行った結果、エッチピットの大きさにより大・中・小の3種類に分類できることが分かった.サファイア基板上に成長を行ったAlNに比べ、昇華法により作製されたAlN基板の貫通 …

    IEICE technical report. Electron devices 111(290), 11-14, 2011-11-17

  • Control of interlayer on MOVPE growth of AlN on sapphire substrate  [in Japanese]

    MIYAGAWA Reina , YANG Shibo , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , KUWAHARA Takaaki , MITSUHARA Masatoshi , KUWANO Noriyuki

    高性能深紫外受発光デバイスへの応用に,AlN膜の高品質化が求められている.本研究では,核形成層である中温(medium-temperature: MT-)AlN膜の成長条件を検討することにより,AlN膜とサファイア基板との界面層を制御することに着目した.1250℃で成長したMT-AlN膜上に高温(high-temperature: HT-)AlN膜を成長した場合,tilt,twist揺らぎはともに …

    IEICE technical report. Electron devices 111(290), 5-10, 2011-11-17

  • Etch-pit method of threading dislocations in epitaxial AlN films  [in Japanese]

    NOMURA Takuya , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , RYU Yuuki , KUWAHARA Takaaki , KUWANO Noriyuki

    高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である.本研究ではエッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った.KOHとNaOHの混合溶液によりウェットエッチングを行った結果、エッチピットの大きさにより大・中・小の3種類に分類できることが分かった.サファイア基板上に成長を行ったAlNに比べ、昇華法により作製されたAlN基板の貫通 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 111(291), 11-14, 2011-11-17

  • Control of interlayer on MOVPE growth of AlN on sapphire substrate  [in Japanese]

    MIYAGAWA Reina , YANG Shibo , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , KUWAHARA Takaaki , MITSUHARA Masatoshi , KUWANO Noriyuki

    高性能深紫外受発光デバイスへの応用に,AlN膜の高品質化が求められている.本研究では,核形成層である中温(medium-temperature: MT-)AlN膜の成長条件を検討することにより,AlN膜とサファイア基板との界面層を制御することに着目した.1250℃で成長したMT-AlN膜上に高温(high-temperature: HT-)AlN膜を成長した場合,tilt,twist揺らぎはともに …

    IEICE technical report. Component parts and materials 111(291), 5-10, 2011-11-17

  • Etch-pit method of threading dislocations in epitaxial AlN films  [in Japanese]

    NOMURA Takuya , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , RYU Yuuki , KUWAHARA Takaaki , KUWANO Noriyuki

    高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である.本研究ではエッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った.KOHとNaOHの混合溶液によりウェットエッチングを行った結果、エッチピットの大きさにより大・中・小の3種類に分類できることが分かった.サファイア基板上に成長を行ったAlNに比べ、昇華法により作製されたAlN基板の貫通 …

    Technical report of IEICE. LQE 111(292), 11-14, 2011-11-10

    References (9)

  • Control of interlayer on MOVPE growth of AlN on sapphire substrate  [in Japanese]

    MIYAGAWA Reina , YANG Shibo , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , KUWAHARA Takaaki , MITSUHARA Masatoshi , KUWANO Noriyuki

    高性能深紫外受発光デバイスへの応用に,AlN膜の高品質化が求められている.本研究では,核形成層である中温(medium-temperature: MT-)AlN膜の成長条件を検討することにより,AlN膜とサファイア基板との界面層を制御することに着目した.1250℃で成長したMT-AlN膜上に高温(high-temperature: HT-)AlN膜を成長した場合,tilt,twist揺らぎはともに …

    Technical report of IEICE. LQE 111(292), 5-10, 2011-11-10

    References (14)

  • Control of interlayer on MOVPE growth of AlN on sapphire substrate  [in Japanese]

    MIYAGAWA Reina , YANG Shibo , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , KUWAHARA Takaaki , MITSUHARA Masatoshi , KUWANO Noriyuki

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111(290), 5-10, 2011-11-10

    References (14)

  • Etch-pit method of threading dislocations in epitaxial AlN films  [in Japanese]

    NOMURA Takuya , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , RYU Yuuki , KUWAHARA Takaaki , KUWANO Noriyuki

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 111(291), 11-14, 2011-11-10

    References (9)

  • Control of interlayer on MOVPE growth of AlN on sapphire substrate  [in Japanese]

    MIYAGAWA Reina , YANG Shibo , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , KUWAHARA Takaaki , MITSUHARA Masatoshi , KUWANO Noriyuki

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 111(291), 5-10, 2011-11-10

    References (14)

  • Fabrication of ultrananocrystalline diamond thin films by pulsed laser ablation and consideration of the growth mechanism  [in Japanese]

    OHMAGARI Shinya , HANADA Kenji , NISHIYAMA Takashi , YOSHITAKE Tsuyoshi , NAGANO Akira , ITAKURA Masaru , KUWANO Noriyuki , NAGAYAMA Kunihito , OHTANI Ryota , SETOYAMA Hiroyuki , KOBAYASHI Eiichi

    電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会 2009(32), 21-26, 2009-03-06

    References (16)

  • Structural Defects in Nitride Crystals : Practical Analysis with TEM(<Special Issue>Defects in Nitride Semiconductors)  [in Japanese]

    Kuwano Noriyuki

    機能性材料の特性は微細構造に大きく影響を受ける.したがって,材料の微細構造評価・解析はきわめて重要である.本報告では,窒化物結晶の微細構造において特に重要な転位と結晶極性を取上げ,これらを解析する場合に必要となる欠陥と透過電子顕微鏡(TEM)の基礎と実践的な解析手法を説明する.とくに,転位のバーガスベクトルと結晶極性のTEM解析における「向き」の問題に注目して,混乱がおき易い電顕像と回折パターンの …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 36(3), 148-154, 2009

    J-STAGE  References (24)

  • Low-pressure HVPE growth and characterization of AlN on period-trench-patterned substrate  [in Japanese]

    KATAGIRI Yusuke , OKUURA Kazuteru , WU Jiejun , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , EZAKI Tetsuya , KUWANO Noriyuki

    HVPE法によるSapphire基板上へのAlN成長では、AlNとSapphireとの熱膨張係数差によるクラックが問題になっている.本研究では,周期溝構造をもった基板を下地として,減圧HVPE法によりAlN成長を行った.周期溝加工基板を用いることにより、クラックフリーAlN膜の成長に成功した.周期溝構造をもったAlN/Sapphire基板上への成長ではX線回折のFWHMは,(0002)で132 a …

    IEICE technical report 108(323), 65-70, 2008-11-20

    References (11)

  • Low-pressure HVPE growth and characterization of AlN on period-trench-patterned substrate  [in Japanese]

    KATAGIRI Yusuke , OKUURA Kazuteru , WU Jiejun , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , EZAKI Tetsuya , KUWANO Noriyuki

    HVPE法によるSapphire基板上へのAlN成長では、AlNとSapphireとの熱膨張係数差によるクラックが問題になっている.本研究では,周期溝構造をもった基板を下地として,減圧HVPE法によりAlN成長を行った.周期構加工基板を用いることにより、クラックフリーAlN膜の成長に成功した.周期溝構造をもったAlN/Sapphire基板上への成長ではX線回折のFWHMは,(0002)で132 a …

    IEICE technical report 108(321), 65-70, 2008-11-20

    References (11)

  • Low-pressure HVPE growth and characterization of AlN on period-trench-patterned substrate  [in Japanese]

    KATAGIRI Yusuke , OKUURA Kazuteru , WU Jiejun , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa , EZAKI Tetsuya , KUWANO Noriyuki

    HVPE法によるSapphire基板上へのAlN成長では、AlNとSapphireとの熱膨張係数差によるクラックが問題になっている.本研究では,周期溝構造をもった基板を下地として,減圧HVPE法によりAlN成長を行った.周期構加工基板を用いることにより、クラックフリーAlN膜の成長に成功した.周期溝構造をもったAlN/Sapphire基板上への成長ではX線回折のFWHMは,(0002)で132 a …

    IEICE technical report 108(322), 65-70, 2008-11-20

    References (11)

  • Fracture Mechanism of Interface between Aluminum and Aluminum Nitride during Thermal Cycling  [in Japanese]

    NAGATOMO Yoshiyuki , KITAHARA Takeshi , NAGASE Toshiyuki , KUROMITSU Yoshirou , SOSIATI Harini , KUWANO Noriyuki

    日本金屬學會誌 = Journal of the Japan Institute of Metals 72(6), 433-439, 2008-06-01

    References (9) Cited by (1)

  • TEM observation of high-density MgB_2 bulk  [in Japanese]

    HATA Satoshi , YUZURIHA Naoya , YOSHIDOME Takeshi , SOSIATI Harini , KUWANO Noriyuki , YAMAMOTO Akiyasu , SHIMOYAMA Jun-ichi , HORII Shigeru , KISHIO Kozo

    低温工学・超電導学会講演概要集 = Meetings of Cryogenics and Superconductivity 77, 235, 2007-11-20

    References (2)

  • Introduction  [in Japanese]

    KUWANO Noriyuki

    顕微鏡 42(2), 76, 2007-07-31

  • J_c-B characteristics of MgB_2 thin films introduced Ni nano-layers as artificial pinning centers  [in Japanese]

    DOI Toshiya , FUKUYAMA Kanndai , MASUDA Kazuyuki , HIDAKA Yuki , HAKURAKU Yoshinori , KITAGUCHI Hitoshi , HATA Satoshi , KUWANO Noriyuki

    低温工学・超電導学会講演概要集 = Meetings of Cryogenics and Superconductivity 76, 32, 2007-05-16

    References (8)

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