中西 彊 Nakanishi Tsutomu

ID:9000003538099

名古屋大学 Nagoya University (2015年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 20

  • Spin-polarized Low Energy Electron Microscopy

    Koshikawa Takanori , Suzuki Masahiko , Yasue Tsuneo , Bauer E. , Nakanishi Tsutomu , Jin Xiuguang , Yoshikazu Takeda

    第4回真空会誌賞 受賞記念講演

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 35(0), 186, 2015

    J-STAGE 

  • Spin-polarized Low Energy Electron Microscopy  [in Japanese]

    KOSHIKAWA Takanori , SUZUKI Masahiko , YASUE Tsuneo , BAUER Ernst , NAKANISHI Tsutomu , JIN Xiuguang , TAKEDA Yoshikazu

      Low energy electron microscopy (LEEM) and photo-emission electron microscopy (PEEM) have been widely considered as powerful methods of real time observation with versatile functionality an …

    Journal of the Vacuum Society of Japan 57(10), 382-390, 2014

    J-STAGE 

  • Spin-Polarized Low Energy Electron Microscopy  [in Japanese]

    KOSHIKAWA Takanori , SUZUKI Masahiko , YASUE Tsuneo , BAUER Ernst , NAKANISHI Tsutomu , JIN Xiunuang , TAKEDA Yoshikazu

    顕微鏡 = Microscopy 48(1), 9-14, 2013-04-30

    References (29)

  • Development of Spin-Polarized and Pulsed Transmission Electron Microscope : Based on the Fundamentals and the Advantage of Polarized Electron Source  [in Japanese]

    KUWAHARA Makoto , NAKANISHI Tsutomu , TAKEDA Yoshikazu , TANAKA Nobuo

    顕微鏡 = Microscopy 48(1), 3-8, 2013-04-30

    References (21)

  • Development of a 500-kV photocathode DC electron gun for energy-recovery linacs:e-beam generation at 500 kV and installation in the Compact ERL  [in Japanese]

    Hajima Ryoichi , Kuwahara Makoto , Okumi Shoji , Nakanishi Tsutomu , Nishimori Nobuyuki , Nagai Ryoji , Yamamoto Masahiro , Miyajima Tsukasa , Honda Yosuke , Matsuba Shunya , Iijima Hokuto , Kuriki Masao

    大電流かつ低エミッタンスの電子ビームを加速可能なエネルギー回収型リニアック<br>(ERL)の開発を、次世代X線、γ線光源に向けて進めている。<br>われわれは、ERL用の電子源として、500kV光陰極DC電子銃の開発を行った。<br>JAEAにおける500kV ビーム試験の結果、 コンパクトERLへの移設、<br>コンパクトERL運転に …

    Proceedings of Annual / Fall Meetings of Atomic Energy Society of Japan 2013s(0), 105, 2013

    J-STAGE 

  • Development and Application of Low Energy Electron Microscopy with High Brightness, High Spin-Polarization, and Long Lifetime  [in Japanese]

    KOSHIKAWA T. , NAKANISHI T. , TAKEDA Y.

    まぐね = Magnetics Japan 6(6), 314-320, 2011-12-01

    References (23) Cited by (1)

  • Development of XHV systems for high brightness electron source  [in Japanese]

    Yamamoto Masahiro , Hajima Ryoichi , Nagai Ryoji , Nishimori Nobuyuki , Kuriki Masao , Iijima Hokuto , Kubo Daisuke , Nakanishi Tsutomu , Okumi Shoji , Kuwahara Makoto , Uchiyama Takashi , Miyajima Tsukasa , Honda Yosuke , Matsuba shunya , Sato Kotaro , Saito Yoshio , Kobayashi Masanori , Kurisu Hiroki

    次世代放射光源用加速器に用いるための負の電子親和性(NEA)表面の半導体光陰極を用いる500kV電子源の開発を進めている。カソード表面へダメージを与える主要因となる「残留ガスとビームの衝突により発生するイオンのカソードへの逆流」の問題を緩和するため極高真空が不可欠であり、装置自身からのガス放出速度を低く抑える事が重要である。そこで我々はチタン材で電子銃容器を製作し、セラミックに関しても耐電圧特性に …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30(0), 92-92, 2010

    J-STAGE 

  • High Spin Polarization and High Brightness Electron Source  [in Japanese]

    NAKANISHI Tsutomu

    A compact review of our research activities to improve various beam performances of spin polarized electron source, such as, 1) spin polarization, 2) quantum efficiency, 3) peak current density, 4) br …

    Hyomen Kagaku 29(11), 672-681, 2008-11-10

    J-STAGE  References (16)

  • Improvement of spin-polarization of strain compensated GaAs/GaAsP superlattice for polarized electron source  [in Japanese]

    KATO Takanori , SAKAI Ryosuke , TANIOKU Masatoshi , NAKAGAWA Yasuhide , MAEDA Yoshiki , JIN Xiuguang , FUCHI Shingo , YAMAMOTO Masahiro , UJIHARA Toru , NAKANISHI Tsutomu , TAKEDA Yoshikazu

    高偏極度・高量子効率の偏極電子源には半導体歪み起格子構造が有効である。我々は、さらなる量子効率の向上を目指し、歪み補償構造を採用することで結晶性の改善を行なった。その結果、量子効率は向上したが、逆に偏極度は減少した。起格子構造から電子が励起される場合、量子効率の励起光エネルギー依存性は状態密度を反映し、階段伏に変化する。 しかし、歪み補償構造においては、このような特徴が見られず、さらにバンド構造の …

    IEICE technical report 107(55), 109-114, 2007-05-24

    References (10)

  • Improvement of spin-polarization of strain compensated GaAs/GaAsP superlattice for polarized electron source  [in Japanese]

    KATO Takanori , SAKAI Ryosuke , TANIOKU Masatoshi , NAKAGAWA Yasuhide , MAEDA Yoshiki , JIN Xiuguang , FUCHI Shingo , YAMAMOTO Masahiro , UJIHARA Toru , NAKANISHI Tsutomu , TAKEDA Yoshikazu

    高偏極度・高量子効率の偏極電子源には半導体歪み起格子構造が有効である。我々は、さらなる量子効率の向上を目指し、歪み補償構造を採用することで結晶性の改善を行なった。その結果、量子効率は向上したが、逆に偏極度は減少した。起格子構造から電子が励起される場合、量子効率の励起光エネルギー依存性は状態密度を反映し、階段伏に変化する。 しかし、歪み補償構造においては、このような特徴が見られず、さらにバンド構造の …

    IEICE technical report 107(56), 109-114, 2007-05-17

    References (10)

  • Improvement of spin-polarization of strain compensated GaAs/GaAsP superlattice for polarized electron source  [in Japanese]

    KATO Takanori , SAKAI Ryosuke , TANIOKU Masatoshi , NAKAGAWA Yasuhide , MAEDA Yoshiki , JIN Xiuguang , FUCHI Shingo , YAMAMOTO Masahiro , UJIHARA Toru , NAKANISHI Tsutomu , TAKEDA Yoshikazu

    高偏極度・高量子効率の偏極電子源には半導体歪み起格子構造が有効である。我々は、さらなる量子効率の向上を目指し、歪み補償構造を採用することで結晶性の改善を行なった。その結果、量子効率は向上したが、逆に偏極度は減少した。起格子構造から電子が励起される場合、量子効率の励起光エネルギー依存性は状態密度を反映し、階段伏に変化する。 しかし、歪み補償構造においては、このような特徴が見られず、さらにバンド構造の …

    IEICE technical report 107(54), 109-114, 2007-05-17

    References (10)

  • Performance improvement of spin-polarized electron source based on high quality GaAs/GaAsP strain superlattice structure  [in Japanese]

    UJIHARA Toru , CHEN Bo , YASUI Kenichi , SAKAI Ryosuke , YAMAMOTO Masahiro , NAKANISHI Tsutomu , TAKEDA Yoshikazu

    我々は、これまでにGaAs/GaAsP歪み超格子構造によりスピン偏極電子源を作製し、世界最高となる92%の偏極度を実現してきた。しかし、量子効率については0.5%と十分ではなかった。本研究では、グレーディッドバッファ層と歪み補償構造の採用により、GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の改善を行うことで、量子効率の改善を目指した。これらの構造を採用することで、ミスフィットに起因する欠陥が減少し、 …

    IEICE technical report 106(46), 79-84, 2006-05-11

    References (9)

  • Performance improvement of spin-polarized electron source based on high quality GaAs/GaAsP strain superlattice structure  [in Japanese]

    UJIHARA Toru , CHEN Bo , YASUI Kenichi , SAKAI Ryosuke , YAMAMOTO Masahiro , NAKANISHI Tsutomu , TAKEDA Yoshikazu

    我々は、これまでにGaAs/GaAsP歪み超格子構造によりスピン偏極電子源を作製し、世界最高となる92%の偏極度を実現してきた。しかし、量子効率については0.5%と十分ではなかった。本研究では、グレーディッドバッファ層と歪み補償構造の採用により、GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の改善を行うことで、量子効率の改善を目指した。これらの構造を採用することで、ミスフィットに起因する欠陥が減少し、 …

    IEICE technical report 106(45), 79-84, 2006-05-11

    References (9) Cited by (2)

  • 得意技を持ち寄る共同開発  [in Japanese]

    中西 彊

    まてりあ : 日本金属学会会報 41(6), 444, 2002-06-20

    Cited by (1)

  • Spin Polarized Electron Source with a Strained Thin GaAs Layer.  [in Japanese]

    Saka Takashi , Kato Toshihiro , Nakanishi Tsutomu , Okumi Shoji , Horinaka Hiromichi

    Materia Japan 39(2), 169-171, 2000

    J-STAGE 

  • Spin Polarized electron Source  [in Japanese]

    Nakanishi Tsutomu

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 55.2.1(0), 14, 2000

    J-STAGE 

  • New-Type Spin Polarized Electron Source and Its Applications.  [in Japanese]

    Saka Takashi , Kato Toshihiro , Nakanishi Tsutomu , Okumi Shoji , Horinaka Hiromichi

    Materia Japan 37(8), 694-696, 1998

    J-STAGE 

  • Electronic and Magnetic Materials and Devices. Spin Dependent Luminescence of Strained-GaAs-Layer Photocathode of Polarized Electron Source.  [in Japanese]

    Horinaka Hiromichi , Nakanishi Tsutomu , Okumi Shoji , Saka Takashi , Kato Toshihiro

    Luminescence polarization was measured on strained GaAs samples fabricated as a spin polarized photocathode. Photoluminescence (PL) spectrum of the strained GaAs layer showed large polarization at the …

    DENKI-SEIKO 67(4), 253-259, 1996

    J-STAGE 

  • Electronics and Functional Materials. Spin Polarized Electron Sources with a Resonant Cavity.  [in Japanese]

    Saka Takashi , Kato Toshihiro , Nakanishi Tsutomu

    Spin polarized electrons are obtained by irradiating GaAs crystal with circularly polarized photons which excite electrons from the top of the valence band to the conduction band. The maximum polariza …

    DENKI-SEIKO 66(2), 83-89, 1995

    J-STAGE 

  • Spin-Polarized Electrons from a Strained GaAs Layer.  [in Japanese]

    Saka Takashi , Kato Toshihiro , Nakanishi Tsutomu

    A large enhancement of the spin polarization of photoelectrons has been observed. These are emitted from a 0.085μm thick strained GaAs (001) layer grown on GaAs<sub>1-x</sub> P<sub&g …

    DENKI-SEIKO 63(3), 186-191, 1992

    J-STAGE 

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