大路 譲 OHJI Yuzuru

ID:9000004778555

株式会社日立製作所半導体事業部 Semiconductor and IC Division, Hitachi, Ltd. (1996年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-4 of 4

  • Time-Dependent Charging by X-ray Irradiation of Ultrathin SiO_2 films on Si  [in Japanese]

    IWATA Seiichi , OHJI Yuzuru , ISHIZAKA Akitoshi

    日本金屬學會誌 60(12), 1192-1199, 1996-12-20

    References (35)

  • The Effect on the Tunnel Oxide Characteristics of Insulator Films on the Gate Electrode  [in Japanese]

    USHIYAMA M. , MIURA H. , YASHIMA H. , ADACHI T. , NISHIMOTO T. , KOMORI K. , KATOH M. , KUME H. , OHJI Y.

    MOSキャパシタのゲート電極上の絶縁膜がトンネル絶縁膜特性の高電界ストレス耐性に及ぼす影響について検討した。電極上のONO(SiO_2/Si_3N_4/SiO_2)膜形成においてSi_3N_4膜を高温酸化する際にトンネル絶縁膜中に電子捕獲中心が生成される。この高温酸化により多結晶シリコン電極中にテンサイルな応力が発生することから、トンネル絶縁膜中の電子捕獲中心の増大はトンネル絶縁膜にテンサイルな応 …

    Technical report of IEICE. SDM 95(10), 27-33, 1995-04-21

    References (3)

  • The Effect on the Tunnel Oxide Characteristics of Insulator Films on the Gate Electrode  [in Japanese]

    USHIYAMA M. , MIURA H. , YASHIMA H. , ADACHI T. , NISHIMOTO T. , KOMORI K. , KATOH M. , KUME H. , OHJI Y.

    MOSキャパシタのゲート電極上の絶縁膜がトンネル絶縁膜特性の高電界ストレス耐性に及ぼす影響について検討した。電極上のONO(SiO_2/Si_3N_4/SiO_2)膜形成においてSi_3N_4膜を高温酸化する際にトンネル絶縁膜中に電子捕獲中心が生成される。この高温酸化により多結晶シリコン電極中にテンサイルな応力が発生することから、トンネル絶縁膜中の電子捕獲中心の増大はトンネル絶縁膜にテンサイルな応 …

    IEICE technical report. Electron devices 95(8), 27-34, 1995-04-21

    References (3)

  • "AND″cell structure for a 3V-only 64Mbit Flash Memory  [in Japanese]

    Kato Masataka , Adachi Tetsuo , Tanaka Toshihiro , Sasaki Toshio , Kume Hitoshi , Ohji Yuzuru , Ushiyama Masahiro , Nishida Takashi , Miyamoto Naoki , Saeki Shunichi

    本研究では、小型携帯用ファイル市場をターゲットとした次世代のフラッシュメモリを実現するためのAND型メモリセル構造とその動作方式を提案した。メモリセルデータの書換えにFowler-Nordheimトンネル現象を用いて3V外部単一電源化を可能とし、コンタクトレスアレイ構成によりビット当たりのドレインコンタクト数を低減して微細化を進めた。0.4μm加工技術により、1.28μm^2のセル面積を持つメモリ …

    Technical report of IEICE. SDM 93(348), 37-43, 1993-11-25

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