田中 博文 TANAKA Hirofumi

ID:9000004964783

三井化学 Mitsui Chemicals, Inc. (2008年 CiNii収録論文より)

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  • 32nm node Ultralow-k(k=2.1)/Cu Damascene Multilevel Interconnect using High-Porosity (50%) High-Modulus (9GPa) Self-Assembled Porous Silica  [in Japanese]

    CHIKAKI S. , KINOSHITA K. , NAKAYAMA T. , KOHMURA K. , TANAKA H. , HIRAKAWA M. , SODA E. , SEINO Y. , HATA N. , KIKKAWA T. , SAITO S.

    32nmノードLSI多層配線の実用化は多孔性低誘電率膜の実用化性能向上に依存している。今回高い空孔率(50%)が特徴の自己組織化ポーラスシリカ低誘電率膜を用い200nmピッチの配線形成に成功したので報告する。重要技術は低圧急加熱シリル化処理技術と加工側壁の処理技術である。これらの技術を用いることで32nmノード100nmピッチ配線の性能の達成が可能となった。

    IEICE technical report 107(481), 17-20, 2008-02-08

    References (5)

  • Development of Mesoporous Silica Films for Ultra Low-k Interlayer Dielectrics  [in Japanese]

    FUJII Nobutoshi , NAKAYAMA Takahiro , KOMURA Kazuo , TANAKA Hirofumi , SEINO Yutaka , HATA Nobuhiro , YOSHINO Takenobu , KIKKAWA Takamaro

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2005(22), 43-46, 2005-06-03

    References (7)

  • Novel Self-Assembled Ultra-Low-k Porous Silica Films with High Mechanical Strength for 45nm BEOL Technology  [in Japanese]

    OKU Y. , YAMADA K. , GOTO T. , SEINO Y. , ISHKAWA A. , OGATA T. , KOHMURA K. , FUJII N. , HATA N. , ICHIKAWA R. , YOSHINO T. , NEGORO C. , NAKANO A. , SONODA Y. , TAKADA S. , MIYOSHI H. , OIKE S. , TANAKA H. , MATSUO H. , KINOSHITA K. , KIKKAWA T.

    自己集合体化技術を用いて新規な超低誘電率多孔質シリカ膜を開発した.得られる多孔質シリカ膜の機械特性はテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)処理により、比誘電率と独立に強化する事が可能である.それにより弾性率8GPaと比誘電率2を同時に併せ持った高強度多孔質シリカ膜を実現した.十分に高い機械的強度を有した超低誘電率層間絶縁膜/銅ダマシン配線構造を実証した.

    Technical report of IEICE. SDM 103(638), 41-45, 2004-01-26

    References (5)

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