石田 明広 Ishida Akihiro

ID:1000070183738

静岡大学 工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Shizuoka University (2010年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 43

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  • Device applications of IV-VI semiconductor films and superlattices prepared by hot wall epitaxy  [in Japanese]

    ISHIDA Akihiro

    <p>ホットウォールエピタキシー(HWE)法による半導体薄膜・超格子成長とデバイス応用に関する研究は30年以上前から続けられている.ここでは,HWE法によるIV-VI族半導体超格子の成長と赤外線レーザーなどへのデバイス応用を振り返り,最近の熱電応用に関する研究と量子カスケードレーザーに向けた研究の現状について述べる.</p>

    Oyo Buturi 79(3), 243-247, 2010-03-10

    J-STAGE  References (27)

  • Thermoelectric characteristics of Si nanostructures for a high-efficiency thermoelectric device  [in Japanese]

    IKEDA Hiroya , SALLEH Faiz , ASAI Kiyosumi , ISHIDA Akihiro

    実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として,シリコンナノ構造に注目している.我々は,電子の閉じ込め効果による変換効率の向上を実験的に明らかにするために,様々な膜厚とキャリア密度を持つ極薄SOI基板についてゼーベック係数の測定を行った.本報告では,測定系の改良により測定精度の向上を図るとともに,極薄シリコン膜のゼーベック係数を予測するために,ボルツマン輸送方程式に基づいた理 …

    IEICE technical report 108(438), 81-85, 2009-02-19

    References (17)

  • Thermoelectric characteristics of Si nanostructures for a high-efficiency thermoelectric device  [in Japanese]

    IKEDA Hiroya , SALLEH Faiz , ASAI Kiyosumi , ISHIDA Akihiro

    実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として,シリコンナノ構造に注目している.我々は,電子の閉じ込め効果による変換効率の向上を実験的に明らかにするために,様々な膜厚とキャリア密度を持つ極薄SOI基板についてゼーベック係数の測定を行った.本報告では,測定系の改良により測定精度の向上を図るとともに,極薄シリコン膜のゼーベック係数を予測するために,ボルツマン輸送方程式に基づいた理 …

    IEICE technical report 108(437), 81-85, 2009-02-19

    References (17)

  • Control of Fe nanoparticles formation and carbon nanotube growth by gas-phase catalytic CVD  [in Japanese]

    Ohara Kenji , Neo Yoichiro , Mimura Hidenori , Inoue Yoku , Ishida Akihiro

    Reports of the Graduate School of Electronic Science and Technology,Shizuoka University. (29), 1-4, 2008-03

  • Design of quantum-cascade structures by envelope-function approximation  [in Japanese]

    ISHIDA Akihiro

    Journal of the Japan Society of Infraed Science and Technolog 14(2), 80-83, 2005-06-30

    References (16)

  • Preparation and Properties of AIN/GaN quantum-well structure for quantum-cascade-laser application  [in Japanese]

    SONE Naoki , NAGASAWA Hitoya , INOUE Yoku , ISHINO Knei , FUJIYASU Hroshi , SHIDA Akihiro

    (AIN)_1/(GaN)_<n1>の短周期超格子の伝導帯基底サブバンドから第二サブバンドヘの電子注入にピエゾ効果を利用する[(AIN)_1/(GaN)_<n1>]_m/(AIN)_<n2>量子カスケード構造をサファイア(0001)基板上に作製し、その構造をX線回折及び透過電子顕微鏡観察により評価した。平坦なGaNバッファ層上へ量子カスケード構造を成長することに …

    Technical report of IEICE. SDM 103(50), 31-34, 2003-05-08

    References (4)

  • Preparation and Properties of AIN/GaN quantum-well structure for quantum-cascade-laser application  [in Japanese]

    SONE Naoki , NAGASAWA Hitoya , INOUE Yoku , ISHINO Knei , FUJIYASU Hroshi , SHIDA Akihiro

    (AlN)_1/(GaN)_<n1>の短周期超格子の伝導帯基底サブバンドから第二サプバンドヘの電子注入にピエゾ効果を利用する[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]_m/(AlN)_<n2>量子カスケード構造をサファイア(0001)基板上に作製し、その構造をX線回折及び透過電子顕微鏡観察により評価した。平坦なGaNバッファ層上へ量子カスケード構造を成長することに …

    IEICE technical report. Electron devices 103(46), 31-34, 2003-05-08

    References (4)

  • Preparation and Properties of AIN/GaN quantum-well structure for quantum-cascade-laser application  [in Japanese]

    SONE Naoki , NAGASAWA Hitoya , INOUE Yoku , ISHINO Knei , FUJIYASU Hroshi , SHIDA Akihiro

    (AlN)_1/(GaN)_<n1>の短周期超格子の伝導帯基底サブバンドから第ニサブバンドヘの電子注入にピエゾ効果を利用する[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]_m/(AlN)_<n2>量子カスケード構造をサファイア(0001)基板上に作製し、その構造をX線回折及び透過電子顕微鏡観察により評価した。平坦なGaNバッファ層上へ量子カスケード構造を成長することに …

    IEICE technical report. Component parts and materials 103(48), 31-34, 2003-05-08

    References (4)

  • Nanotechnology&Materials and Infrared Science&Technology  [in Japanese]

    HANGYO Masanori , ISHIDA Akihiro

    Journal of the Japan Society of Infraed Science and Technolog 12(2), 4-11, 2003-03-15

    References (53)

  • Materials and Optical Components  [in Japanese]

    ISHIDA Akihiro

    Journal of the Japan Society of Infraed Science and Technolog 12(1), 15-17, 2002-10-20

    References (14)

  • Growth of AlN/GaN Quantum-Cascade Structure by Hot Wall Eptaxy and Its Structural Characterization  [in Japanese]

    ISHIDA A. , NAGASAWA H. , INOUE Y. , TATSUOKA H. , FUJIYASU H. , KAN H. , MAKINO H. , YAO T.

    GaNに1原子層のAlNを周期的に挟んだ(AlN)_1/(GaN)_n11短周期超格子に数原子層のAlNを周期的に挿入した[(AlN)_1/(GaN)_n1]_m/(AlN)_n2量子カスケード構造をホットウォールエピタキシー法により作製し、X線回折、透過電子顕微鏡観察により評価した。トータル20周期、0.4μmの量子カスケード層がGaN薄膜上へコヒーレントに成長していることが確認された。

    Technical report of IEICE. LQE 102(119), 29-32, 2002-06-08

    References (10)

  • Growth of AlN/GaN Quantum-Cascade Structure by Hot Wall Eptaxy and Its Structural Characterization  [in Japanese]

    ISHIDA A. , NAGASAWA H. , INOUE Y. , TATSUOKA H. , FUJIYASU H. , KAN H. , MAKINO H. , YAO T.

    GaNに1原子層のAlNを周期的に挟んだ(AlN)_1/(GaN)_<n1>短周期超格子に数原子層のAlNを周期的に挿入した[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]_m/(AlN)_<n2>量子カスケード構造をホットウォールエピタキシー法により作製し、X線回折、透過電子顕微鏡観察により評価した。トータル20周期、0.4μmの量子カスケード層がGaN薄膜上へコヒー …

    IEICE technical report. Electron devices 102(116), 29-32, 2002-06-08

    References (10)

  • Recent progress of infrared semiconductor Lasers  [in Japanese]

    ISHIDA Akihiro , FUJIYASU Hiroshi

    Journal of the Japan Society of Infraed Science and Technolog 11(1), 15-25, 2001-07-30

    References (44)

  • Preparation and Properties of PbSnCaTe Films for Long-wavelength Infrared Laser

    WANG S. , OHASHI T. , ISHINO K. , INOUE Y. , FUJIYASU H. , ISHIDA A.

    MBE法を用いて、PbSnCaTe薄膜を作製し、ホール測定、X線回折と赤外透過特性により評価を行った。PbSnCaTe薄膜は、ノンドープでp型となり、Bi不純物を添加することによりn型薄膜が得られた。また、作製されたPbSnCaTe薄膜はPbSnTeとの格子整合がたいへん良いことがわかった。PbSnCaTe/PbSnTe超格子の光学特性から、この超格子がタイプIのへテロ接合となることがわかった。

    Technical report of IEICE. SDM 101(82), 55-58, 2001-05-17

    References (6)

  • Preparation and Properties of AlN/GaN Short-Period superlattices by Hot Wall Epitaxy  [in Japanese]

    NASAWA H. , OSE T. , ISHINO K. , INOUE Y. , FUJIYASU H. , ISHIDA A.

    (HWE)法を用いてGaN層に単原子層のAlNを挾んだAlN/GaN短周期超格子を作製した。超格子構造は、X線回折パターンの測定値と理論値との比較により評価し、良好な超格子構造ができていることが確認された。またPL測定、励起スペクトル測定を行い、AlGaN/GaN超格子と比べ比較的強い発光が観測された。比較的強い発光はAlN/GaN短周期超格子のピエゾ効果が通常のAlGaN/GaN超格子に比べ小さ …

    Technical report of IEICE. SDM 101(82), 49-53, 2001-05-17

    References (7)

  • Preparation and Properties of AlN/GaN Short-Period superlattices by Hot Wall Epitaxy  [in Japanese]

    NASAWA H. , OSE T. , ISHINO K. , INOUE Y. , FUJIYASU H. , ISHIDA A.

    (HWE)法を用いてGaN層に単原子層のAINを挟んだAlN/GaN短周期超格子を作製した。超格子構造は、X線回折パターンの測定値と理論値との比較により評価し、良好な超格子構造ができていることが確認された。また PL測定、励起スペクトル測定を行い、AlGaN/GaN超格子と比べ比較的強い発光が観測された。比較的強い発光はAlN/GaN短周期超格子のピエゾ効果が通常のAlGaN/GaN超格子に比べ小 …

    IEICE technical report. Electron devices 101(78), 49-53, 2001-05-17

    References (7)

  • Preparation and Properties of PbSnCaTe Films for Long-wavelength Infrared Laser

    WANG S. , OHASHI T. , ISHINO K. , INOUE Y. , FUJIYASU H. , ISHIDA A.

    MBE法を用いて、PbSnCaTe薄膜を作製し、ホール測定、X線回折と赤外透過特性により評価を行った。PbSnCaTe薄膜は、ノンドープでp型となり、Bi不純物を添加することによりn型薄膜が得られた。また、作製されたPbSnCaTe薄膜はPbSnTeとの格子整合がたいへん良いことがわかった。PbSnCaTe/PbSnTe超格子の光学特性から、この超格子がタイプIのへテロ接合となることがわかった。

    IEICE technical report. Component parts and materials 101(80), 55-58, 2001-05-17

    References (5)

  • Preparation and Properties of AlN/GaN Short-Period superlattices by Hot Wall Epitaxy  [in Japanese]

    NASAWA H. , OSE T. , ISHINO K. , INOUE Y. , FUJIYASU H. , ISHIDA A.

    (HWE)法を用いてGaN層に単原子層のAINを挾んだAIN/GaN短周期超格子を作製した。超格子構造は、X線回折パターンの測定値と理論値との比較により評価し、良好な超格子構造ができていることが確認された。また PL測定、励起スペクトル測定を行い、AlGaN/GaN超格子と比べ比較的強い発光が観測された。比較的強い発光はAIN/GaN短周期超格子のピエゾ効果が通常のAlGaN/GaN超格子に比べ小 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 101(80), 49-53, 2001-05-17

    References (7)

  • Semiconductor Lasers Operating beyond 2μm and Their Applications  [in Japanese]

    ISHIDA Akihiro , FUJIYASU Hiroshi

    波長2μmを越える長波長半導体レーザはガスの検出・分析用の光源として早くから研究されてきた.また, 水蒸気による吸収が少なく大気の透過性の高い3-5μm, 8-13μm領域で高出力レーザができればレーザレーダへの応用もある.この波長域のレーザとしては, 2-5μm帯でIII-V族半導体レーザ, 2.5〜30μm帯でIV-VI族半導体レーザが研究されてきた.また, 最近の量子カスケードレーザの進歩は …

    The Journal of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers 00083(00005), 376-382, 2000-05-25

    References (25) Cited by (10)

  • IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究  [in Japanese]

    石田 明広 , 藤安 洋

    電気学会研究会資料. LAV, 光応用・視覚研究会 1995(1), 1-8, 1995-09-07

    References (19)

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