村上 義和 MURAKAMI Yoshikazu

ID:9000004754495

ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Coretechnology & Network Company, Sony Corporation (2000年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-1 of 1

  • An Analysis of Higher-Order IMD Depending on Source Impedance of a GaAs FET and Its Application to a Design of Low Distortion MMIC Power Amplifiers  [in Japanese]

    KUSUNOKI Shigeo , FURUTA Takeshi , MURAKAMI Yoshikazu

    ディジタル携帯電話システムで用いられるπ/4シフトQPSK変調方式は, 周波数利用効率を重視するものであるが, 電力増幅器としては線形性が要求され, 効率の点で厳しい条件となっている.本研究は, この問題を解決する一指針を提案するものである.本研究では, ACPの入力依存性に生じる変曲点あるいはバンプがひずみの低減に有効な場合があることに注目し, FETのゲートに接続するインピーダンスをZesとし …

    The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C 00083(00006), 542-552, 2000-06-25

    References (22) Cited by (3)

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