若林 良昌 WAKABAYASHI Yoshiaki

ID:9000004737725

日本電気株式会社システム実装研究所 System Jisso Research Labs., NEC Corporation (2009年 CiNii収録論文より)

Search authors sharing the same name

Articles:  1-20 of 21

  • 1 / 2
  • C-2-43 76GHz Band Power Amplifier Flip Chip Module with Resin Substrate  [in Japanese]

    WAKABAYASHI Yoshiaki , MIYATA Akira , OHTSUKA Takashi , OHUCHI Akira , SHIBUYA Akinobu

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2009年_エレクトロニクス(1), 71, 2009-09-01

  • An Extraction Method of Material Constants by Transmission Line Measurements  [in Japanese]

    TOYAO Hiroshi , WAKABAYASHI Yoshiaki

    GHz帯の高周波領域では誘電材料等の材料定数が電磁界解析の精度を左右する。本報告ではプリント配線板上のマイクロストリップ配線の伝送特性から基板表面上のソルダーレジストの比誘電率を求める近似式を提案し、抽出した比誘電率を電磁界解析に適用することで解析精度が向上することを示す。またシングルエンド配線測定から抽出した比誘電率を、電界分布の異なる差動配線の電磁界解析モデルに適用した場合も解析結果が実測と一 …

    IEICE technical report 107(425), 83-86, 2008-04-11

    References (4)

  • An Extraction Method of Material Constants by Transmission Line Measurements  [in Japanese]

    TOYAO Hiroshi , WAKABAYASHI Yoshiaki

    GHz帯の高周波領域では誘電材料等の材料定数が電磁界解析の精度を左右する。本報告ではプリント配線板状のマイクロストリップ配線の伝送特性から基板表面上のソルダーレジストの比誘電率を求める近似式を提案し、抽出した比誘電率を電磁界解析に適用することで解析精度が向上することを示す。またシングルエンド配線測定から抽出した比誘電率を、電解分布の異なる差動配線の電磁界解析モデルに適用した場合も解析結果が実測と一 …

    IEICE technical report 107(426), 83-86, 2008-01-17

    References (4)

  • Novel Power Distribution Technology fitting to the High-Performance Digital Board  [in Japanese]

    TOHYA Hirokazu , MASUDA Koichiro , WAKABAYASHI Yoshiaki , MORISHITA Ken , KUSUMOTO Manabu

    ディジタル回路は、信号並びに電源電流に非常に広い帯域の高調波を含むという点でアナログ回路と異なっている。ディジタル回路の電源分配回路には、広い周波数帯域に亘って、信号配線に比べて充分インピーダンスが低く、かつ信号配線との間の高周波結合が少ないことが要求される。我々が開発中の低インピーダンスを有する線路構造素子(LILC:low impedance line structure component) …

    Technical report of IEICE. Energy engineering in electronics and communications 103(653), 33-38, 2004-02-06

    References (6)

  • Characteristics of a Low Impedance Line Structure Component mounted in a printed circuit board.  [in Japanese]

    MASUDA Koichiro , KUSUMOTO Manabu , WAKABAYASHI Yoshiaki , TOHYA Hirokazu

    電子機器の放射妨害波(EMI)や電磁干渉は、回路の高速,高周波化に伴い、ますます重要な問題となっている。最近は、デジタル回路とアナログ回路が混在するようになっており回路間の電磁干渉抑制が課題となっている。電源デカップリングは、LSIや回路のスイッチングによって発生する高周波電力を、発生源近傍に封じ込め、周囲へ伝搬しないよう抑制する手段として行われる。電子回路の安定動作を目的に、低インピーダンス線路 …

    IEICE technical report. Electromagnetic compatibility 103(369), 63-68, 2003-10-20

  • Characteristics of a Low Impedance Line Structure Component mounted in a printed circuit board  [in Japanese]

    MASUDA Koichiro , KUSUMOTO Manabu , WAKABAYASHI Yoshiaki , TOHYA Hirokazu

    電子機器の放射妨害波(EMI)や電磁干渉は、回路の高速,高周波化に伴い、ますます重要な問題となっている。最近は、デジタル回路とアナログ回路が混在するようになっており回路間の電磁干渉抑制が課題となっている。電源デカップリングは、LSIや回路のスイッチングによって発生する高周波電力を、発生源近傍に封じ込め、周囲へ伝搬しないよう抑制する手段として行われる。電子回路の安定動作を目的に、低インピーダンス線路 …

    IEICE technical report. Microwaves 103(371), 63-68, 2003-10-13

    References (13)

  • Characteristics of a Low Impedance Line Structure Component mounted in a printed circuit board  [in Japanese]

    MASUDA Koichiro , KUSUMOTO Manabu , WAKABAYASHI Yoshiaki , TOHYA Hirokazu

    電子情報通信学会技術研究報告. EMCJ, 環境電磁工学 103(369), 63-68, 2003-10-13

    References (13)

  • 携帯電話用単一正電源高効率パワーアンプMMIC (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)  [in Japanese]

    若林 良昌 , 吉田 貞義 , 上村 和義

    NEC技報 53(4), 74-76, 2000-04

  • A L-Band PA MMIC with 70% PAE  [in Japanese]

    WAKABAYASHI Yoshiaki , YOSHIDA Sadayoshi , UEMURA Kazuyoshi

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1999年.エレクトロニクスソサイエティ大会(2), 41, 1999-08-16

  • Enhancement Mode HJFET for High Efficient Operation  [in Japanese]

    Wakabayashi Yoshiaki , Yoshida Sadayoshi , Uemura Kazuyoshi

    Proceedings of the IEICE General Conference 1999年.エレクトロニクス(2), 73, 1999-03-08

  • E-mode GaAs HJFET for Power Amplifier MMIC of Handy Phones  [in Japanese]

    YOSHIDA Sadayoshi , WAKABAYASHI Yoshiaki , UEMURA Kazuyoshi

    携帯電話の長時間使用のためには、通話時間における低電力化(パワーアンプの電力効率向上)に加え、待ち受け時間時の低消費電力化が重要である。このためには、待ち受け時に、パワーアンプ(PA)のドレインリーク電流を遮断することが必要である。今回我々は、このために、ゲートバイアスをOVにした時のリーク電流を遮断できる完全エンハンスメント型GaAsヘテロジャンクションFET(E-HJFET)を新たに開発した。 …

    Technical report of IEICE. ICD 98(525), 1-6, 1999-01-22

    References (3)

  • E-mode GaAs HJFET for Power Amplifier MMIC of Handy Phones  [in Japanese]

    YOSHIDA Sadayoshi , WAKABAYASHI Yoshiaki , UEMURA Kazuyoshi

    携帯電話の長時間使用のためには、通話時間における低電力化(パワーアンプの電力効率向上)に加え、待ち受け時間時の低消費電力化が重要である。このためには、待ち受け時に、パワーアンプ(PA)のドレインリーク電流を遮断することが必要である。今回我々は、このために、ゲートバイアスをOVにした時のリーク電流を遮断できる完全エンハンスメント型GaAsヘテロジャンクションFET(E-HJFET)を新たに開発した。 …

    IEICE technical report. Electron devices 98(519), 1-6, 1999-01-22

    References (3)

  • E-mode GaAs HJFET for Power Amplifier MMIC of Handy Phones  [in Japanese]

    YOSHIDA Sadayoshi , WAKABAYASHI Yoshiaki , UEMURA Kazuyoshi

    携帯電話の長時間使用のためには、通話時間における低電力化(パワーアンプの電力効率向上)に加え、待ち受け時間時の低消費電力化が重要である。このためには、待ち受け時に、パワーアンプ(PA)のドレインリーク電流を遮断することが必要である。今回我々は、このために、ゲートバイアスをOVにした時のリーク電流を遮断できる完全エンハンスメント型GaAsヘテロジャンクションFET(E-HJFET)を新たに開発した。 …

    IEICE technical report. Microwaves 98(522), 1-6, 1999-01-22

    References (3)

  • Hetero Junction FET and MMIC for Single Voltage Operation  [in Japanese]

    UEMURA Kazuyoshi , YOSHIDA Sadayoshi , OIKAWA Ryuichi , WAKABAYASHI Yoshiaki , KOHNO Michihisa

    GaAsMMICの単一電源動作化菓のために、しきい値電圧が-0.1Vの疑似エンハンスメント型HJFETを開発した。このHJFETは極めて浅いしきい値電圧にも関わらず最大ドレイン電流370mA/mm、最大相互コンダクタンス350mS/mmとパワー素子用FETとして良好な性能示した。このHJFETを用いて単一電源動作PDC用パワーアンプMMICを設計、試作した。その結果、電源電圧3.4V単一電源、周波 …

    Technical report of IEICE. ICD 98(120), 47-52, 1998-06-18

    References (6)

  • Hetero Junction FET and MMIC for Single Voltage Operation  [in Japanese]

    UEMURA Kazuyoshi , YOSHIDA Sadayoshi , OIKAWA Ryuichi , WAKABAYASHI Yoshiaki , KOHNO Michihisa

    GaAsMMICの単一電源動作化菓のために、しきい値電圧が-0.1Vの疑似エンハンスメント型HJFETを開発した。このHJFETは極めて浅いしきい値電圧にも関わらず最大ドレイン電流370mA/mm、最大相互コンダクタンス350mS/mmとパワー素子用FETとして良好な性能示した。このHJFETを用いて単一電源動作PDC用パワーアンプMMICを設計、試作した。その結果、電源電圧3.4V単一電源、周波 …

    Technical report of IEICE. SDM 98(118), 47-52, 1998-06-18

    References (6)

  • Hetero Junction FET and MMIC for Single Voltage Operation  [in Japanese]

    UEMURA Kazuyoshi , YOSHIDA Sadayoshi , OIKAWA Ryuichi , WAKABAYASHI Yoshiaki , KOHNO Michihisa

    GaAsMMICの単一電源動作化のために、しきい値電圧が-0.1Vの疑似エンハンスメント型HJFETを開発した。このHJFETは極めて浅いしきい値電圧にも関わらず最大ドレイン電流370mA/mm、最大相互コンダクタンス350mS/mmとパワー素子用FETとして良好な性能示した。このHJFETを用いて単一電源動作PDC用パワーアンプMMICを設計、試作した。その結果、電源電圧3.4V単一電源、周波数 …

    IEICE technical report. Electron devices 98(116), 47-52, 1998-06-18

    References (6)

  • GaAs IW Power AMP. IC with Single Supply Voltage Operation for PDC  [in Japanese]

    Yoshida Sadayoshi , Wakabayashi Yoshiaki , Oikawa Ryuichi , Kohno Michihisa , Uemura Kazuyoshi

    Proceedings of the IEICE General Conference 1998年.エレクトロニクス(2), 99, 1998-03-06

  • A New Large-Signal FET Model for Distortion Characteristics Design  [in Japanese]

    Takahashi H. , Wakabayashi Y. , Kuzuhara M.

    Proceedings of the IEICE General Conference 1998年.エレクトロニクス(1), 449, 1998-03-06

  • GaAs Driver-Amp. with Single Supply Voltage Operation for PDC  [in Japanese]

    Yoshida Sadayoshi , Wakabayashi Yosiaki , Oikawa Ryuichi , Kohno Michihisa , Uemura Kazuyoshi

    近年、携帯電話をはじめとする移動体通信では、端末器の小型化のために、負電源を必要としないGaAs系デバイスの開発が盛んに行われている。今回デバイスの単一電源動作及び小型化を目的に、しきい値電圧(Vth)の浅い擬似エンハンスメント動作のヘテロ接合FET(HJFET)を開発し、そのFETを用いて2段アンプICを設計, 試作した。その結果, 電源電圧 VDD=3.OV、周波数 f=950MHz において …

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1997年.エレクトロニクス(2), 38, 1997-08-13

  • The Wideband Low Distortion Amplifier Using Gallium Arsenide  [in Japanese]

    FUKASAWA Yoshiaki , KAKUTA Yuuji , WAKABAYASHI Yoshiaki , SHIRAKAWA Yasuhiro , KITAMURA Kazuya , ASANO Yoshitake

    GaAs FETを使用した広帯域、低歪増幅器マルチチップIC (MCIC)を開発した。24V単電源動作にて, 周波数50〜770MHzで22dB以上の線形利得を示した。多チャンネルキャリアによる複合3次歪は、77ch入力時に-66dB(出力-4.75dBm/波において)を得た。FET及び一部の抵抗はMMIC化して、パラスティックなL成分、C成分を低減したため広帯域にわたり高い利得を達成した。

    IEICE technical report. Electron devices 95(449), 37-41, 1996-01-18

    References (2)

  • 1 / 2
Page Top