小林 隆弘 KOBAYASHI Takahiro

ID:9000004785411

福井大学工学部 Faculty of Eng., University of Fukui (2005年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-4 of 4

  • MOVPE growth of GaN on 3c-SiC/Si template : Nitridation effects of template surface  [in Japanese]

    SAWAZAKI Naoki , KOBAYASHI Takahiro , CHO Myung Soo , HASHIMOTO Akihiro , YAMAMOTO Akio , ITO Yoshifumi

    Si基板へのC^+イオン注入により作製した3c-SiC/Si基板上にMOVPE法を用いて成長させたGaN膜は凹凸の激しい表面になる。今回、その原因解明と対応策について検討した。凹凸形成の原因は、GaNバッファが島状成長し、GaNバッファが成長していないSiC表面からGaN膜が直接成長したためである。さらに、GaNバッファ成長前に基板表面の窒化処理を導入することにより、平坦なGaN成長膜を得ることが …

    IEICE technical report 105(394), 17-20, 2005-11-05

    References (7)

  • High-quality InN film on 3c-SiC/Si(111) templates by MOVPE  [in Japanese]

    CHO M. S. , KOBAYASHI T. , SAWAZAKI N. , HASHIMOTO A. , YAMAMOTO A. , ITO Y.

    Si(111)基板へのC^+イオン注入により作製した3c-SiC/Si(111)構造基板上へMOVPE成長させたInN膜と同成長条件で行ったサファイア基板上InN膜を比較研究した。3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜のMOVPE成長において、GaNバッファ層成長の直前に3c-SiC/Si(111)構造基板の窒化処理(900℃、30分)を導入した結果、GaNバッファ層の島状成長は抑制され、 …

    IEICE technical report 105(394), 13-16, 2005-11-05

    References (8)

  • Photocatalytic H_2S decomposition by InN_<1-x>O_x films grown by ArF laser-assisted MOCVD  [in Japanese]

    MIYANISHI Masayoshi , TAKAHASHI Naoya , KOBAYASHI Takahiro , TAKAYAMA Katsumi , NAMBO Yukio , HASHIMOTO Akihiro , YAMAMOTO Akio

    ArFエキシマレーザ援用MOCVD法(La-MOCVD法)により低温(≲500℃)で形成したInN膜には酸素が混入し易く、成長膜はInNとIn_2O_3との混晶、InN_<1-x>O_x、になっていると考えられている。In_2O_3が光触媒活性を有することに着目し、InN_<1-x>O_x膜の光触媒活性を評価した。光触媒効果としてはH_2Sの分解特性を調べた。その …

    IEICE technical report 105(394), 9-12, 2005-11-05

    References (7)

  • Heteroepitaxial growth of GaN and InN on a c-SiC/Si(111) templates formed by C^+-ion implantation into Si(111)  [in Japanese]

    KOBAYASHI Takahiro , HASHIMOTO Akihiro , YAMAMOTO Akio

    Si(111)基板にC^+イオン注入を行い熱処理を施すことによって基板内部に立方晶SiC(c-SiC)の単結晶層を形成した。有機金属気相エピタキシ(MOVPE)法を用いて、このc-SiC単結晶層を中間層とするSi(111)基板上へのGaN、InN膜のヘテロエピ成長を検討した。C^+イオン注入は加速電圧180keV、基板温度600℃で行い、注入後、O_2雰囲気中1250℃、2時間の熱処理を行った。オ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(425), 7-11, 2004-11-11

    References (11)

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