藤井 憲一 FUJII Kenichi

ID:9000004746783

株式会社Wave Technology Wave Technology Inc. (2013年 CiNii収録論文より)

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  • Study on the design method for three-coupled-resonator wireless power transfer system using calculation of the electric power  [in Japanese]

    YAMAMOTO Teruhiko , ISHIDA Tetsuya , FUJII Kenichi , ISHIZAKI Toshio

    2つの送電用共振器と1つの受電用共振器を使用した3共振系無線電力伝送システムの設計理論を求めるために,等価回路から供給電力,出力電力および伝送効率の定式化を行い,式の関係から電力式について考察した.各電力式から出力電力,伝送効率が最大となる条件の導出を行なった.そして電磁界シミュレーションを用いてシミュレーション上の最大条件と導出を行なった最大条件の一致を確認し,3共振系無線電力伝送システムの明確 …

    IEICE technical report. Microwaves 113(70), 35-40, 2013-05-30

  • Stabilization Technique for Multi-Finger FET Using Resistive Gate Feed Structure  [in Japanese]

    GOTOU Seiki , KUNII Tetsuo , FUJII Kenichi , HOSOKAWA Yoshihiro , SASAKI Yoshinobu , INOUE Akira , ISHIKAWA Takahide

    多数のゲートを並列合成した高出力FETの安定化をはかるため、ゲートフィンガーを結線しているフィード部の構造を改善し、GaAsオンチップにFETのセル間抵抗を形成した抵抗装荷型ゲートフィード構造を提案した。安定性解析とレイアウト設計には多数の能動素子間の安定性を包括的に評価できるNDF(Normalized Determinant Funciton)判別法[1,2]を用い、セル間抵抗値の最適化を行な …

    IEICE technical report. Microwaves 103(562), 7-12, 2004-01-13

    References (6)

  • Stabilization Technique for Multi-Finger FET Using Resistive Gate Feed Structure  [in Japanese]

    GOTOU Seiki , KUNII Tetsuo , FUJII Kenichi , HOSOKAWA Yoshihiro , SASAKI Yoshinobu , INOUE Akira , ISHIKAWA Takahide

    多数のゲートを並列合成した高出力FETの安定化をはかるため、ゲートフィンガーを結線しているフィード部の構造を改善し、GaAsオンチップにFETのセル間抵抗を形成した抵抗装荷型ゲートフィード構造を提案した。安定性解析とレイアウト設計には多数の能動素子間の安定性を包括的に評価できるNDF(Normalized Determinant Funciton)判別法[1,2]を用い、セル間抵抗値の最適化を行な …

    IEICE technical report. Electron devices 103(559), 7-12, 2004-01-13

    References (6)

  • Stabilization on Muti-Finger FET Using Resistive Branched Gate Feed Structure  [in Japanese]

    Goto S. , Kunii T. , Fujii K. , Hosokawa Y. , Sasaki Y. , Inoue A. , Ishikawa T.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2003年_エレクトロニクス(2), 62, 2003-09-10

  • Stability Analysis on Paralleled Combined FET Cells Using Nyquist Technique  [in Japanese]

    Goto S. , Kunii T. , Fujii K. , Hosokawa Y. , Sasaki Y. , Inoue A. , Hattori R.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2002年_エレクトロニクス(2), 44, 2002-08-20

  • 基地局用高出力FET (特集 光・マイクロ波デバイス)  [in Japanese]

    國井 徹郎 , 後藤 清毅 , 藤井 憲一

    三菱電機技報 73(7), 529-532, 1999-07

  • Calculation Method for Loop Oscillations of Microwave Power Amplifiers with Several Closed Loop Circuits and Split-Cell Metching Method for High Stability  [in Japanese]

    TARUI Yukinobu , FUJII Kenichi , ITOH Yasushi

    複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振について, ループ発振が各閉ループに依存した周波数で生じることを計算で示し, 実験で確かめた. 次に低インピーダンス線路を用いて整合をとった場合に生じるFETセル間のアンバランスによるループ発振について発振周波数を計算し, 実験結果と比較した. 最後にFETセルを分割して整合をとり, 整合回路間にアイソレーション抵抗を装荷することにより, F …

    The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C-(0xF9C1) 00082(00007), pp.429-438, 1999-07

    References (7) Cited by (5)

  • Analysis of Loop Oscillations for Microwave Power Amplifiers with Several Closed Loop Circuits(3)  [in Japanese]

    Itoh Y. , Tarui Y. , Nakahara K. , Uchida H. , Fujii K. , Inami K.

    Proceedings of the IEICE General Conference 1999年.エレクトロニクス(1), 86, 1999-03-08

  • Analysis of Loop Oscillations for Microwave Power Amplifiers with Several Closed Loop Circuits(2)  [in Japanese]

    Itoh Y. , Tarui Y. , Nakahara K. , Uchida H. , Fujii K. , Inami K.

    Proceedings of the IEICE General Conference 1999年.エレクトロニクス(1), 85, 1999-03-08

  • A 100W AlGaAs/GaAs Hetero-structure FET for Base Stations of Wireless Personal Communications  [in Japanese]

    GOTO S. , FUJII K. , KUNII T. , SUZUKI S. , YOSHIDA N. , SAKAMOTO S. , FUJIOKA K. , TANINO N.

    携帯端末基地局向けに高出力, 高効率かつ低歪特性を有する100W出力AlGaAs/GaAs HFET(Hetero-structure FET)を開発した。今回開発した素子はチップコストの低減のため, チップサイズの小型化を行った。単位ゲートフィンガー長の長尺化(800μm)により, 25W出力1チップFETとしては最小のサイズ(1.4×2.6mm^2)を実現した。本チップをパッケージ内で4合成し …

    Technical report of IEICE. ICD 98(525), 23-27, 1999-01-22

    References (2)

  • A 100W AlGaAs/GaAs Hetero-structure FET for Base Stations of Wireless Personal Communications  [in Japanese]

    GOTO S. , FUJII K. , KUNII T. , SUZUKI S. , YOSHIDA N. , SAKAMOTO S. , FUJIOKA K. , TANINO N.

    携帯端末基地局向けに高出力、高効率かつ低歪特性を有する100W出力AlGaAs/GaAs HFET(Hetero-structure FET)を開発した。今回開発した素子はチップコストの低減のため, チップサイズの小型化を行った。単位ゲートフィンガー長の長尺化(800μm)により, 25W出力1チップFETとしては最小のサイズ(1.4×2.6mm^2)を実現した。本チップをパッケージ内で4合成し, …

    IEICE technical report. Electron devices 98(519), 23-27, 1999-01-22

    References (2)

  • A 100W AlGaAs/GaAs Hetero-structure FET for Base Stations of Wireless Personal Communications  [in Japanese]

    GOTO S. , FUJII K. , KUNII T. , SUZUKI S. , YOSHIDA N. , SAKAMOTO S. , FUJIOKA K. , TANINO N.

    携帯端末基地局向けに高出力、高効率かつ低歪特性を有する100W出力AlGaAs/GaAs HFET(Hetero-structure FET)を開発した。今回開発した素子はチップコストの低減のため, チップサイズの小型化を行った。単位ゲートフィンガー長の長尺化(800μm)により, 25W出力1チップFETとしては最小のサイズ(1.4×2.6mm^2)を実現した。本チップをパッケージ内で4合成し, …

    IEICE technical report. Microwaves 98(522), 23-27, 1999-01-22

    References (2)

  • Analysis of Loop Oscillations for Microwave Power Amplifiers with Several Closed Loop Circuits  [in Japanese]

    Itoh Y. , Nakahara K. , Uchida H. , Ohshima T. , Fujii K. , Inami K.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1998年.エレクトロニクス(1), 74, 1998-09-07

  • Calculation Method for Loop Oscillations of Microwave Power Amplifiers with Several Closed Loop Circuits and Split-Cell Matching Method for High Stability  [in Japanese]

    TARUI Yukinobu , FUJII Kenichi , ITOH Yasushi

    複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振について, ループ発振が各閉ループに依存した周波数で生じることを計算で示し, 実験で確かめた.次に低インピーダンス線路を用いて整合をとった場合に生じるFETセル間のアンバランスによるループ発振について発振周波数を計算し, 実験結果と比較した.最後にFETセルを分割して整合をとり, 整合回路間にアイソレーション抵抗を装荷することにより, FET …

    Technical report of IEICE. OPE 98(125), 1-8, 1998-06-19

    References (7)

  • Calculation Method for Loop Oscillations of Microwave Power Amplifiers with Several Closed Loop Circuits and Split-Cell Matching Method for High Stability  [in Japanese]

    TARUI Yukinobu , FUJII Kenichi , ITOH Yasushi

    複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振について, ループ発振が各閉ループに依存した周波数で生じることを計算で示し, 実験で確かめた.次に低インピーダンス線路を用いて整合をとった場合に生じるFETセル間のアンバランスによるループ発振について発振周波数を計算し, 実験結果と比較した.最後にFETセルを分割して整合をとり, 整合回路間にアイソレーション抵抗を装荷することにより, FET …

    IEICE technical report. Microwaves 98(123), 1-8, 1998-06-19

    References (7) Cited by (1)

  • Split-Cell Mathced High Power Amplifier With High Stability Using Isolation Resistors  [in Japanese]

    Tarui Yukinobu , Fujii Kenichi , Itoh Yasushi

    高出力増幅器の高安定化を図るために, FETセルを分割して整合をとり, また各FETセル間にアイソレーション抵抗を装荷するFETセル分割整合方式を用いてC帯20W増幅器を設計, 試作したので報告する.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1997年.エレクトロニクス(1), 65, 1997-08-13

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