NOZAKI Kengo
,
HASHIMOTO Junichi
,
IDE Toshihide
,
MIZUTA Eiichi
,
SHIGA Masahiro
,
BABA Toshihiko
本研究では, 1.55μm帯GaInAsP-InPウェハに対してヨウ化水素(HI)ガスを用いた誘導結合プラズマ(ICP)エッチングを行い, 良好な平滑性と高アスペクト比をもつフォトニック結晶(PC)円孔配列を形成することに成功した.HIガスを用いた低温ICPエッチングでは, レジストマスクからの直接転写が可能であり, 従来の中間マスクを用いるプロセスに比べて側壁平滑性が向上した.エッチング状態を律 …
References (15)