及川 洋一 OIKAWA Youichi

ID:9000004778325

NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC corporation (1999年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-8 of 8

  • An Single Voltage Operation Low Noise HJFET with Low Rs Structure  [in Japanese]

    Negishi Hitoshi , Oikawa Ryuichi , Oikawa Hirokazu , Uemura Kazuyoshi , Nashimoto Yasunobu

    Proceedings of the IEICE General Conference 1999年.エレクトロニクス(2), 78, 1999-03-08

  • An X-band FET with single supply voltage operation  [in Japanese]

    Oikawa Ryuichi , Negishi Hitoshi , Oikawa Hirokazu , Nashimoto Yasunobu , Uemura Kazuyoshi

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1998年.エレクトロニクス(2), 70, 1998-09-07

  • Excellent Control of Threshold Voltage in AlGaAs/InGaAs HJFETs for LSIs  [in Japanese]

    Asai Shuji , Kohno Michihisa , Oikawa Youichi , Tsutsui Hiroaki

    近年の情報伝送容量の増大に対応し、速度/消費電力性の優れたGaAsLSIの製作歩留りを向上させるため、ゲートしきい電圧Vtの高制御化を図った。今回、±100mV以下のVt制御性を実現したので報告する。

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1997年.エレクトロニクス(2), 69, 1997-08-13

  • ECL compatible GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX for 10-Gbps Optical Transmission Systems  [in Japanese]

    YOSHIDA N. , FUJII M. , ATSUMO T. , NUMATA K. , ASAI S. , KOHNO M. , OIKAWA Y. , TSUTSUI H. , MAEDA T.

    近年, 光通信システムは10 Gbpsへの大容量化が検討されており, ここに使用されるICは自然空冷で動作することが要求されている。今回我々は, SiバイポーラECL回路との互換性を有するGaAs HJFET 8:1 MUX/1:8DEMUXを開発し, 2W以下で10 Gbps動作を確認したので報告する。

    Proceedings of the IEICE General Conference 1997年.エレクトロニクス(2), 120, 1997-03-06

  • Small-Sized Power Heterojunction FETs for 3.4V Digital Cellular Applications  [in Japanese]

    IWATA Naotaka , TOMITA Masatoshi , YAMAGUCHI Keiko , OIKAWA Hirokazu , KUZUHARA Masaaki

    0.8μm長WSiゲートとドライリセスエッチングプロセスを適用した高出力ダブルドープダブルヘテロ接合FETを試作した。オン抵抗は2.3Ω・mm, 最大ドレイン電流は640mA/mm, 相互コンダクタンスは330mS/mm, ゲート-ドレイン耐圧は12.7Vである。3.4V動作における950MHzのπ/4シフトQPSK信号を用いた評価より、-51.5dBcの50kHz離調隣接チャネル漏洩電力時に1. …

    IEICE technical report. Electron devices 96(462), 15-18, 1997-01-24

    References (4)

  • ECL compatible GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX for 10-Gbps Optical Transmission Systems  [in Japanese]

    YOSHIDA Nobuhide , FUJII Masahiro , ATSUMO Takao , NUMATA Keiichi , ASAI Shuji , KOHNO Michihisa , OIKAWA Youichi , TSUTSUI Hiroaki , MAEDA Tadashi

    0.5μm AlGaAs/InGaAs HJFETを用いたECL互換10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUXを開発した。自然空冷が十分可能な低消費電力を実現するため、アーキテクチャに2:1 MUX/1:2 DEMUXの積み上げ構成を採用し、10Gbps高速部およびタイミング発生部にはSCFL回路を、5Gbps以下の低速部には低消費電力性能に優れるDCFL回路を基本回路としたTD-FFを採用 …

    IEICE technical report. Electron devices 96(461), 55-60, 1997-01-23

    References (12)

  • 7mm Gate Width PDC Power Heterojunction FETs Operation at 3.4V  [in Japanese]

    Iwata N , Tomita M , Yamaguchi K , Oikawa H , Kuzuhara M

    最近ではLiイオン電池1本で動作するデジタル携帯電話が市販され、令後は一層の小型軽量化と低コスト化が進むと予想される。これへの対応には、GaAsチップ面積の縮小が有効である。令回、ゲート幅(Wg)7.0mmのオフセットゲートヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、良好な特性を得たので報告する。

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 1996年.エレクトロニクス(2), 76, 1996-09-18

  • Pseudomorphic Hetero-Junction FETs for Low Power LSI Applications  [in Japanese]

    Asai S. , Kohno M. , Oikawa H. , Kurisu M. , Kaneko M. , Kato H. , Yosida T. , Takeda T.

    マルチメディアに代表される大容量情報処理通信の普及のためには、処理速度が速く、かつ低消費電力なLSIの実用化が不可欠である。今回、我々は、AlGaAs/InGaAsPM-HJFETを高性能化してE-D構成LSI用素子を試作し、0.5μmの実用的なゲート長において良好な速度/電力比を得たので報告する。

    1994信学会秋季大会, 105, 1994

    Cited by (1)

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