芦田 裕 ASHIDA Hiroshi

ID:9000004754375

富士通株式会社ULSI開発部 FUJITSU LIMITED , Izawa-gun (2000年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-3 of 3

  • Process Degradation of a Ferroelectric Capacitor  [in Japanese]

    TAMURA Tetsuro , TAKAI Kazuki , MATSUURA Katsuyosi , ASHIDA Hiroshi , KONDO Kazuaki , OTANIShigemoto

    強誘電体メモリに用いられる(Pb, La)(Zr, Ti)O_3(PLZT)などの酸化物材料は還元雰囲気下で結晶欠陥を生じ, 強誘電体特性が劣化する.半導体プロセスでは, 層間絶縁膜の成長ガス中に水素が含まれるほか, 絶縁膜中の水分が配線材料と反応して水素を発生し, キャパシタの特性劣化を招くことがわかった.これはデバイスの高集積化や, 多層配線を用いる上での問題となる.したがって, 水素の発生を …

    The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C 00083(00001), 53-59, 2000-01-25

    References (6)

  • Process Degradation of a Ferroelectric Capacitor  [in Japanese]

    TAMURA T. , TAKAI T. , MATSUURA K. , ASHIDA H. , KONDO K. , OTANI S.

    強誘電体メモリに用いられる(Pb,La)(Zr,Ti)O_3(PLZT)などの材料は還元雰囲気下で容易に欠陥を生じ、残留分極が減少する。半導体プロセスでは、層間絶縁膜の成長ガス中に水素が含まれる他、絶縁膜中の水分が配線材料と反応して水素を発生し、キャパシタの特性劣化を招くことがわかった。これはデバイスの高集積化や、多層配線を用いる上での問題となる。従って、水素の発生を防ぐプロセスとともに、キャパシ …

    Technical report of IEICE. SDM 98(592), 27-33, 1999-02-15

    References (6)

  • Process Degradation of a Ferroelectric Capacitor  [in Japanese]

    TAMURA T. , TAKAI T. , MATSUURA K. , ASHIDA H. , KONDO K. , OTANI S.

    強誘電体メモリに用いられる(Pb,La)(Zr,Ti)O_3(PLZT)などの材料は還元雰囲気下で容易に欠陥を生じ、残留分極が減少する。半導体プロセスでは、層間絶縁膜の成長ガス中に水素が含まれる他、絶縁膜中の水分が配線材料と反応して水素を発生し、キャパシタの特性劣化を招くことがわかった。これはデバイスの高集積化や、多層配線を用いる上での問題となる。従って、水素の発生を防ぐプロセスとともに、キャパシ …

    IEICE technical report. Electron devices 98(590), 27-33, 1999-02-15

    References (6)

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