横山 新 YOKOYAMA Shin

論文一覧:  42件中 1-20 を表示

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  • マイクロデバイスを活用する水質モニタリング

    三宅 亮 , Bula W. P. , 遠藤 喜重 , 佐藤 友美 , 村上 裕二 , 横山 , 浅野 由花子 , 富樫 盛典 , 渡辺 彬

    化学とマイクロ・ナノシステム = Journal of the Society for Chemistry and Micro-Nano Systems : 化学とマイクロ・ナノシステム研究会誌 16(1), 8-14, 2017-03

  • DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構 (電子ディスプレイ)

    中村 昇平 , 松尾 直人 , 部家 彰 [他] , 山名 一成 , 高田 忠雄 , 福山 正隆 , 横山

    DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(359), 17-20, 2014-12-12

  • DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構 (シリコン材料・デバイス)

    中村 昇平 , 松尾 直人 , 部家 彰 [他] , 山名 一成 , 高田 忠雄 , 福山 正隆 , 横山

    DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360), 17-20, 2014-12-12

  • DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性 (シリコン材料・デバイス)

    髙城 祥吾 , 松尾 直人 , 山名 一成 [他] , 部家 彰 , 高田 忠雄 , 横山

    SOI基板を用いて、100nmのギャップを持つソース/ドレイン電極間を繋ぐように形成したDNA分子の電荷保持特性を調査した.FET DNAのドレイン電流の増加は、I_d-V_d特性測定毎に観測された.私たちはこの現象の理由を次のように推測した。n+ドレイン電極から放出される正孔電流は、DNA分子内での電子のトラップにより増加する.しかしながら、すべてのフェルミエネルギーよりも大きな電子は、負のゲー …

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(357), 83-85, 2011-12-16

  • DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性

    高城 祥吾 , 松尾 直人 , 山名 一成 , 部家 彰 , 高田 忠雄 , 横山

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(357), 83-85, 2011-12-09

    参考文献6件

  • ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性

    小林 孝裕 , 松尾 直人 , 栃尾 貴之 [他] , 大倉 健作 , 大村 泰久 , 横山 , 部家 彰

    1.7nmの窒化膜(SiN_x)を有するトンネリング誘電体TFT(Tunneling Dielectric Thin-Film Transistor:TDTFT)をボトムゲート構造で作製し,TDTFTと従来型TFT(Conv.TFT)のドレーン電流の温度依存性とその伝導機構について調査した.低温領域20〜300Kと高温領域293〜623Kにおける相互コンダクタンス(gm)の値をW/L=50μm/1 …

    電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 94(3), 79-87, 2011-03-01

    参考文献14件

  • C-3-10 Siリング光共振器を用いたバイオセンサ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    横山 , 池田 丈 , 黒田 章夫

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2011年_エレクトロニクス(1), 185, 2011-02-28

  • 半導体とバイオの融合によるバイオセンサーの開発

    池田 丈 , 横山 , 黒田 章夫

    日本微生物生態学会誌 26(2), 64-74, 2011

    J-STAGE  参考文献74件 被引用文献1件

  • Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究

    高城 祥吾 , 松尾 直人 , 山名 一成 [他] , 部家 彰 , 高田 忠雄 , 坂本 憲児 , 横山

    本研究では,Si基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAの伝導特性,及び,n^-Si基板をゲート電極とした3端子トランジスタ特性について調べる.その結果,DNA両端を固定した電極をもつ試料のみで伝導を確認した.この伝導は電極間に固定化されたDNA本体を流れるキャリアが担っていると考えられるが,バンド伝導であるかホッピング伝導であるかは不明である.又,トランジ …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(351), 87-91, 2010-12-10

    参考文献8件

  • LSI配線の課題と光配線

    横山 , 雨宮 嘉照

    現在のLSIの問題点として,長距離(グローバル)金属配線技術の増大する配線遅延と消費電力を指摘し,その解決法として,伝送線路,定在波発振法,光配線を紹介した.光配線が用いられるべき用途として,高速・低消費電力以外に金属配線では実現できない神経回路網チップを例に上げ,実現に必要な要素技術として,チューナブルSiリング光共振器に関する筆者らの最近の研究成果を紹介した.

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 110(315), 25-30, 2010-11-22

    参考文献23件

  • LSI配線の課題と光配線

    横山 , 雨宮 嘉照

    現在のLSIの問題点として,長距離(グローバル)金属配線技術の増大する配線遅延と消費電力を指摘し,その解決法として,伝送線路,定在波発振法,光配線を紹介した.光配線が用いられるべき用途として,高速・低消費電力以外に金属配線では実現できない神経回路網チップを例に上げ,実現に必要な要素技術として,チューナブルSiリング光共振器に関する筆者らの最近の研究成果を紹介した.

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 110(314), 25-30, 2010-11-22

    参考文献23件

  • BIO R&D シリカ結合タンパク質「Si-tag」を利用した半導体バイオ融合デバイスの開発

    池田 丈 , 横山 , 黒田 章夫

    バイオインダストリー 27(11), 58-62, 2010-11

  • 3P-2113 シリカ結合タンパク質を用いた半導体バイオ融合デバイス開発(10b バイオセンシング,分析化学,一般演題,センサー計測技術,伝統の技と先端科学技術の融合)

    池田 丈 , 本村 圭 , 阿部 陽介 , 雨宮 嘉照 , 福山 正隆 , 廣田 隆一 , 横山 , 黒田 章夫

    日本生物工学会大会講演要旨集 平成22年度, 176, 2010

    国立国会図書館
    デジタルコレクション
     

  • マルチモード干渉を利用したSi光導波路の平面交差とその慣性センサへの応用

    鈴木 昌人 , 河合 剛 , 青柳 誠司 , 横山 , 福山 正隆

    電気学会研究会資料. PHS, フィジカルセンサ研究会 2009(16), 119-122, 2009-07-23

    参考文献9件

  • C-3-48 チップ内光配線(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    横山

    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2009年_エレクトロニクス(1), 199, 2009-03-04

  • 無線/光配線による三次元集積の課題と展望

    岩田 穆 , 横山

    集積規模拡大,性能向上のために有効な三次元集積では積層チップ間インタコネクションが重要課題である.現在,ワイヤボンディングによるチップ積層が用いられているが,シリコン貫通ビアを用いた三次元集積が開発され実用間近になっている.しかし,テスト技術,KGD,放熱などの課題が残されている.電気接続によらない方法として,光配線による三次元集積も古くから研究されおり,近年は電磁結合,静電結合,電磁波結合による …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(139), 89-94, 2008-07-10

    参考文献20件

  • 無線/光配線による三次元集積の課題と展望

    岩田 穆 , 横山

    集積規模拡大,性能向上のために有効な三次元集積では積層チップ間インタコネクションが重要課題である.現在,ワイヤボンディングによるチップ積層が用いられているが,シリコン貫通ビアを用いた三次元集積が開発され実用間近になっている.しかし,テスト技術,KGD,放熱などの課題が残されている.電気接続によらない方法として,光配線による三次元集積も古くから研究されおり,近年は電磁結合,静電結合,電磁波結合による …

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 108(140), 89-94, 2008-07-10

    参考文献20件

  • 正孔および電子輸送層を有する高効率Siドット発光素子

    重本 広貴 , 雨宮 嘉照 , 横山

    電気学会研究会資料. PST, プラズマ研究会 2008(45), 1-4, 2008-07-05

    参考文献5件

  • シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子

    徳永 智大 , 田主 裕一朗 , 雨宮 嘉照 [他] , 横山

    SOIウエハを用い直径20μmのマルチモードシリコンリング共振器(共振波長1500nm付近)を製作した。導波路幅は0.6〜1μm、厚さ0.3μmである。750℃の減圧(LP)CVDSi_3N_4膜(0.26μm)および700℃のLPCVDTEOS酸化膜(1μm)で導波路を覆いストレスを印加した。下部BOX層は1μmで縦方向の電界を印加した。電圧印加によってドロップポートの共振光出力が減少し、波長1 …

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス 107(389), 41-46, 2007-12-07

    参考文献6件

  • LSIにおける光配線技術

    横山

    應用物理 76(11), 1238-1245, 2007-11-10

    参考文献38件 被引用文献5件

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