村上 準也 MURAKAMI Toshiya

Articles:  1-4 of 4

  • Liquid Phase Epitaxy of GaN Crystals at Atmospheric Pressure  [in Japanese]

    Tanaka Akira , Funayama Yukinori , Murakami Toshiya , Katsuno Hironobu

    Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University 37, 23-27, 2002

    IR  DOI 

  • Formation of GaN layer on GaP substrate by compositional conversion method  [in Japanese]

    TANAKA Akira , SAITOH Toshimasa , OZEKI Yoshitaka , MURAKAMI Toshiya , KATSUNO Hironobu , SUKEGAWA Tokuzo

    導電性基板上にGaN層を形成するために, GaP (111) B基板上にLPE成長したGaAs層をアンモニアガス中で熱処理することによってGaN層に変換した. 熱力学的計算によって, 変換に適する温度領域が650℃から850℃であることが判った. 変換温度が低い, あるいは変換時間の短い試料のX線回折プロファイルにはGaAsからの回折が現れたが, 温度が高くなるに従って, あるいは時間が長くなるに …

    Technical report of IEICE. SDM 99(68), 25-30, 1999-05-21

    References (11)

  • Formation of GaN layer on GaP substrate by compositional conversion method  [in Japanese]

    TANAKA Akira , SAITOH Toshimasa , OZEKI Yoshitaka , MURAKAMI Toshiya , KATSUNO Hironobu , SUKEGAWA Tokuzo

    導電性基板上にGaN層を形成するために, GaP (111) B基板上にLPE成長したGaAs層をアンモニアガス中で熱処理することによってGaN層に変換した. 熱力学的計算によって, 変換に適する温度領域が650℃から850℃であることが判った. 変換温度が低い, あるいは変換時間の短い試料のX線回折プロファイルにはGaAsからの回折が現れたが, 温度が高くなるに従って, あるいは時間が長くなるに …

    IEICE technical report. Electron devices 99(64), 25-30, 1999-05-21

    References (11)

  • Formation of GaN layer on GaP substrate by compositional conversion method  [in Japanese]

    TANAKA Akira , SAITOH Toshimasa , OZEKI Yoshitaka , MURAKAMI Toshiya , KATSUNO Hironobu , SUKEGAWA Tokuzo

    導電性基板上にGaN層を形成するために, GaP (111) B基板上にLPE成長したGaAs層をアンモニアガス中で熱処理することによってGaN層に変換した. 熱力学的計算によって, 変換に適する温度領域が650℃から850℃であることが判った. 変換温度が低い, あるいは変換時間の短い試料のX線回折プロファイルにはGaAsからの回折が現れたが, 温度が高くなるに従って, あるいは時間が長くなるに …

    IEICE technical report. Component parts and materials 99(66), 25-30, 1999-05-21

    References (11)

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