道上 修 Michikami O.

ID:1000090261461

岩手大 Iwate Univ. (2009年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 56

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  • 28aSK-2 Radiation damage in CeO_2 irradiated with high energy ions  [in Japanese]

    Ohhara K. , Ishikawa N. , Sakai S. , Matsumoto Y. , Michikami O. , Ohta Y. , Kimura Y.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 64.1.2(0), 152, 2009

    J-STAGE 

  • Effect of CeO_2 Buffer Layer Sputtering Gas Pressure on EuBa_2Cu_3O_<7-δ> Thin Films  [in Japanese]

    FUJIWARA Satoshi , OTA Yasuyuki , KIMURA Yutaka , UNUMA Yuya , SAKUMA Keita , MICHIKAMI Osamu

    When EuBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7-δ</sub> (EuBCO) thin films of more than 3,000 Å in thickness were deposited on R-Al<sub>2</sub>O& …

    TEION KOGAKU (Journal of Cryogenics and Superconductivity Society of Japan) 43(5), 169-173, 2008-05-25

    J-STAGE  References (6)

  • 23pRB-10 Radiation damage of CeO_2 irradiated with high energy ion  [in Japanese]

    Ohhara K. , Ishikawa N. , Sakai S. , Matsumoto Y. , Michikami O. , Ohta Y.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 63.1.2(0), 157, 2008

    J-STAGE 

  • 20aZF-5 The radiation damage on CeO_2 irradiated with high energy ions II  [in Japanese]

    Ohhara K. , Ishikawa N. , Sakai S. , Matsumoto Y. , Michikami O. , Ohta Y. , Kimura Y.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 63.2.2(0), 100, 2008

    J-STAGE 

  • The effect of heat treatment on a large sized sperconducting thin film using the facing targets magnetron suputtering method  [in Japanese]

    MUSASHI Shingo , HAYASAKA Iori , TAKAHASHI Kouya , MICHIKAMI Osamu

    対向ターゲットマグネトロンスパッタ法を用いて、R-Al_2O_3基板にCeO_2を堆積した薄膜上にSmBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜を作製し、作製後に純酸素雰囲気中で熱処理を施し高品質化を図った。その結果、400℃で熱処理することで結晶性と超伝導特性が向上した。またR-Al_2O_3基板上に堆積したCeO_2バッファ層を大気中で熱処理(800℃で2h)し、CeO_2薄膜上にSmBa …

    IEICE technical report 106(203), 57-62, 2006-08-07

  • Formation of thick CeO_2 buffer layer for thick EuBa_2Cu_3O_<7-δ> flims  [in Japanese]

    KIKUCHI Keita , SAKUMA Jun , HUZIWARA Satoshi , OTA Yasuyuki , MICHIKAMI Osamu

    RFマグネトロンスパッタリング法を用いた(001)配向CeO_2,バッファ層の膜厚が400Åのとき、R-Al_2O_3基板上では(111)ファセットを伴う成長をする。(111)ファセットを伴うCeO_2バッファ層上のEuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜は、非c軸配向してしまい超伝導特性に悪影響を及ぼす。本研究では厚膜CeO_2バッファ層の(111)ファセットの抑制を試みた …

    IEICE technical report 106(203), 43-46, 2006-08-07

  • Deposition of Large-area SmBa_2Cu_3O_<7-δ> films by Magnetron Sputtering with Facing Targets  [in Japanese]

    TAKAHASHI Koya , MUSASHI Shingo , KIMURA Yutaka , KIKUCHI Shinji , MICHIKAMI Osamu

    対向ターゲットマグネトロンスパッタ法(MSFT法)により作製した酸化物超伝導薄膜SmBa_2Cu_3O_<7-δ>(SBCO)の大型化について報告する。作製にはR-Al_2O_3/CeO_2基板を用い、Ar+O_2雰囲気中でターゲット間距離(D_<tt>)を変化させSBCOを堆積させる。ターゲット間距離と超伝導特性に影響を持つプラズマの状態は関係すると考えられ、膜厚分布、結 …

    IEICE technical report 106(203), 63-67, 2006-07-31

    References (1)

  • Characteristics of EuBa_2Cu_3O_<7-δ> thin films grown on thick Sm_2O_3 buffer layers  [in Japanese]

    KIMURA Yutaka , OTA Yasuyuki , UNUMA Yuya , MICHIKAMI Osamu

    R-Al_2O_3/CeO_2上にRFマグネトロンスパッタ法を用いてSm_2O_3を堆積させSm_2O_3バッファ層の表面性状、結晶性に対するガス圧と膜厚(t_<Sm>)依存性を調べた。2Paのガス圧では最も表面粗さが小さくなった。t_<Sm>=2000Åまでは円形のグレインが観察されたが、それよりも厚くするとSm_2O_3バッファ層の表面には竹状のグレインが観察された。S …

    IEICE technical report 106(203), 53-56, 2006-07-31

    References (4)

  • The control of the surface morphology of thick CeO_2 buffer layer prepared by magnetron sputtering  [in Japanese]

    OTA Yasuyuki , SAKUMA Jun , KIMURA Yutaka , MASHIKO Hiroshi , MICHIKAMI Osamu

    CeO_2をバッファ層として用いたR-Al_2O_3基板は高温超伝導薄膜の作製において有望である。しかし、バッファ層の表面性状がその上に堆積した超伝導薄膜の超伝導特性に大きく影響を与える。厚膜CeO_2バッファ層の表面性状を制御するため、スパッタリングを用いたバッファ層作製時の成長条件(off-center距離(D_<off>)、基板温度(T_s))について検討を行った。その結果、Ce …

    IEICE technical report 106(203), 47-51, 2006-07-31

    References (7)

  • Growth of Ga doped ZnO films by RF sputtering in ambient Ar + H_2  [in Japanese]

    MUTOU Kouichi , NASU Norimitsu , HASEBE Hiroaki , MICHIKAMI Osamu

    RFマグネトロンスパッタ法により、ガラス基板上に作製したGaドープZnO(GZO)薄膜の表面性状、結晶性、透過率及び、室温で測定した抵抗率(ρRT)において、成膜時の基板温度(T_s)及び、H_2ガス添加の効果を調べた。純Arで作製したGZO薄膜では0.3Pa、T_s=100℃のスパッタ条件において、ρRT=7.58×10^<-4> Ωcmであったが、スパッタガスにH_2ガスを1%添加 …

    IEICE technical report 106(203), 5-8, 2006-07-31

    References (2)

  • Ga content dependence of properties of ZnO:Ga thin film prepared on glass substrate by rf magnetron sputtering  [in Japanese]

    NASU Norimitsu , HASEBE Hiroaki , MUTOU Kouichi , KIKUCHI Sinji , MICHIKAMI Osamu

    rfマグネトロンスパッタリング法によりGaドープZnO(GZO)膜をガラス基板上に作製した。Ga濃度及び基板温度の変化が、GZO薄膜の結晶構造、表面性状及び電気的、光学的特性に与える影響について調べた。GZO膜の結晶構造は六方晶系ウルツ鉱型であり、基板と垂直にc軸配向した。本研究において最も低い抵抗率は5.2×10^<-4> Ω・cmであった。このときの条件はGa濃度が3.34wt.% …

    IEICE technical report 106(203), 1-4, 2006-07-31

    References (2)

  • The effect of heat treatment on a large sized sperconducting thin film using the facing targets magnetron suputtering method  [in Japanese]

    MUSASHI Shingo , HAYASAKA Iori , TAKAHASHI Kouya , MICHIKAMI Osamu

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 106(203), 57-62, 2006-07-31

    References (2)

  • Formation of thick CeO_2 buffer layer for thick EuBa_2Cu_3O_<7-δ> flims  [in Japanese]

    KIKUCHI Keita , SAKUMA Jun , HUZIWARA Satoshi , OTA Yasuyuki , MICHIKAMI Osamu

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 106(203), 43-46, 2006-07-31

    References (1)

  • Effects of the Surface Morphology of Thick CeO_2 Buffer Layers on Superconducting Properties and Crystal Growth of EuBa_2Cu_3O_<7-δ> Thin Films on R-Al_2O_3 Substrates  [in Japanese]

    OTA Yasuyuki , SAKUMA Jun , KIMURA Yutaka , MICHIKAMI Osamu

    Journal of the Cryogenic Society of Japan 41(5), 193-199, 2006-05-25

    References (9)

  • 26pWD-6 Effects of carbon cluster ion irradiation in oxides  [in Japanese]

    Ishikawa N. , Chimi Y. , Michikami O. , Ohta Y. , Saito Y. , Chiba A. , Fukuzumi M , Hori F. , Iwase A

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 61.2.2(0), 126, 2006

    J-STAGE 

  • 28aTA-11 Atomic Displacements in Electrically Conducting Ceramics Irradiated with High-Energy X-ray  [in Japanese]

    Ishikawa N. , Chimi Y. , Michikami O. , Ohta Y. , Motohashi H. , Iwase A.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 61.1.2(0), 156, 2006

    J-STAGE 

  • Smooth surface growth of ZnO films on A-Al_2O_3 substrates by RF-sputtering  [in Japanese]

    HASEBE Hiroaki , MIZUSHIMA Tomonori , OTA Yasuyuki , HASHIMOTO Takeo , ECHIGOYA Jun-ichi , MICHIKAMI Osamu

    マグネトロンスパッタ法によりA-Al_2O_3基板上へ作製したZnO薄膜の表面性状,結晶性における成膜時の基板温度およびZnO薄膜への熱処理効果について調べた.as-grownZnO薄膜では,基板温度が450℃において表面粗さが30Å程度.また熱処理においては,熱処理温度が900℃熱処理時間が2時間の熱処理により,14Åで平坦かつ結晶性の良い薄膜がえられた.

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(245), 57-60, 2004-07-30

    References (3)

  • Influence of an annealing for CeO_2 buffer layer on an EuBa_2Cu_3O_<7-δ> thin film  [in Japanese]

    OTA Yasuyuki , KIMURA Yutaka , HASHIMOTO Takeo , MICHIKAMI Osamu

    マグネトロンスパッタリングによって作製したCeO_2薄膜は,膜厚を増加させると(<500Å),(111)ファセットを伴なった結晶粒が成長する.このようなファセットのあるCeO_2薄膜上に形成したEuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜は,c軸配向から(103)配向に移行し,臨界温度(T_<ce>)は低下する.本研究では,CeO_2薄膜(2000Å)のファセッ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(245), 19-22, 2004-07-30

    References (6)

  • Growth of Sm_2O_3 buffer layers with smooth surfaces for EuBa_2Cu_3O_<7-δ> thin films  [in Japanese]

    KIMURA Yutaka , OTA Yasuyuki , HASHIMOTO Takeo , KIKUCHI Shinji , MICHIKAMI Osamu

    R-Al_2O_3\CeO_2上にRFマグネトロンスパッタ法によりバッファ層としてSm_2O_3をoff-center距離(D_<t-s>)を変化させて堆積させ、表面性状、結晶性を調べ、つぎに、R-Al_2O_3\CeO_2\Sm_2O_3上にEuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)を堆積させ、表面性状、臨界温度(T_c)、臨界電流密度(J_c)についてその効果を調べ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(245), 15-18, 2004-07-30

    References (3)

  • Characteristics of EuBa_2Cu_3O_<7-δ> thick films grown on R-Al_2O_3\CeO_2 substrates  [in Japanese]

    HAYASAKA Iori , OTA Yasuyuki , HASIMOTO Takeo , KIKUCHI Sinji , MICHIKAMI Osamu

    R-Al_2O_3\CeO_2基板上にDCマグネトロンスパッタ法によりEuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜を作製した。CeO_2バッファ層の膜厚を変化させ、その上に厚膜EBCOを堆積させたときの表面性状、マイクロクラックの有無、結晶性、臨界温度(T_c)、77Kにおける臨界電流密度(J_c)を調べた。T_cはCeO_2やEBCO薄膜の膜厚に関わらず、約90Kを示した。しか …

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(245), 11-14, 2004-07-30

    References (5)

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