満原 学 MITSUHARA Manabu

ID:9000004778503

日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所 NTT Device Technology Laboratories, NTT corporation (2014年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 20

  • Investigation on the maximization of short-circuit current in InGaN/GaN MQW solar cells  [in Japanese]

    WATANABE Noriyuki , MITSUHARA Manabu , YOKOYAMA Haruki , LIANG Jianbo , SHIGEKAWA Naoteru

    InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関について考察した。短絡電流の井戸数依存性は、光誘起キャリアが再結合するまでに移動できる距離("特性長")により特徴づけられるキャリア輸送特性を仮定することで説明できることを前回報告したが、今回、さらにいくつかのMQW構造について特性長を調べ、そのバリア層厚および井戸層厚に対する依存性を求めた。その結果、特性長のMQW構造依存性は、 …

    IEICE technical report. Electron devices 114(336), 103-106, 2014-11-27

  • Analysis of Stable Behavior in InAs/InP MQW DFB laser Using an OBIC Monitor  [in Japanese]

    TAKESHITA Tatsuya , SATO Tomonari , MITSUHARA Manabu , KONDO Yasuhiro , OOHASHI Hiromi

    2.3μm波長DFB レーザで推定寿命10^5h以上(@45℃3mW)の長期信頼性を実証した。高歪みのInAs活性層であっても、従来の埋込みレーザと同じ拡散プロセスによって劣化することがわかった。さらに、従来のt^<0.5>劣化を逸脱し安定動作を示すデバイスを光励起電流法により分析した。その結果、エイジングによりp-InP埋込み層のキャリア密度が減少し、これによりリーク電流が抑制され動 …

    IEICE technical report 109(331), 25-30, 2009-12-04

    References (31)

  • CS-4-2 Semiconductor Lasers for Gas-sensing Application in the 2μm Wavelength Range  [in Japanese]

    Mitsuhara Manabu , Sato Tomonari , Takeshita Tatsuya , Tadokoro Takashi

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2009年_エレクトロニクス(1), "S-46"-"S-47", 2009-09-01

  • C-4-18 Analysis of stable behavior in InAs/InP MQW-DFB lasers  [in Japanese]

    Takeshita Tetsuya , Sato Tomonari , Mitsuhara Manabu , Kondo Yasuhiro , Oohashi Hiromi

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2009年_エレクトロニクス(1), 256, 2009-09-01

  • C-4-13 Long-term stable behavior in 2.3-μm wavelength highly strained InAs/lnP MQW-DFB lasers  [in Japanese]

    Takeshita Tatsuya , Sato Tomonari , Mitsuhara Manabu , Kondo Yasuhiro , Oohashi Hiromi

    Proceedings of the IEICE General Conference 2009年_エレクトロニクス(1), 261, 2009-03-04

  • 光ガスセンサに向けた波長2.3μmの分布帰還型半導体レーザ (特集 センシング用レーザ光源技術)  [in Japanese]

    佐藤 具就 , 満原 学 , 近藤 康洋

    NTT技術ジャ-ナル 21(2), 12-15, 2009-02

  • InAs quantum-well lasers emitting in the 2-μm-wavelength range for gas-sensing applications  [in Japanese]

    SATO Tomonari , MITSUHARA Manabu , KONDO Yasuhiro

    <p>本稿では,ガスセンシング用光源として開発したInP基板上のInAs量子井戸構造を用いた2<i>μ</i>m波長帯半導体レーザーについて報告する.従来のInP基板を用いたレーザーの発振波長は2<i>μ</i>m以下であったが,レーザーの活性層に低温のMOVPE成長により作製したInAs量子井戸構造を用いることにより,2.33<i …

    Oyo Buturi 77(11), 1324-1327, 2008-11-10

    J-STAGE  References (9)

  • 2μm-wavelength Semiconductor Lasers and Future Directions  [in Japanese]

    MITSUHARA Manabu , SATO Tomonari

    The Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 91(9), 819-821, 2008-09-01

    References (8)

  • Heterojunction phototransistor with high responsivity at 2.3μm wavelength  [in Japanese]

    Fukano Hideki , Sato Tomonari , Mitsuhara Manabu , Kondo Yasuhiro

    高受光感度、低暗電流の新しい中赤外光検出器を開発した。素子はInAs/InGaAs歪多重量子井戸(MQW)吸収層がコレクタ中の低電界領域に挿入されたヘテロ接合光トランジスタ(HPT)より成る。基本的な層構造は、光通信デバイスにおいて成熟したInGaAsP材料系を用いて作製した。低電界中の歪InAsは量子閉じ込め効果を高め、2.3μm波長で高い吸収係数をもたらす。MQW吸収層中で発生した光電流は電流 …

    IEICE technical report 108(114), 21-24, 2008-06-27

  • Heterojunction phototransistor with high responsivity at 2.3μm wavelength  [in Japanese]

    Fukano Hideki , Sato Tomonari , Mitsuhara Manabu , Kondo Yasuhiro

    高受光感度、低暗電流の新しい中赤外光検出器を開発した。素子はInAs/InGaAs歪多重量子井戸(MQW)吸収層がコレクタ中の低電界領域に挿入されたヘテロ接合光トランジスタ(HPT)より成る。基本的な層構造は、光通信デバイスにおいて成熟したInGaAsP材料系を用いて作製した。低電界中の歪InAsは量子閉じ込め効果を高め、2.3μm波長で高い吸収係数をもたらす。MQW吸収層中で発生した光電流は電流 …

    IEICE technical report 108(113), 21-24, 2008-06-27

  • CS-5-6 2-μm-wavelength InP-based lasers for environmental gas sensing  [in Japanese]

    Sato Tomonari , Mitsuhara Manabu , Kondo Yasuhiro

    Proceedings of the IEICE General Conference 2008年_エレクトロニクス(1), "S-82"-"S-83", 2008-03-05

  • C-4-31 Analysis of long-term stable behavior in a 2.1-μm wavelength DFB laser  [in Japanese]

    Takeshita Tatsuya , Sato Tomonari , Mitsuhara Manabu , Kondo Yasuhiro , Sugo Mitsuru

    Proceedings of the IEICE General Conference 2008年_エレクトロニクス(1), 314, 2008-03-05

  • C-4-10 Novel Phototransistor with High Responsivity at 2.3μm wavelength  [in Japanese]

    Fukano Hideki , Sato Tomonari , Mitsuhara Manabu , Kondo Yasuhiro , Yasaka Hiroshi

    Proceedings of the IEICE General Conference 2008年_エレクトロニクス(1), 293, 2008-03-05

  • 2μm-wavelength lasers using strained-layer InGaAs quantum wells grown by MOMBE  [in Japanese]

    MITSUHARA M. , OGASAWARA M. , OISHI M. , KASAYA K. , SUGIURA H.

    Inp系歪MQWを用いた2ドm帯レーザは、環境・医療分野におけるガスセンサー用の光源として有望である。この報告では、歪量が+1.65%、膜厚が115Aの1nGaAs井戸層を持つ歪MQWのMOMBB成長とこれを用いた2lim帯レーザについて述べる。障壁層のVIIII比と歪量を最適化することにより、膜質の劣化なしにMQWの井戸数を4まで増やすことができた。作製したファブリペローレーザの発振波長は、井戸 …

    Technical report of IEICE. LQE 99(364), 65-70, 1999-10-20

    References (12)

  • Uni-Traveling-Carrier Waveguide Photodiode  [in Japanese]

    MURAMOTO Y. , MITSUHARA M. , NAGATSUMA T. , OHNO T. , KATO K. , FUKANO H. , MATSUOKA Y.

    高速、高効率特性を有するマルチモード導波路型フォトダイオード(WGPD)に、単一走行キャリア(UTC)構造を適用し、高出力特性を改善した単一走行キャリア導波路型フォトダイオード(UTC-WGPD)を提案する。作製したUTC-WGPDのパルス応答波形をEOサンプリング法を用いて測定したところ、出力1.35Vで半値幅4.5psという高出力、高速動作が確認された。さらに効率は32%であり、WGPDの特長 …

    Technical report of IEICE. LQE 98(417), 25-30, 1998-11-19

    References (8)

  • Uni-Traveling-Carrier Waveguide Photodiode  [in Japanese]

    MURAMOTO Y. , MITSUHARA M. , NAGATSUMA T. , OHNO T. , KATO K. , FUKANO H. , MATSUOKA Y.

    高速、高効率特性を有するマルチモード導波路型フォトダイオード(WGPD)に、単一走行キャリア(UTC)構造を適用し、高出力特性を改善した単一走行キャリア導波路型フォトダイオード(UTC-WGPD)を提案する。作製したUTC-WGPDのパルス応答波形をEOサンプリング法を用いて測定したところ、出力1.35Vで半値幅4.5psという高出力、高速動作が確認された。さらに効率は32%であり、WGPDの特長 …

    Technical report of IEICE. OPE 98(415), 25-30, 1998-11-19

    References (8)

  • Uni-Traveling-Carrier Waveguide Photodiode  [in Japanese]

    MURAMOTO Y. , MITSUHARA M. , NAGATSUMA T. , OHNO T. , KATO K. , FUKANO H. , MATSUOKA Y.

    高速、高効率特性を有するマルチモード導波路型フォトダイオード(WGPD)に、単一走行キャリア(UTC)構造を適用し、高出力特性を改善した単一走行キャリア導波路型フォトダイオード(UTC-WGPD)を提案する。作製したUTC-WGPDのパルス応答波形をEOサンプリング法を用いて測定したところ、出力1.35Vで半値幅4.5psという高出力、高速動作が確認された。さらに効率は32%であり、WGPDの特長 …

    Technical report of IEICE. OCS 98(411), 25-30, 1998-11-19

    References (8)

  • Uni-Traveling-Carrier Waveguide Photodiode  [in Japanese]

    MURAMOTO Y. , MITSUHARA M. , NAGATSUMA T. , OHNO T. , KATO K. , FUKANO H. , MATSUOKA Y.

    高速、高効率特性を有するマルチモード導波路型フォトダイオード(WGPD)に、単一走行キャリア(UTC)構造を適用し、高出力特性を改善した単一走行キャリア導波路型フォトダイオード(UTC-WGPD)を提案する。作製したUTC-WGPDのパルス応答波形をEOサンプリング法を用いて測定したところ、出力1.35Vで半値幅4.5psという高出力、高速動作が確認された。さらに効率は32%であり、WGPDの特長 …

    IEICE technical report. Electron devices 98(413), 25-30, 1998-11-19

    References (8)

  • Critical thickness analysis of strain compensated InAsP-MQW grown by MOMBE  [in Japanese]

    OGASAWARA Matsuyuki , SUGIURA Hideo , MITSUHARA Manabu

    MOMBE法により成長した歪補償InAsP/InGaAsP-MQWの臨界膜厚の解析を行い、臨界膜厚の支配要因を検討した。歪補償の異なるMQWを多数成長し、各歪補償量における臨界膜厚を実験的に決定した。この結果を基に、MQWを、井戸層と障壁層の歪を平均した実効歪(ε*)を持ち、MQWと同一の厚さ(dつから成る単層膜で近似するモデルを提案した。Matthews & Blakesleeの理論に、温度に依 …

    IEICE technical report. Electron devices 95(387), 19-24, 1995-11-24

    References (12)

  • Beryllium doping of InP grown by MOMBE using Be(CH3C5H4)2  [in Japanese]

    MITSUHARA Manabu , OGASAWARA Matsuyuki , SUGIURA Hideo

    MOMBE法において、ビスメチルシクロペンタジエニルベリリウム[(MeOp)Be]を用いたp型InPの成長を行い、ホール濃度と(MeCp)2Beビーム強度の関係、InP中におけるBeの活性化率、炭素と酸素の混入、および拡散について調べた。ホール濃度は、(MeCp)2Beのビーム強度に比例して増加した。その制御範囲は、10^<17>-10^<18>cm^<-3>で …

    Technical report of IEICE. OPE 95(377), 73-78, 1995-11-21

    References (15)

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