米田 清 Yoneda Kiyoshi

ID:9000004966897

三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所 SANYO Electric Co.,Ltd.Microelectronics Research Center (1994年 CiNii収録論文より)

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  • Effect of TiN/Ti cap layers on electromigration performance of Al based multi-layered interconnects  [in Japanese]

    Inoue Yasunori , Tanimoto Shin-ichi , Tsujimura Kazutoshi , Yamashita Tomio , Ibara Yoshikazu , Yamashita Yasuhiko , Yoneda Kiyoshi

    積層配線におけるキャップ層として,TiN, Ti積層構造の適用を検討した.TiN/Ti構造では十分な反射防止能力を持つだけでなく,TiN/Al界面でのAlN形成を防ぐことができるため,2層メタル配線でのビアコンタクト抵抗の増大が抑制できる.またTi膜厚の増加,シンター温度の上昇に伴って配線のEM耐性も向上する.これはTi/Al界面でAl_3Ti合金層が形成されることと密接な関連があり,合金層の膜厚 …

    Technical report of IEICE. SDM SDM93-199, 67-74, 1994

    Cited by (1)

  • Reaction at the Via Contact Interface in Double-Level-Aluminum Interconnection  [in Japanese]

    Inoue Yasunori , Tanimoto Shinichi , Tsujimura Kazutoshi , Yamashita Tomio , Ibara Yoshikazu , Yamashita Yasuhiko , Yoneda Kiyoshi

    2層Al配線におけるビアホールコンタクト界面の挙動について検討した。Al表面へ反応性スパッタ法によってTiN膜を成膜すると、TiN, Al界面にAlNが生成され、ビアコンタクト抵抗が増大する。抵抗増加の抑制には、TiN/Al界面にTiバッファー層を挿入することが有効である。また、Al/Ti/Al構造では、アニール温度が450℃に上昇するとAlとTiとの反応によって界面にAl_3Ti層が形成され、ビ …

    Technical report of IEICE. SDM SDM93-87, 59-66, 1993

    Cited by (1)

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