岩永 順子 SATO IWANAGA Junko

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  • Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発  [in Japanese]

    岩永 順子 , 田邊 充 , 宮辻 和郎 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 99(442), 15-19, 1999-11-18

  • A LATERAL P-SI-N DIODE SPDT SWITCH FOR Ka-BAND APPLICATIONS  [in Japanese]

    SATO IWANAGA Junko , TANABE Mitsuru , MIYATSUJI Kazuo , UEDA Daisuke

    i層部分に半絶縁性基板を用いたP-Semi-Insulator-N(P-SI-N)ダイオードスイッチを開発した。試作したP-SI-Nダイオード単体は30GHzで0.66dBの低損失の特性を得た。また、P-SI-Nダイオードと電源回路をコプレーナ線路で集積したSPDTスイッチICは、30GHzにおいて、挿入損失1.8dB、アイソレーション35dBという結果を得た。このP-SI-N構造はイオン注入法を …

    IEICE technical report. Microwaves 99(442), 15-19, 1999-11-18

    References (6)

  • A LATERAL P-SI-N DIODE SPDT SWITCH FOR Ka-BAND APPLICATIONS  [in Japanese]

    SATO IWANAGA Junko , TANABE Mitsuru , MIYATSUJI Kazuo , UEDA Daisuke

    i層部分に半絶縁性基板を用いたP-Semi-Insulator-N(P-SI-N)ダイオードスイッチを開発した。試作したP-SI-Nダイオード単体は30GHzで0.66dBの低損失の特性を得た。また、P-SI-Nダイオードと電源回路をコプレーナ線路で集積したSPDTスイッチICは、30GHzにおいて、挿入損失1.8dB、アイソレーション35dBという結果を得た。このP-SI-N構造はイオン注入法を …

    IEICE technical report. Electron devices 99(440), 15-19, 1999-11-18

    References (6)

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