吉田 晴彦 YOSHIDA Haruhiko

ID:9000003649769

兵庫県立大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Hyogo (2005年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-5 of 5

  • Contactless Electorical characterization for SOI wafers  [in Japanese]

    UNO Ryohei , YOSHIDA Haruhiko , SATOU Shinichi

    本論文は非接触測定によるSOIウェーハの電気特性評価法を提案している。非接触測定では、従来のゲート電極の代わりに非接触電極を用いるため、ウェーハの電気特性評価を非接触非破壊で行うことができる。さらに、非接触電極をウェーハ上で走査させることにより、電気特性の面内分布を容易に評価することもできる。本論文では、走査型チャージポンピング法を用いてSOIウェーハの界面トラップのウェーハ面内分布の評価を行い、 …

    IEICE technical report 105(434), 19-24, 2005-11-25

    References (8)

  • Contactless Electorical characterization for SOI wafers  [in Japanese]

    UNO Ryohei , YOSHIDA Haruhiko , SATOU Shinichi

    本論文は非接触測定によるSOIウェーハの電気特性評価法を提案している。非接触測定では、従来のゲート電極の代わりに非接触電極を用いるため、ウェーハの電気特性評価を非接触非破壊で行うことができる。さらに、非接触電極をウェーハ上で走査させることにより、電気特性の面内分布を容易に評価することもできる。本論文では、走査型チャージポンピング法を用いてSOIウェーハの界面トラップのウェーハ面内分布の評価を行い、 …

    IEICE technical report 105(436), 19-24, 2005-11-18

    References (8)

  • Contactless Electorical characterization for SOI wafers  [in Japanese]

    UNO Ryohei , YOSHIDA Haruhiko , SATOU Shinichi

    本論文は非接触測定によるSOIウェーハの電気特性評価法を提案している。非接触測定では、従来のゲート電極の代わりに非接触電極を用いるため、ウェーハの電気特性評価を非接触非破壊で行うことができる。さらに、非接触電極をウェーハ上で走査させることにより、電気特性の面内分布を容易に評価することもできる。本論文では、走査型チャージポンピング法を用いてSOIウェーハの界面トラップのウェーハ面内分布の評価を行い、 …

    IEICE technical report 105(435), 19-24, 2005-11-18

    References (8)

  • Characterization of Semiconductor Materials at Sub-Micron Scale Using Scanning Capacitance Microscopy  [in Japanese]

    UCHIHASHI Takayuki , ISHIZUKA Yoshimori , YOSHIDA Haruhiko , KISHINO Seigo

    A scanning capacitance microscope (SCM) has been implemented by fabricating a contact-mode atomic force microscope (AFM) with a high-sensitive capacitance sensor. The SCM has promise as next-generatio …

    Journal of the Society of Materials Science, Japan 51(9), 995-998, 2002-09-15

    J-STAGE  References (7)

  • Evaluation of Deep Levels in Si-MOS Structure using ICTS Measurement  [in Japanese]

    IWAMOTO Susumu , YOSHIDA Haruhiko , KISHINO Seigo

    The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C 118(9), 1299-1308, 1998-09

    References (12)

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