池田 乙元 IKEDA Takaharu

ID:9000004745220

金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology, Kanazawa University (2003年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-7 of 7

  • Preparation of ultra-high B doped Si/GeB superlattice structure and its thermoelectoric properties  [in Japanese]

    KITAI Masahiro , IKEDA Takaharu , SASAKI Kimihiro , HATA Tomonobu , MORITA Shinichi

    イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて,Si/GeB超格子構造の作製とその熱電特性について検討を行った。本報告では基板温度,基板を変化させて成膜を行い常温において大きなゼーベック係数を得られる条件を探った。基板温度変化においては,室温で堆積したもので最も大きなゼーベック係数が得られた。しかし,基板温度が500℃では急激に減少してしまった。また,エピタキシャル成長による影響を検討するため,Si基板 …

    Technical report of IEICE. SDM 103(51), 85-89, 2003-05-09

    References (5)

  • Preparation of ultra-high B doped Si/GeB superlattice structure and its thermoelectoric properties  [in Japanese]

    KITAI Masahiro , IKEDA Takaharu , SASAKI Kimihiro , HATA Tomonobu , MORITA Shinichi

    イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて、Si/GeB超格子構造の作製とその熱電特性について検討を行った。本報告では基板温度、基板を変化させて成膜を行い、常温において大きなゼーベック係数を得られる条件を探った。基板温度変化においては、室温で堆積したもので最も大きなゼーベック係数が得られた。しかし、基板温度が500℃では急激に減少してしまった。また、エピタキシャル成長による影響を検討するため、Si基 …

    IEICE technical report. Electron devices 103(47), 85-89, 2003-05-09

    References (5)

  • Preparation of ultra-high B doped Si/GeB superlattice structure and its thermoelectoric properties  [in Japanese]

    KITAI Masahiro , IKEDA Takaharu , SASAKI Kimihiro , HATA Tomonobu , MORITA Shinichi

    イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて、Si/GeB超格子構造の作製とその熱電特性について検討を行った。本報告では基板温度、基板を変化させて成膜を行い、常温において大きなゼーベック係数を得られる条件を探った。基板温度変化においては、室温で堆積したもので最も大きなゼーベック係数が得られた。しかし、基板温度が500℃では急激に減少してしまった。また、エピタキシャル成長による影響を検討するため、Si基 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 103(49), 85-89, 2003-05-09

    References (5)

  • Investigation of Sputtering Gases on IBS Growth of Si and Ge  [in Japanese]

    IKEDA Takaharu , KONTA Haruhiko , SUGINO Makoto , SASAKI Kimihiro , HATA Tomonobu

    イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて、Si/GeB超格子構造の作製とその評価を行っている。本報告はその初期段階として、Si層の結晶性および表面形態の向上を目的に、スパッタガスをKr、Xeとした場合でのSi、Ge膜の評価を行った。まず、スパッタリングシミュレーションを用いて検討したところ、Arに比べKr、Xeはターゲット表面から放出される粒子の運動エネルギーが低いことがわかった。粒子の低エネルギ …

    Technical report of IEICE. SDM 102(81), 49-53, 2002-05-17

    References (6)

  • Investigation of Sputtering Gases on IBS Growth of Si and Ge  [in Japanese]

    IKEDA Takaharu , KONTA Haruhiko , SUGINO Makoto , SASAKI Kimihiro , HATA Tomonobu

    イオンビームスパッタ(IBS)法を用いて、Si/GeB超格子構造の作製とその評価を行っている。本報告はその初期段階として、Si層の結晶性および表面形態の向上を目的に、スパッタガスをKr、Xeとした場合でのSi、Ge膜の評価を行った。まず、スパッタリングシミュレーションを用いて検討したところ、Arに比べKr、Xeはターゲット表面から放出される粒子の運動エネルギーが低いことがわかった。粒子の低エネルギ …

    IEICE technical report. Electron devices 102(77), 49-53, 2002-05-17

    References (6)

  • Investigation of Sputtering Gases on IBS Growth of Si and Ge  [in Japanese]

    IKEDA Takaharu , KONTA Haruhiko , SUGINO Makoto , SASAKI Kimihiro , HATA Tomonobu

    イオンビームスパッタ(IBS)法を用いくSi/GeB超格子構造の作製とその評価を行っている。本報告はその初期段階として、Si層の結晶性および表面形態の向上を目的に、スパッタガスをKr、Xeとした場合でのSi、Ge膜の評価を行った。まず、スパッタリングシミュレーションを用いて検討したところ、Arに比べKr、Xeはターゲット表面から放出される粒子の運動エネルギーが低いことがわかった。粒子の低エネルギー …

    IEICE technical report. Component parts and materials 102(79), 49-53, 2002-05-17

    References (6)

  • Hydrogen Addition Effect on SiGe Growth by Ion-Beam Sputter Technique  [in Japanese]

    SASAKI K. , IKEDA T. , TAKAHASHI Y. , HATA T.

    イオンビームスパッタ法を用いたSiGe薄膜作製における水素の効果について議論している。本方法では、膜厚を制御性よくかつ再現性よく作製できることを示している。水素導入なしでSi(100)基板上にGe薄膜を形成し、その上にSiを成長させると、Geは表面偏析を起こし成長Si膜中に取り込まれ急峻なSi/Geヘテロ界面が得られない。水素を導入するとサーファクタント効果により効果的にこの偏析が抑制された。しか …

    IEICE technical report. Component parts and materials 101(395), 95-100, 2001-10-19

    References (7)

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