富田 正俊 TOMITA Masatoshi

ID:9000004765181

NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Res. Labs., NEC Corporation (2000年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-19 of 19

  • InGaP/GaAs HBT Power Module for 1.9 GHz CDMA Handsets  [in Japanese]

    Nishimura T.B. , Tomita M. , Bito Y. , Hau G. , Tanomura M. , Miyoshi Y. , Harima F. , Azuma K. , Shimawaki H. , Iwata N.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2000年エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集(2), 60, 2000-09-07

  • W-CDMA Power Performance of Enhancement-Mode Heterojunction FET Utilizing Al_<0.5>Ga_<0.5>As Barrier Layer  [in Japanese]

    Bito Y. , Kato T. , Tomita M. , Iwata N.

    Proceedings of the IEICE General Conference 2000年.エレクトロニクス(2), 79, 2000-03-07

  • High Efficiency Operation of Power Heterojunction FET with Drain Bias Supply Control of less than 3.5V for W-CDMA Handsets  [in Japanese]

    IWATA Naotaka , NISHIMURA Takeshi B. , KATO Takehiko , HAU Gary , TOMITA Masatoshi , BITO Yasunori

    This paper describes W-CDMA power performance of a double-doped heterojunction FET (HJFET) with a novel multilayer cap. With an optimum impedance matching at a reduced quiescent drain current (I_q) of …

    Technical report of IEICE. ICD 99(150), 77-82, 1999-06-25

    References (3)

  • High Efficiency Operation of Power Heterojunction FET with Drain Bias Supply Control of less than 3.5V for W-CDMA Handsets  [in Japanese]

    IWATA Naotaka , NISHIMURA Takeshi B. , KATO Takehiko , HAU Gary , TOMITA Masatoshi , BITO Yasunori

    This paper describes W-CDMA power performance of a double-doped heterojunction FET (HJFET) with a novel multilayer cap. With an optimum impedance matching at a reduced quiescent drain current (I_q) of …

    Technical report of IEICE. SDM 99(148), 77-82, 1999-06-25

    References (3)

  • High Efficiency Operation of Power Heterojunction FET with Drain Bias Supply Control of less than 3.5V for W-CDMA Handsets  [in Japanese]

    IWATA Naotaka , NISHIMURA Takeshi B. , KATO Takehiko , TOMITA Masatoshi , BITO Yasunori , HAU Gary

    This paper describes W-CDMA power performance of a double-doped heterojunction FET (HJFET) with a novel multilayer cap. With an optimum impedance matching at a reduced quiescent drain current (I_q) of …

    IEICE technical report. Electron devices 99(146), 77-82, 1999-06-25

    References (3)

  • High Efficiency Operation over Wide Range Output Power of HJFET for Wide-Band CDMA Cellular Phones  [in Japanese]

    Nishimura Takeshi B. , Hau Gary , Tomita Masatoshi , Iwata Naotaka

    Proceedings of the IEICE General Conference 1999年.エレクトロニクス(2), 75, 1999-03-08

  • 3.5V Operation Power HJFET with 44% Efficiency for Wide-Band CDMA Cellular Phones  [in Japanese]

    Nishimura T.B. , Bito Y. , Tomita T. , Hau Gary , Iwata N.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1998年.エレクトロニクス(2), 49, 1998-09-07

  • 64% Efficiency Enhancement-Mode Power Heterojunction FET for 3.5V Li-Ion Battery Operated Personal Digital Cellular Phones  [in Japanese]

    Bito Y. , Iwata N. , Tomita M.

    Proceedings of the IEICE General Conference 1998年.エレクトロニクス(2), 103, 1998-03-06

  • Power Amplifier MMICs Utilizing SrTiO_3 Capacitors For Mobile Communication Systems  [in Japanese]

    NISHIMURA Takeshi B. , IWATA Naotaka , YAMAGUCHI Keiko , TOMITA Masatoshi , TAKEMURA Koichi , MIYASAKA Yoichi

    We fabricated two-stage power amplifier MMICs utilizing double-doped heterojunction FETs and SrTiO_3 capacitors for personal digital cellular (PDC), Code division multiple access (CDMA) and wireless l …

    Technical report of IEICE. ICD 97(480), 21-26, 1998-01-21

    References (4)

  • Power Amplifier MMICs Utilizing SrTiO_3 Capacitors For Mobile Communication Systems  [in Japanese]

    NISHIMURA Takeshi B. , IWATA Naotaka , YAMAGUCHI Keiko , TOMITA Masatoshi , TAKEMURA Koichi , MIYASAKA Yoichi

    We fabricated two-stage power amplifier MMICs utilizing double-doped heterojunction FETs and SrTiO_3 capacitors for personal digital cellular (PDC), Code division multiple access (CDMA) and wireless l …

    IEICE technical report. Electron devices 97(474), 21-26, 1998-01-21

    References (4)

  • Power Amplifier MMICs Utilizing SrTiO_3 Capacitors For Mobile Communication Systems  [in Japanese]

    NISHIMURA Takeshi B. , IWATA Naotaka , YAMAGUCHI Keiko , TOMITA Masatoshi , TAKEMURA Koichi , MIYASAKA Yoichi

    We fabricated two-stage power amplifier MMICs utilizing double-doped heterojunction FETs and SrTiO_3 capacitors for personal digital cellular (PDC), Code division multiple access (CDMA) and wireless l …

    IEICE technical report. Microwaves 97(477), 21-26, 1998-01-21

    References (4)

  • Single Voltage Operation MMIC Power Amplifier for 1.95GHz CDMA Applications  [in Japanese]

    Nishimura T.B. , Iwata N. , Yamaguchi K. , Tomita M. , Bito Y. , Takemura K. , Miyasaka Y.

    携帯電話の周波数利用効率の向上や、高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。今回、単一電源動作可能なHJFETとSrTiO_3(STO)キャパシタを用いたMMIC2段パワーアンプを作製し、IS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1997年.エレクトロニクス(2), 37, 1997-08-13

  • 3.5V Operation High Efficiency MMIC Power Amplifier for CDMA Cellular Phones  [in Japanese]

    Yamaguchi K. , Iwata N. , Nishimura T.B. , Tomita M. , Takemura K. , Miyasaka Y.

    携帯電話の周波数利用効率の向上や高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。CDMA方式ではアメリカや韓国のIS-95規格での実用化が先行している。今回、SrTiO_3(STO)キャパシタとグブルド-プダブルヘテロ構造を持つヘテロ接合FET(HJFET)を用いたMMICパワーアンプを試作し、IS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1997年.エレクトロニクス(2), 36, 1997-08-13

  • 50% High Efficiency 1W Power Heterojunction FET for 3.5V CDMA Cellular Phones  [in Japanese]

    Yamaguchi K. , Tomita M. , Iwata N.

    携帯電話の周波数利用効率の向上や高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。CDMA方式ではアメリカや韓国のIS-95規格での実用化が先行している。CDMA方式では送信電力の可変制御範囲が80dBと広く、この全範囲にわたって低歪高効率動作が求められる。今回、狭いリセス構造を有するグブルド-プダブルヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、950MHzにおけるIS …

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1997年.エレクトロニクス(2), 35, 1997-08-13

  • Single 3.4V Operation Heterojunction FET for Personal Digital Cellular Phones  [in Japanese]

    Bito Y. , Tomita M. , Yamaguchi K. , Nishimura T. , Iwata N.

    携帯電話の小型軽量化と低コス卜化が進んでいる。これに対応するには負電源回路の省略も一方策である。そのため、単一電源動作が可能な高出力素子が強く求められている。今回、1.0μm長のWSiゲートを有するヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、単一3.4V動作において950MHz PDC出力特性を評価したので報告する。

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1997年.エレクトロニクス(2), 34, 1997-08-13

  • Small-Sized Power Heterojunction FETs for Low-Voltage Digital Cellular Applications  [in Japanese]

    Iwata N. , Yamaguchi K. , Tomita M. , Bito Y. , Kuzuhara M.

    最近では, Liイオン電池1本で動作する小型軽量なデジタル携帯電話が普及している。今後は, より一層の小形軽量化, 通話の長時間化及び低コスト化が進むと予想される。高出力素子に対しては, 低電圧動作化, 電力付加効率の向上, チップ面積縮小の要求が高まっている。これに対して我々は, グブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)の開発を継続している。今回, オン抵抗(R_<on>)を …

    Proceedings of the IEICE General Conference 1997年.エレクトロニクス(2), 286-287, 1997-03-06

  • Single 0.2 V Operation MMIC Power Amplifier with STO Capacitors for WLAN Applications  [in Japanese]

    NISHIMURA T.B. , Yamaguchi K. , IWATA N. , TOMITA M. , TAKEMURA K. , KUZUHARA M. , MIYASAKA Y.

    2.4 GHz帯無線ローカルエリアネットワーク(WLAN)システムはPCカードでの普及が進んでいる。このため, 超小型で高効率かつ低電庄単一電源動作が可能なMMICアンプが求められている。我々はこれまで, 単一電源動作可能なダブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)と, 20 GHzまで比誘電率(ε_r)200を持つSrTiO_3(STO)薄膜キャパシタをGaAs基板上に形成するプロセスを開 …

    Proceedings of the IEICE General Conference 1997年.エレクトロニクス(2), 95, 1997-03-06

  • Small-Sized Power Heterojunction FETs for 3.4V Digital Cellular Applications  [in Japanese]

    IWATA Naotaka , TOMITA Masatoshi , YAMAGUCHI Keiko , OIKAWA Hirokazu , KUZUHARA Masaaki

    This paper describes 950MHz power performance of a 7.0mm gate width (W_g) n-AlGaAs/InGaAs/n-AlGaAs heterojunction FET(HJFET) for personal digital cellular phones. The fabricated HJFET with a 0.8μm lon …

    IEICE technical report. Electron devices 96(462), 15-18, 1997-01-24

    References (4)

  • 7mm Gate Width PDC Power Heterojunction FETs Operation at 3.4V  [in Japanese]

    Iwata N , Tomita M , Yamaguchi K , Oikawa H , Kuzuhara M

    最近ではLiイオン電池1本で動作するデジタル携帯電話が市販され、令後は一層の小型軽量化と低コスト化が進むと予想される。これへの対応には、GaAsチップ面積の縮小が有効である。令回、ゲート幅(Wg)7.0mmのオフセットゲートヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、良好な特性を得たので報告する。

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1996年.エレクトロニクス(2), 76, 1996-09-18

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