松本 皓永 Matsumoto Hironaga

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  • Preparation and Evaluation of Bi Doped Nb_2O_5 Oxide Thin Films  [in Japanese]

    NISHIMURA Kozo , YABUMOTO Taihei , YUASA Akimichi , FUJITA Naoto , ITO Hiroto , MIURA Noboru , MATSUMOTO Setsuko , MATSUMOTO Hironaga

      Bi doped Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> oxide thin films were prepared by multi target radio frequency reactive sputtering in a gas mixture of argon and oxygen at 500& …

    Journal of the Vacuum Society of Japan 54(5), 325-327, 2011-05-20

    J-STAGE  References (8)

  • Optical and Electrochromic Properties of Gold or Palladium Doped Tungsten-Oxide Thin Film Prepared with RF Reactive Sputtering  [in Japanese]

    YABUMOTO Taihei , NISHIMURA Kozo , YUASA Akimichi , FUJITA Naoto , ITO Hiroto , MIURA Noboru , MATSUMOTO Setsuko , MATSUMOTO Hironaga

      Gold- and palladium-doped tungsten oxide thin films were prepared by RF reactive sputtering in a mixture of argon and oxygen at room temperature and optical properties and electrochromic c …

    Journal of the Vacuum Society of Japan 54(5), 322-324, 2011-05-20

    J-STAGE  References (7)

  • Electrochromism Properties of Palladium Doped Tungsten-Oxide Thin Films Prepared with RF Reactive Sputtering  [in Japanese]

    YABUMOTO Taihei , IWAI Yuki , MIURA Noboru , MATSUMOTO Setsuko , NAKANO Ryotaro , MATSUMOTO Hironaga

      Palladium doped tungsten oxide thin films were prepared by RF reactive sputtering in a mixture of argon and oxygen at room temperature. XRD patterns indicated that these films were amorpho …

    Journal of the Vacuum Society of Japan 53(3), 197-199, 2010-03-20

    J-STAGE  References (11)

  • BaAl_2S_4:Eu EL Devices Prepared by DC-Reactive-Sputtering  [in Japanese]

    WATANABE Yasuhiro , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2010(1), 41-44, 2010-01-28

    References (3)

  • Si doped AlN:Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Sputtering Method  [in Japanese]

    INADA Ikuhiro , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2010(1), 37-40, 2010-01-28

    References (5)

  • BaAl_2S_4 : Eu EL Devices Prepared by DC-Reactive-Sputtering  [in Japanese]

    WATANABE Yasuhiro , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    直流反応性スパッタリング法を用いて、BaAl_2S_4:Eu薄膜の作製を行った。導入ガスとしてArおよびH_2Sからなる混合ガスを使用した。混合ガス中のH_2S流量比率を2%、スパッタリング時の基板温度400℃、熱処理温度790℃の条件の時、最も良質なBaAl_2S_4薄膜が得られた。この薄膜を発光層とし、二重絶縁構造のEL素子を作製した。1kHz正弦波駆動においての輝度は14.44cd/m^2で …

    IEICE technical report 109(404), 41-44, 2010-01-21

    References (3)

  • Si doped AlN : Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Sputtering Method  [in Japanese]

    INADA Ikuhiro , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    高周波マグネトロンスパッタリング法によりSi添加AIN:Eu青色蛍光体薄膜を作製した。金属Alに添加物粉末の焼結体を埋め込んだターゲットを用いることによりSi、Eu濃度の制御を行なった。薄膜は、Eu^<2+>イオンに起因する450nm付近にピークを持つ青色のPL発光を示した。CIE色度座標は(0.169,0.130)である。Si添加効果を調べるために薄膜中にSi濃度を変化させたところ、 …

    IEICE technical report 109(404), 37-40, 2010-01-21

    References (5)

  • BaAl_2S_4:Eu EL Devices Prepared by DC-Reactive-Sputtering  [in Japanese]

    WATANABE Yasuhiro , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    直流反応性スパッタリング法を用いて、BaAl_2S_4:Eu薄膜の作製を行った。導入ガスとしてArおよびH_2Sからなる混合ガスを使用した。混合ガス中のH_2S流量比率を2%、スパッタリング時の基板温度400℃、熱処理温度790℃の条件の時、最も良質なBaAl_2S_4薄膜が得られた。この薄膜を発光層とし、二重絶縁構造のEL素子を作製した。1kHz正弦波駆動においての輝度は14.44cd/m^2で …

    ITE Technical Report 34.2(0), 41-44, 2010

    J-STAGE  References (3)

  • Si doped AlN:Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Sputtering Method  [in Japanese]

    Inada Ikuhiro , Miura Noboru , Matsumoto Hironaga , Nakano Ryotaro

    高周波マグネトロンスパッタリング法によりSi添加AlN:Eu青色蛍光体薄膜を作製した。金属Alに添加物粉末の焼結体を埋め込んだターゲットを用いることによりSi、Eu濃度の制御を行なった。薄膜は、Eu^<2+>イオンに起因する450nm付近にピークを持つ青色のPL発光を示した。CIE色度座標は(0.169,0.130)である。Si添加効果を調べるために薄膜中のSi濃度を変化させたところ、 …

    ITE Technical Report 34.2(0), 37-40, 2010

    J-STAGE  References (5)

  • Effect of Electrical Properties of Platinum Palladium Oxide Thin Films on the Optical Properties  [in Japanese]

    IWAI Yuki , NAKAGAWA Koichi , MIURA Noboru , MATSUMOTO Setsuko , NAKANO Ryotaro , MATSUMOTO Hironaga

      Pt<sub>1-<i>x</i></sub>Pd<sub><i>x</i></sub>O thin films were prepared by rf reactive co-sputtering of Pt and Pd target to obtain high quali …

    Journal of the Vacuum Society of Japan 52(3), 163-166, 2009-03-20

    J-STAGE  References (7)

  • Preparation and Evaluation of WO_3-Bi_2O_3 Composite Thin Films  [in Japanese]

    NAKAGAWA Koichi , MIURA Noboru , MATSUMOTO Setsuko , NAKANO Ryotaro , MATSUMOTO Hironaga

      Tungsten oxide/bismuth oxide composite thin films prepared by multi target radio frequency (RF) reactive sputtering were investigated. X-ray diffraction measurements of the crystallinity o …

    Journal of the Vacuum Society of Japan 52(3), 159-162, 2009-03-20

    J-STAGE  References (11)

  • Study of BaAl_2S_4:Eu EL Devices Using Thick Dielectric Film  [in Japanese]

    KISHI Nobutoshi , ISHIMA Takao , WATANABE Yasuhiro , IDE Daisuke , SHIBUSAWA Souichi , ISOMURA Ryosuke , GUO Runhong , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2009(1), 29-32, 2009-01-29

    References (3)

  • Study of BaAl_2S_4:Eu EL Devices Using Thick Dielectric Film  [in Japanese]

    KISHI Nobutoshi , ISHIMA Takao , WATANABE Yasuhiro , IDE Daisuke , SHIBUSAWA Souichi , ISOMURA Ryosuke , GUO Runhong , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    安価な無機EL素子の作製を目的としてセッタ上にBaTiO_3厚膜誘電体をドクターブレード法により作製した。厚膜誘電体は誘電体ペーストを直接セッタ上に塗布し焼成する、または誘電体グリーンシートをセッタ上に設置して焼成し、セッタから剥離することによって作製した。ペーストを直接セッタ上に塗布して焼成した膜はクッラクが多くみられた。一方グリーンシートをセッタ上で焼成して作製した厚膜誘電体からは1kHz,1 …

    IEICE technical report 108(421), 29-32, 2009-01-22

    References (3)

  • Study of BaAl_2S_4:Eu EL Devices Using Thick Dielectric Film  [in Japanese]

    KISHI Nobutoshi , NAKANO Ryotaro , ISHIMA Takao , WATANABE Yasuhiro , IDE Daisuke , SHIBUSAWA Souichi , ISOMURA Ryosuke , GUO Runhong , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga

    安価な無機EL素子の作製を目的としてセッタ上にBaTiO_3厚膜誘電体をドクターブレード法により作製した。厚膜誘電体は誘電体ペーストを直接セッタ上に塗布し焼成する、または誘電体グリーンシートをセッタ上に設置して焼成し、セッタから剥離することによって作製した。ペーストを直接セッタ上に塗布して焼成した膜はクッラクが多くみられた。一方グリーンシートをセッタ上で焼成して作製した厚膜誘電体からは1kHz,1 …

    ITE Technical Report 33.5(0), 29-32, 2009

    J-STAGE  References (3)

  • Preparation and Evaluation of Nitrogen Doped Tungsten Oxide Thin Films  [in Japanese]

    NAKAGAWA Koichi , MIURA Noboru , MATSUMOTO Setsuko , NAKANO Ryotaro , MATSUMOTO Hironaga

      Nitrogen doped tungsten oxide thin films were prepared by RF reactive sputtering in a gas mixture of argon, oxygen and nitrogen at room temperature. As a result of X-ray photoelectron spec …

    Journal of the Vacuum Society of Japan 51(3), 185-187, 2008-03-20

    J-STAGE  References (11)

  • Luminescent properties of GdF_3 co-doped BaAl_2S_4:Eu blue-emitting phosphors  [in Japanese]

    YAN Xiaoshuai , GUO Runhong , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2008(1), 13-16, 2008-01-24

    References (4)

  • Luminescent properties of GdF_3 co-doped BaAl_2S_4:Eu blue-emitting phosphors  [in Japanese]

    YAN Xiaoshuai , GUO Runhong , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    青色蛍光体BaAl_2S_4: EuにGdF_3を添加した蛍光体を作製した。GdF_3の添加濃度の増加にともなって、PL強度が増加し、結晶性も向上することがわかった。この原因としてGdの添加効果が考えられたが、フッ素の添加効果であることが確認された。また、従来のBaAl_2S_4: Eu蛍光体の出発材料であるBaSにBaF_2を添加した試料や、Al2_S_3にAlF_3を添加した素子からもフッ素の …

    IEICE technical report 107(453), 13-16, 2008-01-17

    References (4)

  • Optical Properties of Electron-Beam-Evaporated BaAl_2S_4:Eu Thin-films  [in Japanese]

    GUO Runhong , YAN Xiaoshuai , KAWASAKI Hiroya , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2007(1), 21-24, 2007-01-25

    References (9)

  • Optical Properties of Electron-Beam-Evaporated BaAl_2S_4:Eu Thin-films  [in Japanese]

    GUO Runhong , YAN Xiaoshuai , KAWASAKI Hiroya , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    無機フルカラーELディスプレイに用いられるBaAl_2S_4:Eu薄膜の光学特性について調べた。電子ビーム蒸着法により作製した薄膜の透過スペクトル測定から誘電率とバンドキャップが得られた。誘電率は3.03であり、バンドギャップエネルギーは4.6eVであった。X線光電子分光法により、薄膜中の発光中心Euの価数を確認した。BaAl_2S_4:Eu薄膜中では、2価Euイオンが支配的であることがわかった。

    IEICE technical report 106(499), 21-24, 2007-01-18

    References (9)

  • Emission Characteristics of Chalcopyrite Phosphor Thin-Film  [in Japanese]

    OHTO Junjiro , KAWASAKI Hiroya , MIURA Noboru , MATSUMOTO Hironaga , NAKANO Ryotaro

    ITE technical report 30(7), 25-28, 2006-01-27

    References (5)

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