吉野 明 YOSHINO Akira

ID:9000004966772

日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Labs., NEC Corporation (1996年 CiNii収録論文より)

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  • Possible Causes of Trace Metallic Contaminants in SIMOX Substrates  [in Japanese]

    WATANABE Kaori , YOSHINO Akira , OKONOGI Kensuke , KITAJIMA Hiroshi

    CMOS/SIMOXデバイスの性能, 及び信頼性を向上するためには, SIMOX基板の高品質化が重要である。今研究では, 従来のSIMS分析よりもさらに高感度な化学分析を用いて、SIMOX基板中に含まれる金属不純物を系統的に定量分析した。その結果, 主に次のことがわかった。基板製造メーカーによって不純物量が異なる。不純物の混入原因は, 酸素イオン注入工程だけでなく洗浄工程や高温アニール工程の可能性 …

    Technical report of IEICE. SDM 95(570), 83-89, 1996-03-11

    References (4)

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