本間 文孝 HONMA Fumitaka

ID:9000004778940

東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (1995年 CiNii収録論文より)

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  • Self-Aligned Ultrashallow Junction Formation Using Selective Si_<1-x>Ge_x CVD for Ultra-Small MOSFET  [in Japanese]

    GOTO Kinya , MUROTA Junichi , HONMA Fumitaka , MATSUURA Takashi , SAWADA Yasuji

    MOSFETの微細化の障害となる短チャネル効果を防ぐソース/ドレイン自己整合極浅接合形成法を提案する。高清浄減圧CVD法を用いると同時にシーケンスの最適化を図ることにより、n型Si基板上へのBドープSi_<1-x>Ge_xの選択成長に成功し極浅pn接合を実現した。さらに、このBドープSi_<0.5>Ge_<0.5>の選択成長をソース/ドレインに適用することにより …

    Technical report of IEICE. SDM 95(205), 9-14, 1995-08-16

    References (6)

  • B doped Si_1-x>Ge_x film growth using ultraclean CVD  [in Japanese]

    Honma Fumitaka , Goto Kinya , Maeda Takahiro , Murota Junichi , Sawada Yasuji

    高清浄ホットウォール型減圧CVD法により、SiH_4-GeH_4-B_2H_6-H_2系によるSi基板上へのBドープSi_1-x>Ge_xのエピタキシャル成長を行った。Si_1-x>Ge_x膜中のB濃度はB_2H_6分圧に比例し、Bのドーピング速度はGeH_4分圧、すなわちGe比率に伴い増加することを見い出した。B濃度は成膜初期でSi_1-x>Ge_x堆積開始前のB_2H_6前処 …

    IEICE technical report. Electron devices 93(286), 7-12, 1993-10-22

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