寒川 義裕 KANGAWA Yoshihiro

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  • Ⅲ族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析 (特集 特異構造の結晶科学 : 結晶成長と構造・物性相関)  [in Japanese]

    秋山 亨 , 中村 浩次 , 伊藤 智徳 , 草場 彰 , 寒川 義裕

    日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 45(1), 8p, 2018

  • Multi-Physics Simulation of GaN MOVPE Growth  [in Japanese]

    白石 賢二 , 関口 一樹 , 長川 健大 , 白川 裕規 , 川上 賢人 , 山本 芳裕 , 洗平 昌晃 , 岡本 直也 , 芳松 克則 , 寒川 義裕 , 柿本 浩一

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(290), 1-4, 2017-11-09

  • The 45th National Conference on Crystal Growth (NCCG-45)(News of JACG)  [in Japanese]

    佐藤 元 , 藤原 航三 , 樋口 幹雄 , 太子 敏則 , 片山 竜二 , 山中 淳平 , 鈴木 良尚 , 小泉 晴比古 , 三浦 均 , 野澤 純 , 新家 寛正 , 島村 清史 , 勝野 弘康 , 本間 宏成 , 藤原 貴久 , 谷口 尚 , 三宅 秀人 , 寒川 義裕 , 長嶋 剣 , 丸山 美帆子 , 吉川 彰 , 手嶋 勝弥

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 42(4), 299-304, 2016

    J-STAGE 

  • Development of In-situ Observation System for Growth Process of AlN by Solution Growth(<Special Issue>Semiconductor Crystal Growth Mechanism studied by in-situ Observation Techniques)  [in Japanese]

    Kangawa Yoshihiro , Miyake Hideto , Bockowski Michal , Kakimoto Koichi

    It is known that lateral growth of semiconductors is important to bend and annihilate threading dislocations during epitaxial growth. In order to understand the initial growth process of AlN during so …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 42(3), 232-237, 2015

    J-STAGE 

  • 業績賞および赤崎勇賞,論文賞,技術賞,奨励賞(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立40周年記念特集号)  [in Japanese]

    寒川 義裕

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 42(1), 24-28, 2015

    J-STAGE 

  • The 42th National Conference on Crystal Growth (NCCG-42)(News of JACG)  [in Japanese]

    柿本 浩一 , 吉川 彰 , 吉村 政志 , 寒川 義裕 , 富樫 理恵 , 小林 篤 , 成塚 重弥 , 澤田 勉 , 上羽 牧夫 , 上野 聡

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 39(4), 220-225, 2013

    J-STAGE 

  • Diamond Growth(Preface)  [in Japanese]

    Kasu Makoto , Kangawa Yoshihiro

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 39(4), 157, 2013

    J-STAGE 

  • Toward Realization of Silicon Solar Cells with High Efficiency(<Special Issue>Square-shaped Si Crystals for Solar Cell use)  [in Japanese]

    Kakimoto Koichi , Bing Gao , Nakano Satoshi , Kangawa Yoshihiro , Harada Hirofumi

    高効率シリコン太陽電池を実現するために,シリコン結晶成長および欠陥制御に関する問題点を抽出し,さらにその問題点の解決方法について議論する.特に,シリコン太陽電池の変換効率を決定する要因である転位密度,軽元素や重金属の不純物濃度分布,そして固液界面形状の各項目に関して,実験結果と数解析結果を定量的に比較検討する.さらに,変換効率を低下させているこの項目に対していかなる対策が効果的であるかについても議 …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 39(3), 135-141, 2012

    J-STAGE  References (33)

  • Theoretical Analysis for the Composition of GaAsN Grown by Vapor Phase Epitaxy(<Special Topic>How Do We Model Crystal Growth Phenomena?)  [in Japanese]

    Kawano Jun , Kangawa Yoshihiro , Yayama Tomoe , Ito Tomonori , Kakimoto Koichi , Koukitu Akinori

    多接合太陽電池用材料への応用が期待されるGaAs_<1-x>N_xの気相エピタキシャル成長について,熱力学解析および成長表面の第一原理計算により窒素の取り込み過程を理論的に検討した.窒素の取り込みはGe基板からの格子拘束の影響により抑制されるが,原料ガス中のIII族ガス分圧を上げることにより促進されることが示された.また水素雰囲気下における成長表面の第一原理計算により,窒素は水素が吸着 …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 38(2), 128-136, 2011

    J-STAGE  References (24)

  • Theoretical Analyses on Growth Conditions of Cubic GaN(<Special Issue> Stable or Metastable: Zinc Blende and Wurtzite Structures)  [in Japanese]

    Kangawa Yoshihiro , Akiyama Toru , Ito Tomonori , Shiraishi Kenji , Kakimoto Koichi

    GaNなどの窒化物半導体は青色LED (Light Emitting Diode)などの発光素子として広く用いられている.これら窒化物半導体は,一般に安定相である六方晶系のウルツ鉱型構造(h-GaN)をもつが,近年,成長条件によっては準安定相である立方晶系の閃亜鉛鉱型構造(c-GaN)をもつ結晶も得られることが報告されている.本研究では,MBE (Molecular Beam Epitaxy)成長 …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 34(4), 213-217, 2008

    J-STAGE  References (23)

  • Ab initio-based approach to initial growth process of cubic gallium nitride  [in Japanese]

    寒川 義裕 , 松尾 有里子 , 秋山 亨 [他] , 伊藤 智徳 , 白石 賢二 , 柿本 浩一

    We carried out theoretical analyses based on ab initio calculations in which free energy of the vapor phase is incorporated to determine the initial growth kinetics of c-GaN on GaN(001)-(4x1). The fea …

    Reports of Research Institute for Applied Mechanics,Kyushu University (133), 135-138, 2007-09

    IR  DOI 

  • Theoretical approach to realizing atomic arrangements in InGaN  [in Japanese]

    KANGAWA Yoshihiro , KAKIMOTO Koichi , ITO Tomonori , KOUKITU Akinori

    <p>青・緑色LEDなどの光学素子に広く用いられているInGaN薄膜中には,基板との格子不整合により〜10<sup>8</sup>cm<sup>-2</sup>もの貫通転位が含まれている.しかし,この材料系は高欠陥密度であっても高輝度の発光を示し,光学素子としての機能を十分に果たすことが知られている.最近になって,光学測定や陽電子消滅など …

    Oyo Buturi 76(5), 495-498, 2007-05-10

    J-STAGE  References (16)

  • 01aB11 Theoretical investigation of initial growth process of GaN on GaN(001)(NCCG-36)  [in Japanese]

    寒川 義裕 , 松尾 有里子 , 秋山 亨 , 伊藤 智徳 , 白石 賢二 , 柿本 浩一

    We carried out theoretical analyses based on the ab initio calculations incorporates free energy of vapor phase in order to find the initial growth process of cubic GaN in GaN(001)-(4x1). The results …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 33(4), 207, 2006

    J-STAGE  References (4)

  • InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響  [in Japanese]

    寒川 義裕 , 柿本 浩一 , 伊藤 智徳 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 105(93), 97-100, 2005-05-26

  • Thermodynamic stability of InAlGaN thin films grown on GaN and InN  [in Japanese]

    KANGAWA Yoshihiro , KAKIMOTO Koichi , ITO Tomonori , KOUKITU Akinori

    近年、InNの発光が赤外域(波長〜1500nm)で観測され、窒化物半導体を用いた発光素子の長波長化が検討されるようになった。具体的には高In組成のInGaNやInAlNを活性層とするデバイスの開発が行われている。しかし、InNとGaNおよびAlNは格子定数差が大きく、混晶を形成したときに強い非混和性を示す。本研究ではGaNおよびInN厚膜上に成長したInAlGaN薄膜の混合エンタルピーを原子間ポテ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 105(91), 97-100, 2005-05-26

  • Thermodynamic stability of InAlGaN thin films grown on GaN and InN  [in Japanese]

    KANGAWA Yoshihiro , KAKIMOTO Koichi , ITO Tomonori , KOUKITU Akinori

    近年、InNの発光が赤外域(波長〜1500nm)で観測され、窒化物半導体を用いた発光素子の長波長化が検討されるようになった。具体的には高In組成のInGaNやInAlNを活性層とするデバイスの開発が行われている。しかし、InNとGaNおよびAlNは格子定数差が大きく、混晶を形成したときに強い非混和性を示す。本研究ではGaNおよびInN厚膜上に成長したInAlGaN薄膜の混合エンタルピーを原子間ポテ …

    IEICE technical report. Electron devices 105(89), 97-100, 2005-05-19

    References (5)

  • Thermodynamic stability of InAlGaN thin films grown on GaN and InN  [in Japanese]

    KANGAWA Yoshihiro , KAKIMOTO Koichi , ITO Tomonori , KOUKITU Akinori

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 105(91), 97-100, 2005-05-19

    References (5)

  • Thermodynamic stability of InAlGaN thin films grown on GaN and InN  [in Japanese]

    KANGAWA Yoshihiro , KAKIMOTO Koichi , ITO Tomonori , KOUKITU Akinori

    近年、InNの発光が赤外域(波長〜1500nm)で観測され、窒化物半導体を用いた発光素子の長波長化が検討されるようになった。具体的には高In組成のInGaNやInAlNを活性層とするデバイスの開発が行われている。しかし、InNとGaNおよびAlNは格子定数差が大きく、混晶を形成したときに強い非混和性を示す。本研究ではGaNおよびInN厚膜上に成長したInAlGaN薄膜の混合エンタルピーを原子間ポテ …

    Technical report of IEICE. SDM 105(93), 97-100, 2005-05-19

    References (5)

  • Thermodynamic analysis of compound semiconductors by vapor phase epitaxy  [in Japanese]

    KOUKITU Akinori , KANGAWA Yoshihiro , KUMAGAI Yoshinao , SEKI Hisashi

    <p>III-V族化合物半導体の気相成長(分子線成長法,有機金属気相成長法,ハイドライド気相成長法)における構成元素の固相への取り込みについて,熱力学の観点から述べる.二元化合物の成長の駆動力および三元や四元混晶における気相原料組成と固相組成の関係を実験値と比較し,議論する.その結果,成長速度および固相組成が熱力学的に解析できることを示す.熱力学的に予測される二元化合物の固相への取り込 …

    Oyo Buturi 74(5), 561-572, 2005-05-10

    J-STAGE  References (28)

  • 27aB01 Surface dependence of GaN growth on GaP substrates(NCCG-34)  [in Japanese]

    Fujino M. , Togashi R. , Matsuo Y. , Kangawa Y. , Kumagai Y. , Irisawa T. , Koukitu A.

    GaN growth on GaP(111)A and (111)B surfaces are discussed using P desorption energy from the GaP(111) surfaces calculated by ab initio pseudopotential method and surface morphology of GaN layers on th …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 31(3), 261, 2004

    J-STAGE  References (2)

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